Вплив розмірних обмежень на нерівноважні процеси в фотоелектричних перетворювачах
Дослідження об’ємного часу життя в монокристалічному кремнії з врахуванням рекомбінації Шоклі-Ріда. Аналіз впливу концентрації надлишкових носіїв заряду та звуження забороненої зони на поверхневу рекомбінацію в кремнієвих фоточутливих структурах.
Подобные документы
Аналіз енергетичного спектру локалізованих станів носіїв заряду в аморфних плівках кремнійорганічних сполук методом фракційного термовисвічування. Вплив фотодеградації на енергетичний розподіл локалізованих станів аморфних плівок поліметилфенілсілану.
автореферат, добавлен 25.02.2014Побудова теорії дифузії в обмежених системах, виходячи з фундаментальних законів термодинаміки незворотних процесів. Дослідження впливу обмежень системи на дифузійні процеси. Моделювання наявності зворотних хімічних реакцій як міжмолекулярної взаємодії.
автореферат, добавлен 30.08.2014Представлення результатів дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Дослідження механізмів переносу заряду в тонкоплівкових діодах Шотткі.
автореферат, добавлен 02.08.2014Дослідження екситонних спектрів у квантово-розмірних структурах різного типу з урахуванням ефекту просторового обмеження, скінченності висоти потенціальних бар’єрів. Вплив зовнішнього оточення внаслідок його поляризації в області межі розділу середовищ.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014Визначення положень кристалохімічної і термодинамічної моделі парофазної епітаксії плівок халькогенідів свинцю. Аналіз експериментальних досліджень для з'ясування механізмів впливу атмосфери кисню на концентрації носіїв струму і дефектів у плівці.
автореферат, добавлен 15.07.2014Дослідження оптичних властивостей кремнієвих, германієвих, квантових точок та вуглецевих кластерів в SiO2-матриці, прихованих шарів SiO2, SiC, SixGe1-x в кремнії, що формувалися за допомогою іонної імплантації та наступного високотемпературного відпалу.
автореферат, добавлен 23.11.2013Аналіз електронно-польової емісії з кремнієвих структур типу Si-SiO2-d(Si)-SiO2 і Si-SiO2-d (Cs), вкритих плівками з дельта-легованим шаром. Емісійні властивості кремнієвих вістрійних емітерних матриць вкритих багатошаровими та алмазо-подібними плівками.
автореферат, добавлен 07.03.2014Дослідження формування домінуючих станів кисню, що утворюються в кремнії при одночасній дії радіації та високої температури. З’ясування впливу важких ізовалентних домішок олова і свинцю на ефективність формування індукованих станів кисню в кремнії.
автореферат, добавлен 29.09.2014Експериментальні дослідження впливу свинцю на структурні, електричні та рекомбінаційні параметри n-Si і термічне та радіаційне дефектоутворення в ньому. Вплив вуглецю на процеси утворення ТД-І, ТД-ІІ і розпад пересиченого твердого розчину кисню.
автореферат, добавлен 12.08.2014Спектри фотолюмінесценції виготовлених зразків залежно від температури та інтенсивності оптичного збудження. Механізми випромінювальної рекомбінації нерівноважних носіїв заряду, що відповідають за окремі смуги фотолюмінесценції нанокристалів CdS.
статья, добавлен 13.10.2016Дослідження непружного розсіяння світла флуктуаціями густини повного кутового моменту носіїв. Вивчення властивостей колективних збуджень вільних носіїв заряду. Виявлення впливу направленої деформації кристала на властивості плазмонів і розсіяння світла.
автореферат, добавлен 22.06.2014- 38. Електричні та фотоелектричні процеси в сонячних елементах та детекторах оптичного випромінювання
Механізм переносу заряду електричних та фотоелектричних процесів. Зміст основних експериментальних та теоретичних кривих при зворотних напругах. Характеристика математичних форм спектральних нерівностей. Аналіз досліджуваних поверхнево-бар’єрних діодів.
автореферат, добавлен 27.09.2014 Розвиток напівпровідникових квантово-розмірних лазерів. Феноменологічний аналіз надшвидкої динаміки напівпровідникових оптичних підсилювачів. Дослідження потенціального профілю й спектру власних станів багатошарових квантово-розмірних гетероструктур.
автореферат, добавлен 14.09.2015Кремнієві фотоперетворювачі на основі p-n переходу. Керування рекомбінаційними та транспортними ефектами на межі поділу за допомогою зовнішніх факторів. Вплив газової адсорбції та магнітного поля на процеси струмозбирання в структурах з гетеро шарами.
автореферат, добавлен 27.09.2014Вплив азоту та потужності розряду на оптичні властивості алмазоподібних вуглецевих плівок, отриманих методом плазмово-стимульованого осадження з газової фази. Вплив ультрафіолетового та гамма-опромінення на властивості кремнієвих сонячних елементів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Побудова модельних уявлень про особливості спектрів поглинання, фотогенерації та рекомбінації носіїв заряду в полімерних композитах на основі полімерів з мероціаніновими барвниками і інформаційних характеристик голографічних рееструючих середовищ.
автореферат, добавлен 27.12.2015Вивчення механізмів дефектоутворення в кристалічному і аморфному кремнії та зміна його фотоелектричних властивостей під впливом гамма-опромінення, іонної імплантації та гідрогенізації матеріалу. Коефіцієнти квазіхімічних реакцій моделей дефектоутворення.
автореферат, добавлен 25.02.2014Формування та електрична релаксація поляризованого стану в активних органічних діелектриках. Роль напівпровідників в процесах об’ємного заряду. Модель формування поляризації в напівкристалічних та аморфних плівках органічних активних діелектриків.
автореферат, добавлен 05.01.2014Дослідження (гальванічне та акустичне) процесів електрон-фононної взаємодії в системі з сильно-локалізованими носіями (проміжно-легований n-Ge) та в двовимірному електронному газі, де присутні процеси слабкої локалізації (дельта-легований GaAs:Si).
автореферат, добавлен 20.04.2014Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014Вивчення особливостей переносу заряду в квантових гетероструктурах на основі сполук А3В5 під дією освітлення, додаткового електричного потенціалу та наявності носіїв заряду обох знаків. Особливості побудови моделі електрично-індукованої надгратки.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження впливу зарядових і розмірних ефектів на енергетичні і транспортні характеристики низькорозмірних металевих структур. Принципи виникнення аномальної електрострикції. Модифікація теорії одноелектронного тунелювання крізь металеві квантові точки.
автореферат, добавлен 25.02.2015Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
автореферат, добавлен 28.10.2015Роль речовин, розташованих на поверхні кремнієвих кристалітів, у процесах збудження червоної смуги фотолюмінесценції (ФЛ). Вплив морфології пористих шарів на процеси збудження ФЛ. Хімічний склад пористих шарів та його впливу на процеси збудження.
автореферат, добавлен 23.11.2013