Оптична спінова поляризація електронів у напівмагнітних напівпровідниках при домішковому поглинанні
Вплив типу і параметрів циркулярно-поляризованої падаючої світлової хвилі, що задовольняє умовам процесів довготривалої релаксації, домішкового поглинання, величині напруженості електричного поля, на спінову поляризацію в напівмагнітних напівпровідниках.
Подобные документы
Головні властивості електричного поля, його кількісне визначення та дія на електричні заряди. Напруженість електричного поля, принцип суперпозиції, силові лінії. Теорія електричних кіл, закони Кірхгофа, послідовне та паралельне з'єднання елементів кола.
реферат, добавлен 26.06.2010Дослідження електричного поля навколо термокомпенсаторів простішої конструкції. Методом скінченних елементів визначено, що фактором, який найбільше впливає на утворення коронного розряду на елементах ТК є діаметр термочутливих елементів круглого перерізу.
статья, добавлен 27.09.2024Розрахунок параметрів електричного навантаження ділянки, потужності трансформатора, вибір типу підстанції. Параметри кабелю, перевірка мережі. Вибір параметрів магнітних пускачів магнітної станції. Перевірка уставок струмів максимального токового захисту.
контрольная работа, добавлен 18.07.2011Вимірювання в області наднизьких температур часів спін–граткової і спін–спінової релаксації у двофазних кристалах твердих розчинів 3Не-4Не, які складаються з включень 3Не у матриці кристалічного 4Не. Механізми, які зумовлюють ядерну магнітну релаксацію.
автореферат, добавлен 24.06.2014Лазери з посилюючим середовищем на основі напівпровідників, де генерація відбувається за рахунок вимушеного випромінювання фотонів. Міжзонний оптичний перехід в напівпровідниках. Використання оптичного або електронно-променевого накачування лазера.
контрольная работа, добавлен 15.05.2014Що таке спектр поглинання, особливості його вигляду для різних речовин. Спектроскоп як прилад, який добре розділяє хвилі різної довжини, його будова та принцип дії. Метод спектрального аналізу, його використання в різних галузях науки й техніки.
доклад, добавлен 08.04.2009Визначення залежності питомого опору від стану речовини, температури, освітлення та домішок. Характеристика власної провідності напівпровідників. Сутність термо- та фоторезисторів. Тривалентні елементи періодичної системи, утворення ковалентного зв’язку.
презентация, добавлен 14.11.2013З’ясування механізмів затухання ленгмюрівських коливань великої амплітуди у плазмі без зіткнень. Розгляд особливості коливань електронів у різних геометричних системах. Перетинання електронних траєкторій у холодній плазмі. Процес турбулізації коливань.
автореферат, добавлен 12.02.2014Дослідження впливу метастабільних центрів в розчинах AlxGa1-xAs на явища переносу та резонансних рівнів домішкових станів у безщілинних напівпровідниках, зумовлюючих електронну кореляцію. Залишкова фотопровідність вище розташованих домішкових станів.
автореферат, добавлен 22.07.2014Посилення електромагнітного випромінювання в процесі розсіювання електрона на ядрі в полі світлової хвилі. Математичні властивості спеціальних функцій, характеристика багатофотонних процесів. Використання щільних нерелятивістських електронних пучків.
автореферат, добавлен 25.08.2014Розробка теорії варизонних напівпровідникових приладів з гетеропереходом. Вивчення ефектів міждолинного переносу і резонансного тунелювання електронів. Визначення параметрів енергетичного зазору між долинами. Підвищення граничної частоти генерації.
автореферат, добавлен 27.08.2015Загальні відомості про аксіально-симетричні електричні поля, їх характеристика. Рух параксіальних електронів в даному електричному полі та головні факти, що на нього впливають. Наближені методи визначення траєкторій електронів, умови їх використання.
контрольная работа, добавлен 10.05.2013Побудова профіля траси. Методика прогнозування зон покриття мереж радіозв’язку. Розрахунок та оцінювання напруженості поля за формулою ідеального радіозв’язку на основі статистичної моделі. Визначення профіля траси за допомогою цифрових карт місцевості.
курсовая работа, добавлен 14.06.2014Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Створення наукового інституту фізики під керівництвом доктора фізико-математичних наук Є. Кирилова. Вивчення оптичних властивостей галогенідо-срібних кристалів і фотографічних шарів. Електронні процеси в напівпровідниках, металах і діелектриках.
статья, добавлен 14.08.2016Дослідження властивостей двовимірного електронного газу в провідному каналі гетероструктури в наносекундному діапазоні. З’ясування природи квантово-розмірних ефектів, притаманних гарячим електронам. Вивчення кінетики провідного каналу гетероструктур.
автореферат, добавлен 12.07.2015Аналіз розподілу електричного поля типових моделей краю обкладки. Визначення чинників і ступеню їх впливу на характер розподілу поля. Дослідження механізму руйнування конденсаторної ізоляції в широкому діапазоні зміни робочих напруженостей поля.
автореферат, добавлен 11.11.2013Визначення основних закономiрностей впливу сурми на дефектнi стани некристалiчного селена. Дослiдження з допомогою методiв неiзотермiчної релаксацiї мiлких рiвнiв прилипання в псевдозабороненiй зонi некристалiчного селену і спектроскопiї глибоких станiв.
автореферат, добавлен 24.06.2014- 119. Відновлення макропараметрів сильнорозсіюючих об’єктів за спекл-полем із використанням опорної хвилі
Розробка методів діагностики макроформи та поляризаційної неоднорідності сильнорозсіюючих об’єктів за спекл-полем із використанням опорної хвилі. Оптимальне співвідношення інтенсивностей співвісно накладеної плоскої опорної хвилі та об’єктного поля.
автореферат, добавлен 29.07.2014 Вплив на провідність квантових контактів розсіювання електронів одиничними дефектами. Аналітичні залежності провідності від різних параметрів, що характеризують контакт. Експериментальні дані, формулювання умов спостереження ефектів, що передбачаються.
автореферат, добавлен 23.08.2014Обґрунтування актуальності досліджень напівпровідників в умовах сучасного розвитку фізики твердого тіла. Спектр можливостей, наданих кількісною теорією кінетичних ефектів для розуміння явища переносу в анізотропних діодах електропровідних речовин.
автореферат, добавлен 31.01.2014Поведінка хвильової функції акцепторного центру в кубічних напівпровідниках при малому відношенні мас легкої та важкої дірок. Генерація і детектування високочастотних акустичних фононів в напівпровідникових надгратках в умовах стрибкового транспорту.
автореферат, добавлен 24.06.2014З’ясування мікроскопічного механізму фазових перетворень. Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників, пов’язаної з виникненням квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях.
автореферат, добавлен 25.02.2015Розрахунок електростатичного поля системи заряджених тіл, поля півсферичного електрода, магнітного поля двопровідної лінії. Визначення сили взаємодії трьох проводів зі струмами, потенціальних коефіцієнтів, магнітної індукції, сили взаємодії проводів.
контрольная работа, добавлен 21.09.2017Ознайомлення з напівпровідниковими приладами, котрі застосовуються в різних галузях техніки. Аналіз вивчення напівпровідників у школі та розробка план-конспекту уроку на тему: "Електричний струм у напівпровідниках". Вивчення процесу дифузії зарядів.
курсовая работа, добавлен 08.11.2018