Методика вимірювання електричних властивостей монокристалів n-Ge при високих одновісних тисках
Аналіз залежності критичної механічної напруги від площі поперечного перерізу зразків n-Ge, що використовуються при дослідженнях деформаційних ефектів. Вплив геометричних розмірів зразків на точність вимірювання питомої електропровідності монокристалів.
Подобные документы
Особливості вимірювання опорів провідників з допомогою місткових схем. Вивчення залежності опору металів від температури. Вимірювання опору досліджуваної котушки при кімнатній температурі. Вплив швидкості нагріву на точність побудованої залежності.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Технологія отримання і властивості масивних кристалів. Методика отримання монокристалів CdTe і CdTe:Cl. Вивчення дефектів структури у масивних кристалах. Процеси електропровідності монокристалів, вирощених методом фізичного транспорту через газову фазу.
автореферат, добавлен 12.07.2015Дослідження похибок вимірювань факторів інтегральної напруги живлення при підвищених частотах. Побудова математичної моделі і розробка засобів підвищеної точності вимірювання параметрів напруги для оптимізації режиму живлення приймачів електроенергії.
автореферат, добавлен 25.02.2014Аналіз будови кристалічної ґратки та характеру сил, що діють між частинками твердого тіла. Вимірювання електричних величин та обчислення похибок. Температурна залежність електропровідності напівпровідників. Вивчення фотопровідності в діелектриках.
методичка, добавлен 28.07.2017Вивчення впливу анізотропії пружних властивостей на характер хімічного зв’язку та стабільність монокристалів з ґратками типу NaCl, CsCl і CaF2. Визначення ступеня іонних зв'язків лужно-галоїдних кристалів без вимірювання енергетичних параметрів.
статья, добавлен 30.01.2016Дослідження поняття трифазного вимірювального каналу векторів напруги та струму. Вплив вхідних сигналів та навантаження перетворювачів на точність вимірювання току. Розгляд особливостей роботи вимірювальних каналів напруги та струму у трифазній схемі.
статья, добавлен 29.01.2016Аналіз механізмів радіаційного дефектоутворення при електронному та нейтронному опроміненні нелегованих і легованих міддю монокристалів CdS. Доідження фізичних властивостей монокристалів з метою побудови моделей електронних процесів у даних сполуках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Конфігурація електричних полів. Іонізаційні процеси в газі. Утворення стримера. Закон Пашена. Вплив часу прикладання напруги на електричну міцність газової ізоляції. Розряд вздовж провідної та забрудненої поверхні ізолятора. Вимірювання високих напруг.
дипломная работа, добавлен 31.08.2012Методика вимірювання опорів провідників з допомогою місткових схем. Залежність опору металів від температури. Вимірювання плечей реохорда в одиницях шкали реохорда. Вимірювання загального опору резисторів і досліджуваної котушки при кімнатній температурі.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Дослідження особливостей вимірювання напруги та сили постійного струму аналоговими та цифровими приладами. Огляд основних характеристик аналогових та цифрових вольтметрів та амперметрів. Опис непрямого вимірювання струму за спадом напруги на резисторі.
лабораторная работа, добавлен 26.05.2013Особливості побудови вимірювальних приладів магнітоелектричної, електромагнітної і електродинамічної систем. Методика перевірки інструментів для визначення відповідності позначеного на них класу точності. Вимірювання опору й активної потужності ватметрів.
лабораторная работа, добавлен 12.12.2013Метрологічні характеристики засобів вимірювання. Методи і похибки електричних вимірів. Визначення активної потужності в трифазних колах. Оцінка струму, напруги в колах постійного і змінного несинусоїдного струму. Реактивна енергія в трифазних ланцюгах.
методичка, добавлен 11.07.2014Аналіз модових спектрів хвилеводів довільного поперечного перерізу та дифракційних властивостей пристроїв, утворених з відрізків таких хвилеводів. Механізми формування резонансних ефектів і фізичних закономірностей (для пристроїв мікрохвильової техніки).
автореферат, добавлен 30.08.2014Вимірювані параметри, метод безпосередньої оцінки та порівняння. Абсолютні та технічні електростатичні вольтметри. Вимірювання високої напруги кульовим розрядником, низьковольтними приладами з дільниками напруги. Оцінка синусоїдальності високої напруги.
курсовая работа, добавлен 29.02.2020Сфери використання такого напівпровідникового матеріалу, як германій. Дослідження температурних залежностей питомого опору для монокристалів n-Ge, опромінених різними дозами електронів. Вплив електронного опромінення на радіаційну стійкість монокристалів.
статья, добавлен 03.07.2016Термодинамічний аналіз термічного і фототермічного окислення сполук АIIBVI. Вивчення фізичних властивостей оксидних шарів. Дослідження оптичних, механічних та електрооптичних властивостей монокристалів. Обґрунтування напрямків фазового синхронізму.
автореферат, добавлен 22.06.2014Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Використання установки для вивчення температурної залежності електропровідності. Вимірювання опору напівпровідника мультиметром. Обробка експериментальних даних.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Методика вирощування монокристалів лангбейнітів і їх рентгеноструктурне дослідження. Аналіз доменної структури кристалів при фазових переходах. Послідовність вимірювання показника теплового лінійного розширення за допомогою кварцового дилатометра.
автореферат, добавлен 22.06.2014Аналіз системи визначення об’ємів тіл за принципом збігів. Освоєння правил вимірювання лінійних розмірів методами лінійного ноніуса та мікрометричного гвинта. Знайомство з будовою штангенциркуля та мікрометра. Оцінка абсолютної та відносної похибок.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2017Дослідження електричних, гальваномагнітних, оптичних, фотоелектричних властивостей монокристалів CdTe. Вивчення та аналіз електричних та фотовольтаїчних процесів у поверхнево-бар’єрних структурах, створених на основі телуриду кадмію, легованого ванадієм.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження спектрального розподілу фотолюмінесцеції в залежності від їх кристалографічної орієнтації. Структура головного піка фотолюмінесцеції. Перерозподіл інтенсивності окремих складових піка у поляризованому світлі залежно від орієнтації зразків.
статья, добавлен 30.01.2016Температура як найважливіший параметр технологічних процесів багатьох галузей промисловості. Загальні відомості про вимірювальну техніку. Знаходження за вхідними даними такого приладу вимірювання температури, який би міг виміряти з заданою точністю.
курсовая работа, добавлен 11.04.2013Вирощування великих монокристалів тетрарних сполук AgCd2GaS4, AgGaGeS4, AgGaGe3Se8. Проведення кількісного та якісного аналізу і розподілу технологічних дефектів в напрямку росту для монокристалів AgCd2GaS4. Аналіз діаграм стану квазіпотрійних систем.
автореферат, добавлен 26.07.2014Встановлення зв'язку між характером і ступенем відхилу від стехіометрії або концентрацією домішки CdS і структурою та фізичними властивостями CIS. Мікрострукторне, рентгенодифракційне дослідження і вимірювання механічних властивостей одержаних зразків.
диссертация, добавлен 28.06.2014Вимірювання перерізів, виконане з використанням нейтронно-активаційного методу. Опромінення зразків диспрозію і ербію природного ізотопного складу (d-t) нейтронами. Вимірювання апаратурних спектрів гамма-випромінювання продуктів активації на спектрометрі.
статья, добавлен 02.09.2013