Измерение параметров полупроводников с помощью эффекта Холла
Основные методы измерения эффекта Холла, определение типа концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах. Параметры легирующей примеси по температурной зависимости. Особенности эффекта в классически сильных магнитных полях.
Подобные документы
Эффект Холла. Параметры и основные характеристики датчиков Холла, их изготовление и применение. Погрешности преобразователей, их динамические характеристики. Магниторезистивный эффект, метрологические характеристики, виды и применение магниторезисторов.
практическая работа, добавлен 17.02.2015Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Влияние напряжённости поперечного электрического поля затворов полевого датчика Холла. Ступенчатые скачки тока на вольт-амперной характеристике в режиме лавинного умножения носителя. Физические принципы схемотехнических способов измерения магнитных полей.
автореферат, добавлен 29.10.2018Влияние электрического поля на величину, вид магнитополевой зависимости магниторезистивного эффекта в арсениде галлия и германия Закономерности проявления размерного эффекта в низкотемпературном магнитотранспорте диамагнитных полупроводниковых пленок.
автореферат, добавлен 19.08.2018Наиболее перспективное применение экранного эффекта - при создании экранопланов. Исследование степени зависимости силы экранного эффекта от расстояния между крылом и экраном. Расчеты при помощи Ansys CFX профилей крыльев различной конфигурации.
статья, добавлен 22.03.2019Класс точности измерительного прибора - выраженное в процентах отношение предельной абсолютной погрешности к максимальному значению измеряемой величины. Специфические особенности возникновения эффекта Холла в электронном и дырочном полупроводниках.
учебное пособие, добавлен 15.09.2017Общая характеристика, методы получения и области применения графена. Теоретические и экспериментальные исследования его свойств. Отличия свойств материала от других двумерных структур. Исследование кристаллической решетки, проводимости и эффекта Холла.
контрольная работа, добавлен 27.06.2013Основные физические процессы в магнитогидродинамических генераторах. Анализ учета эффекта Холла. Особенность теории термоэлектрического преобразования. Сравнение Холловского и Фарадеевского распределителей. Современное состояние энергетических установок.
лекция, добавлен 10.06.2015Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017Основные подходы к созданию наноустройств. Особенности движения электрона в постоянном электрическом поле. Схема фотоприемника на квантовых ямах. Преимущества и недостатки квантовых точек. Характеристика квантового эффекта Холла. Понятие супермагнетизма.
лекция, добавлен 13.08.2013Включение измерительного резистора в цепь измеряемого тока. Датчики на основе трансформатора тока. Сравнительные характеристики методов измерения тока. Эффект Холла и его сущность. Схематическое изображение принципа работы датчика Холла замкнутого типа.
реферат, добавлен 29.10.2016Рассмотрение метода анализа статических и динамических характеристик структур на основе карбида кремния. Вычисление подвижности основных носителей заряда в широком диапазоне температур и уровней легирования в многослойных полупроводниковых материалах.
статья, добавлен 09.03.2015Определение типа и концентрации примеси, носителей заряда в базе. Условие электрической нейтральности для областей эмиттера, базы и для всей системы в состоянии равновесия. Пояснение принципа полевого управления током в полупроводниковой структуре.
контрольная работа, добавлен 07.06.2016- 40. Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твёрдых растворов методами фото- и электроотражения
Измерение оптических спектров фотоотражения InP, GaAs и влияния концентрации свободных носителей заряда на их форму. Разработка неразрушающих методов определения концентрации свободных носителей заряда, напряжённости встроенного электрического поля.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Изучение физических основ эффекта Комптона, его теоретическое описание и экспериментальное подтверждение. Соответствие экспериментальных данных с теорией. Специальные вопросы экспериментальной методики и теоретической интерпретации эффекта Комптона.
курсовая работа, добавлен 21.03.2016Рассмотрение принципов создания сверхрешеток. Образование квантовых столбиков, точек и ям. Получение квантового эффекта Холла. Примеры использования в приборах. Исследование коллоидных растворов. Явления одноэлектроники, спинтроники и супермагнетизма.
презентация, добавлен 12.08.2015Разложение нитевидных кристаллов азида серебра в магнитном поле в диапазоне напряженностей от 0.5 Э до 6 кЭ. Использование магнитоэлектрического эффекта для объяснения их разложения. Обсуждение природы магнитоэлектрического эффекта в данных материалах.
статья, добавлен 03.12.2018Рассмотрение квантового эффекта Холла. Зонная диаграмма гетероструктуры GaAs-AlGaAs. Зависимость холловского сопротивления и сопротивления от напряжения на затворе. Описание энергетического спектра электронов в постоянном однородном магнитном поле.
реферат, добавлен 12.09.2015Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
лабораторная работа, добавлен 19.12.2015Изучение закономерностей движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях. определение скорости и удельного заряда электрона. Электрическая составляющая силы Лоренца. Методика определения резонансных кривых и измерение параметров контура.
методичка, добавлен 17.05.2024Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Технические особенности измерения температуры газа как части задачи термокоррекции. Рассмотрение вопросов температурной коррекции объема его потребления. Анализ экономического эффекта для конечного потребителя. Методика косвенного измерения температуры.
статья, добавлен 30.07.2017Изучение прохождения электрического тока через газовую среду. Закономерности развития разряда в неоднородных полях. Сущность барьерного эффекта. Конструкция и виды высоковольтных изоляторов. Методы измерения высоких напряжений. Схема омического делителя.
контрольная работа, добавлен 01.11.2020Сила Лоренца и ее действие на заряженную частицу. Объяснение эффекта Холла с точки зрения классической электронной теории металлов и область его применения. Поток вектора магнитной индукции. Работа по перемещению проводника с током в магнитном поле.
реферат, добавлен 30.09.2015