Мемристоры: перспективы нового полупроводникового элемента и причины исследования
Мемристор как тип электронного компонента, который обладает уникальными свойствами памяти и может быть использован для создания более эффективных и энергосберегающих вычислительных систем. Потенциальные области применения полупроводникового элемента.
Подобные документы
Моделирование самосинхронного логического элемента в схемотехнической системе моделирования NI Multisim в рабочих фазах и фазе гашения. Описание систем логических функций в дизъюнктивной нормальной форме. Использование альтернативных транзисторов.
статья, добавлен 30.07.2017Области применения микроконтроллеров AVR, их аппаратные возможности. Структурная схема микроконтроллера, основные пути увеличения его быстродействия. Отличительные черты архитектуры, пространство памяти. Сброс и обработка прерываний, сторожевой таймер.
курс лекций, добавлен 27.05.2013Сравнительный обзор основных конструкций магнетронных систем распыления. Их конструктивные элементы (мишени, магнитные системы), достоинства и недостатки. Параметры установок и типичные характеристики магнетронов. Потенциальные возможности применения МРС.
курсовая работа, добавлен 23.06.2011Потенциальные возможности реализации прав граждан путем получения государственных услуг в системе электронного правительства. Тренды развития цифровых технологий предоставления услуг органами государственной власти. Цифровое неравенство населения.
статья, добавлен 19.12.2017Использование утроителя напряжения в качестве источника вторичного электропитания для различных радиоэлектронных устройств. Понятие и сущность полупроводникового диода. Особенности электролитического конденсатора, сборка и проверка работы устройства.
аттестационная работа, добавлен 17.02.2016Общая характеристика биполярного транзистора как трехэлектродного, электропреобразовательного полупроводникового прибора. Изучение принципов, режимов работы и физических процессов биполярного транзистора. Расчет токов и пробоя биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.05.2011Разработка нового адаптивного метода оценки надежности информационных направлений коммутируемых информационно-телекоммуникационных систем в реальном масштабе времени. Рассмотрение и анализ результатов исследования возможности применения данного метода.
доклад, добавлен 01.10.2014Сведения об авиационных генераторах. Выбор структурной схемы. Выбор датчика напряжения и схемы источника опорного напряжения, устройства сравнения и усилителя напряжения, схем усилителя мощности и регулирующего элемента. Эмиттерный переход транзистора.
контрольная работа, добавлен 07.08.2013Перспективы развития кабельных систем и цифровых радиорелейных линий. Современные тенденции развития телекоммуникационных сетей. Развитие технологии Ethernet, появление нового транспорта PoS. Использование оптических кабелей в качестве среды передачи.
реферат, добавлен 04.03.2011Анализ вольтамперных характеристик полупроводникового выпрямительного диода и стабилитрона. Основные параметры выпрямительного диода. Сущность стабилитрона, вычисление динамического сопротивления стабилитрона. Сопротивление балластного резистора.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Метод выделения шумовой составляющей источника опорного напряжения, который может быть выполнен в виде традиционного стабилитрона. Методы определения коэффициента передачи резистивного делителя напряжения и величины петлевого усиления стабилизатора.
статья, добавлен 30.05.2017Обзор способов обеспечения самотестируемости цифровых вычислительных синтезаторов. Совершенствование известных и создание новых эффективных структур, а также программного обеспечения для автоматизированного контроля на всех этапах жизненного цикла ЦВС.
автореферат, добавлен 28.03.2018Исходные данные и задание на проектирование. Выбор, описание и обоснование структурной схемы. Выбор усилительного полупроводникового прибора. Расчеты цепей и выходного фильтра. Электрический и конструктивный расчеты. Выбор стандартных номиналов.
дипломная работа, добавлен 21.07.2010Топологический расчет транзистора. Расчет геометрических размеров резисторов. Расчет геометрических размеров конденсаторов. Расчет топологии и технологический процесс полупроводникового кристалла. Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом.
курсовая работа, добавлен 23.03.2010Триггеры - класс электронных устройств, которые являются элементарными ячейками оперативной памяти. Бистабильная ячейка, имеющая два устойчивых состояния - один из основных компонентов триггера. Характеристика принципа работы однотактного устройства.
лабораторная работа, добавлен 03.06.2021Обоснование роли оптоэлектронных элементов, воспроизведенных методами интегральной технологии, среди средств передачи информации. Характеристика силленитов, используемых для систем оптической связи. Стадии производства пленочного лазерного элемента.
дипломная работа, добавлен 29.10.2013Обзор процесса монтажа "flip-chip", присоединения полупроводникового кристалла интегральной схемы на подложку активной стороной вниз. Изучение критериев миниатюризации, герметизации при монтаже, нанесения адгезива, установки кристалла, плазменной чистки.
реферат, добавлен 23.12.2011Разработка методов и средств измерений линейных размеров элементов в субмикронной и нанометровой областях. Перспективы уменьшения критического размера элемента микросхемы от 0,35 до 0,07 мкм при сохранении погрешности их измерения в контрольной операции.
статья, добавлен 02.11.2018Рассмотрение процесса передачи информации на расстоянии за более короткое время и с меньшими ошибками, перечень способов и их краткая характеристика. Использование высокопроизводительной техники путем создания вычислительных сетей и сетей передачи данных.
контрольная работа, добавлен 24.04.2014Определение понятия и принципов работы лавинно-пролётного диода. Рассмотрение особенностей линейной теории полупроводникового диода. Определение напряжений, а также плотности тока проводимости. Усиление сигнала, природа шумов лавинно-пролётного диода.
реферат, добавлен 17.06.2015Основные параметры ОЛЭ и методы их измерения, пути совершенствования метрологического обеспечения. Принципиальная схема иммитансного LC-логического элемента. Анализ метрологического обеспечения разработки и применения иммитансных логических элементов.
статья, добавлен 18.02.2016Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода. Отрицательные обратные связи в уравнении вольт-амперной характеристики вакуумного диода.
контрольная работа, добавлен 10.05.2015Разработка имитационного метода исследования спектра выходных колебаний цифровых вычислительных синтезаторов, реализованного в виде пакета компьютерных программ "SpectrDDS". Автоматизация разработки с заданным спектром с начального этапа проектирования.
статья, добавлен 31.08.2018Рассмотрение работы многоканального визуализатора логических сигналов, который может использоваться в процессе диагностирования и наладки цифровой аппаратуры. Описание особенностей диагностического прибора, принципа его действия и областей применения.
статья, добавлен 08.12.2018Применение протоколов обеспечения когерентности данных в оперативной памяти модулей биллинговых систем. Проектирование микропроцессорных систем с распределенной памятью. Модификации удаленных копий данных. Конкретная реализация разделяемой памяти.
реферат, добавлен 26.04.2017