Основи напівпровідникової електроніки
Напівпровідникові діоди і транзистори. Тунельні діоди й їх параметри. Біполярні і польові транзистори. Генератори і підсилювачі на напівпровідникових приладах. Фізичні основи квантових приладів й енергетичні спектри. Квантові прилади оптичного діапазону.
Подобные документы
Створення, розвиток і впровадження в промисловість планарной технології кремнієвих ІМС. Використання окисленої поверхні кремнію. Процес окислення поверхні напівпровідникових пластин. Параметри якості діелектричних плівок. Методи нанесення тонких плівок.
курсовая работа, добавлен 07.12.2012Аналіз сучасних конструктивних методів підвищення граничної напруги та області безпечної роботи потужних кремнієвих приладів. Дослідження статичних та динамічних параметрів і області безпечної роботи конструкцій потужних біполярних транзисторів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Технологія матеріалів для напівпровідникових приладових структур. Одноелектронний турнікет. Методи синтезу напівпровідників та їх полі- і монокристалів та шарів цих матеріалів на підкладках. Властивості тунелювання, потенційних бар’єрів, хвилевої функції.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Поняття операційних підсилювачів, структура і умовні позначення. Принципові схеми та передатні характеристики ОП. Інвертуючі та неінвертуючі підсилювачі, перетворювач струму у напругу. Суматор, інтегратор і диференціатор. Підсилювач змінного струму на ОП.
лекция, добавлен 13.03.2015Розробка терморезисторних елементів струмового захисту радіоелектронної апаратури на основі керамічних напівпровідникових композитів CuxNi1-x-yCo2yMn2-уO4. Дослідження термокомпозиційних особливостей їх отримання, статистичної моделі терморезисторів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Сегментація і адресація процесорів(двохбайтовий осередок пам'яті). Молодший та старший байт. Розташування байтів слова в пам'яті комп'ютера і в регістрі. Сегментний регістр CS. Структура формування фізичної адреси. Конструктивні особливості процесорів.
контрольная работа, добавлен 19.03.2010Класичні вимірювальні засоби температури. Принципи побудови приборів термометрії на основі оптичного сигналу. Розробка рідкокристалічних аналогових пристроїв відображення вимірюваної інформації. Характеристики сучасних термосенсорних інтегральних схем.
автореферат, добавлен 22.06.2014Програмування мікропроцесорів, одно-, двух-, триадресні команди. Командне управління ЕОМ. Узагальнена структура команди. Безпосередня, неявна та пряма адресація. Відмінність регістрової адресації від прямої. Схема обчислення 32-бітової лінійної адреси.
контрольная работа, добавлен 19.03.2010Типова схема однофазного керованого випрямляча. Розрахунок однофазного мостового керованого випрямляча. Визначення діапазону регулювання, згладжувального фільтра та елементів схеми випрямляча. Підсилювач-інвертор на операційному підсилювачі ДА2.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Аналіз стану розвитку аналогових твердотільних інтегральних схем для сенсорної техніки. Алгоритм дослідження впливу механічних компонентів конструкції сенсорних пристроїв на їх параметри. Розподіл світлового потоку між фотоелементами акселерометра.
автореферат, добавлен 22.06.2014- 36. Тиристори
Будова, види та принципи дії тиристорів - напівпровідникових приладів вентильного типу, які відкривається для пропускання електричного струму при досягненні певного порогового значення напруги. Використання тиристорів в електричному колі, їх захист.
реферат, добавлен 21.12.2020 Велика інформаційна ємність, що дозволяє здійснювати багатоканальний телефонний і телевізійний зв'язок - особливість діапазону надвисоких частот. Загальна схема поляризації діелектрика. Сутність рівнянь енергетичного балансу електромагнітного поля.
учебное пособие, добавлен 19.07.2017Дослідження фізичних процесів і явищ в активних середовищах на основі сполук груп А2, В6і, А3 та В5. Характеристика створення зразків лазерів з електронним накачуванням, засіб підвищення порогів оптичного руйнування для збільшення ресурсу роботи лазера.
автореферат, добавлен 29.09.2014Поняття та види тиску. Принцип дії рідинних і мембранних приладів. Характеристики і типи манометрів. Сильфоні сигнальні пристрої з годинниковим приводом. Застосування теплоелектричного вакуумметра. Конструкція мініатюрного давача тиску крові в судинах.
курсовая работа, добавлен 16.07.2017Розробка фізико-технологічних основ, аналітично-обчислювальних методик і експериментально-виробничих нанотехнологій для виготовлення напівпровідникових НВІС на нових багатокомпонентних матеріалах та створення нових інтегральних схем для їх експлуатації.
автореферат, добавлен 06.07.2014Характеристика технічних засобів і ліній зв’язку, що реалізують процес передачі радіомовлення та телемовлення. Передача мовних сигналів із застосуванням інтернет-технологій. Параметри цифрових та аналогових каналів. Підсилювачі приймачів сигналів.
контрольная работа, добавлен 07.12.2013Фотоелектричні пристрої широкого спектрального діапазону на основі селенідів індію та галію. Вплив високоенергетичного випромінювання на параметри фотодіодів та напівпровідники. Вплив лазерного випромінюванням на фотоелектричні параметри пристроїв.
автореферат, добавлен 28.09.2015Підвищення чутливості та точності, розширення діапазону робочих частот та можливостей радіометричної апаратури НВЧ-діапазону. Використання нових методів, засобів перетворення, виділення та вимірювання інформативних параметрів надзвичайно слабких сигналів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Підвищення коефіцієнта корисної дії, стабільності та розширення діапазону перебудови частоти електричних коливань генераторів на основі транзисторних структур. Дослідження стійкості роботи схем генераторів, визначення амплітуди і частоти коливань.
автореферат, добавлен 29.09.2014Розробка приладів для вимірювання температури та дослідження фізичних властивостей речовин. Аналіз процесу перетворення температури у частотний сигнал в напівпровідникових структурах. Використання піротранзистора в якості активного індуктивного елементу.
статья, добавлен 23.12.2018Фізичні основи растрової електронної мікроскопії. Джерела сигналів, що використовуються для формування зображення. Методи обробки відеосигналів. Приклади застосування растрової електронної мікроскопії. Особливості автоматизованої обробки зображень.
реферат, добавлен 11.06.2014Поняття внутрішніх джерел шумів підсилювача. Оцінка впливу дефектів напівпровідникових приладів і їх локалізації на характеристики ПП. Визначення фізичних шумових джерел. Індукційні джерела сигналів ІВС. Заходи корекції параметрів роботи підсилювача.
автореферат, добавлен 15.07.2014Створенню наближеної нелінійної теорії та інженерних методів розрахунку автофазних приладів НВЧ – нового класу електронно-вакуумних релятивістських приладів НВЧ, в основу яких покладене явище повного захоплення електронів полем електромагнітної хвилі.
автореферат, добавлен 06.07.2014Електрооптичні та фотовольтаїчні елементи мікроелектроніки на основі нанорозмірних плівок електропровідних полімерів поліортометоксианіліну. Термовакуумне напилення молекулярних напівпровідників. Фоточутливі гетероструктури та їх фізичні властивості.
автореферат, добавлен 25.09.2015Узагальнення характеристики шкал вимірювальних приладів. Сучасна техніка та метрологія. Розробка методики розрахунку параметрів та побудови універсальних шкал віртуальних приладів з урахуванням сучасних вимог та можливостей програмного забезпечення.
статья, добавлен 14.09.2016