Сравнительный анализ кремния на изоляторе металл-оксид-полупроводник и объемных комплементарных металл-оксид-полупроводник структур
Обзор назначения и общих характеристик КМОП и КНИ структур. Исследование подпороговых характеристик структур кремния на изоляторе. Характеристика основных плюсов и минусов КНИ и КМОП структур. Обзор механизмов пробоя структур металл-оксид-полупроводник.
Подобные документы
Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Полупроводники как вещества с электронной электропроводностью, удельные сопротивления которых при нормальной температуре занимают промежное расположение среди металлов. Анализ особенностей влияния внешних факторов на электропроводность полупроводников.
статья, добавлен 05.05.2022Неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом. Механизм образования электронно–дырочного р-n-перехода. Причины появления собственной и примесной проводимости полупроводника.
лекция, добавлен 11.11.2021Утворення структурних та електрофізичних досліджень пористого кремнію. Методи дослідження мікроструктури, хімічного складу багатошарових структур при адсорбції газів. Електрофізичні властивості багатошарових структур з шаром термічно окисненого кремнію.
автореферат, добавлен 14.07.2015Знакомство с основными методами определения зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Анализ электрических свойств твердых тел. Особенности экспериментальной установки для измерения сопротивлений проводника и полупроводника.
реферат, добавлен 17.05.2017Особенности классификации светодиодов. Открытие этого вида источников света и первые разработки. Характеристика светодиодов на основе карбида кремния, их аналогов на базе структур AIIIBV: от GaAs до AlInGaP, GaN и его твердые растворы. Мощные светодиоды.
реферат, добавлен 22.04.2014Представление кристаллов сложных оксидов металлов, со структурой гранатов активированных ионами ванадия. Количественная оценка положения электронных уровней октаэдрических и тетраэдрических ионов V3+ в приближении произвольного кубического поля.
статья, добавлен 07.12.2018Кристаллическая структура элементарных полупроводников кремния и германия, изображение элементарной ячейки этих кристаллов. Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении. Выходная ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.
контрольная работа, добавлен 26.01.2013Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.
реферат, добавлен 15.11.2009Классификация и разновидности микрополосковых структур, способы и подходы к изготовлению, а также предъявляемые требования. Исследование двухсторонних структур с фотонной запрещенной зоной, их характерные свойства и сфера применения, управление.
реферат, добавлен 02.12.2014Измерение важнейших характеристик лазеров ближнего инфракрасного видимого диапазона на основе гетероструктур из полупроводников класса А и В. Принципы работы инжекционных устройств. Обзор современных структур лазеров, их параметры и методы измерения.
учебное пособие, добавлен 12.05.2014Розробка методів аналізу багатошарових мікросмужкових структур у квазистатичному та квазидинамічному наближеннях. Виконання розрахунку вібратора на одношарової підкладці та порівняння отриманих даних з даними, наведеними літературі з радіофізики.
автореферат, добавлен 14.09.2015Обзор методов синтеза и консолидации объемных наноструктурных керамических материалов на основе сегнетоэлектрических оксидов семейства перовскита. Влияние снижения размера зерен в нанодиапазоне на электрофизические свойства поликристалличексих материалов.
статья, добавлен 28.02.2016Построение вольт-амперной и световой характеристик, удельная чувствительность фотосопротивления. Внутренний фотоэффект в собственных и примесных полупроводниках с точки зрения зонной теории. Построение люкс-амперных характеристик фотосопротивления.
лабораторная работа, добавлен 12.09.2019- 65. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Металлы, полупроводники, диэлектрики с точки зрения зонной теории. Ионная проводимость и фазовые переходы, их основные понятия. Особенности термодинамики суперионных проводников, их применение. Строение и фазовые переходы в суперионных проводниках.
курсовая работа, добавлен 04.05.2011Механизмы взаимосвязи магнитных и электрических свойств исследуемых материалов при изменении температуры, магнитного поля и концентрации носителей заряда. Анализ свойств на основе конфигурационной многоэлектронной модели энергетической структуры.
автореферат, добавлен 02.03.2018Технологічні основи одержання керамічних галогеновмісних високотемпературних надпровідників і гібридних контактних структур типу "ВТНП-киснево-вмісний напівпровідник". Комплексні дослідження фізичних властивостей, розробка гібридних контактних структур.
автореферат, добавлен 15.11.2013Описание взаимодействий и процессов построения материальных структур. Движение частиц (тел) вселенского вещества в огромном сходящемся потоке. Рождение множества вихревых спиральных структур, огромное множество атомов водорода (ядер атома водорода).
статья, добавлен 22.11.2018Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
лабораторная работа, добавлен 19.12.2015Формирование структур протонов, нейтронов, антипротонов и антинейтронов. Анализ структур протонов и нейтронов. Исследование поступающих из космоса антипротонов и позитронов. Процессы изменения энергий электронов и позитронов на внутриядерных уровнях.
статья, добавлен 29.09.2012Исследование особенностей фотоэлементов на основе аморфного кремния, кристаллических пленок кремния, органических материалов и на красителях. Электрические свойства поликристаллического кремния. Способы производства поликристаллических пленок кремния.
реферат, добавлен 13.04.2014Анализ вопросов возможности применения "типовых" структур регрессионных моделей применительно к особенностям конкретных схем сетевых объектов региональных систем энергоснабжения. Совершенствование системы планирования и управления электроснабжением.
статья, добавлен 03.05.2019Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
автореферат, добавлен 22.06.2014Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.
автореферат, добавлен 23.05.2018