Вхідні імпедансні характеристики двобар’єрних структур
Знайомство з вхідними імпедансними характеристиками двобар’єрних структур. Розгляд головних способів встановлення імпедансних умов резонансного проходження для двобар’єрної структури, розміщеної між хвильовими середовищами з різними імпедансами.
Подобные документы
Расчет нормированных и ненормированных величин АЧХ фильтра. Разновидности фильтров нижних частот: с характеристиками затухания (Баттерворта), с равноволновыми характеристиками затухания (фильтры Чебышева), со всплесками затухания (фильтры Золотарёва).
реферат, добавлен 03.02.2010Аналіз способів зниження радіолокаційної помітності об’єктів та можливостей їх застосування до наземних та повітряних об’єктів. Розгляд методів пасивної та активної компенсації радіохвиль. Використання інтерференційних покриттів до наземних об’єктів.
статья, добавлен 27.07.2016Функциональная структура систем автоматического контроля, управления и регулирования. Системотехнический анализ структур автоматизированных технологических комплексов. Промышленные микропроцессорные контроллеры. Цифровые интерфейсы, используемые в АСУ.
курс лекций, добавлен 05.11.2012- 104. Интегральные схемы
Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016 Аналіз референтної структури хмарних обчислень, яка зв’язує сервісні моделі, моделі розгортання, характеристики технології. Ролі, функції та відношення з іншими суб’єктами. Типові сценарії взаємодії в рамках хмарних відношень, їх переваги та недоліки.
статья, добавлен 25.12.2016Функции и состав коммуникативных структур. Виды коммуникаций: организационные, межличностные, неформальные, вертикальные и пр. Понятие коммуникационного процесса, его элементы. Коммуникативная составляющая общения, шкалы предпочтений собеседников.
реферат, добавлен 09.05.2015Изучение полного комплекта технического и программного обеспечения MPS 516-FMS систем. Распределение на уровни выбранного технологического процесса - станции обработки. Использование индуктивных датчиков и логических контроллеров для решения задач АСУ.
контрольная работа, добавлен 28.01.2015Характеристики когерентного електромагнітного поля та фізичних явищ для формування структури оптичного обчислювального засобу. Розробка акустично-оптичного пристрою, технічні характеристики волоконних світловодів як ліній комунікації оптичної інформації.
автореферат, добавлен 06.07.2014Нові методи класифікації гідрометеорологічних утворень за поляризаційними характеристиками відбитих сигналів у реальному масштабі часу. Рекомендації з побудови бортових метеонавігаційних комплексів виявлення небезпечних гідрометеорологічних утворень.
автореферат, добавлен 29.10.2013Сенсоры, формирующие парциальное изображение. Параметры рентгенографических, маммографических и рентгеноскопических приемников. Изучение свойств многосенсорных структур, обоснование вариантов их реализации и поиск путей подавления помех в приемниках.
статья, добавлен 27.02.2016Необходимость создания и интенсивного развития современных информационных и коммуникационных технологий (ИКТ) в Узбекистане. Анализ внедрения ИКТ в работу правительства, економический структур, образования. Использование ИКТ населением республики.
курсовая работа, добавлен 14.08.2008Аналіз кількісного показника неузгодженості чутливості штучної нейронної мережі з вхідними даними. Особливість розробки методу параметричного синтезу активаційної функції нейрону. Розв'язання практичних задач інтелектуального розгляду показників.
автореферат, добавлен 26.08.2015Понятие криоэлектроники, которая изучает особенности поведения радиоэлектронных компонентов и материалов при очень низких температурах. Перспективы применения структур на основе контактов сверхпроводников с полупроводниками в криогенной микроэлектронике.
реферат, добавлен 29.09.2012Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014Исследование возможностей использования резонансных нерегулярных СВЧ-структур, возбуждаемых на высших типах колебаний, для формирования ионизирующих СВЧ полей в безэлектродных серных лампах. Резонаторная структура с закруглением усеченной части.
статья, добавлен 19.06.2018Параметры многоэлементных фотодиодов. Преобразование двухмерной оптической информации от изображения в одномерную временную последовательность электрических сигналов. Управление работой регистров. Получение линеаризованной фотоэлектрической модели.
статья, добавлен 07.04.2015Построение статической характеристики устройств системы управления. Определение на графиках рабочей точки и угла между статическими характеристиками. Расчет динамического коэффициента регулирования. Выбор передаточных функций. Построение годографа.
курсовая работа, добавлен 21.03.2012- 118. Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
контрольная работа, добавлен 17.10.2013 Изучение основных структур ИМС АЦП и их характеристик. Комплексный контроль статических и динамических параметров. Применение аналого-цифровых преобразователей в различных областях современной науки и техники. Методы контроля интегральных микросхем АЦП.
курсовая работа, добавлен 29.10.2013Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Визначення головних вимог до інформації, збирання інформації, висування гіпотез і прийняття припущень; встановлення основного змісту моделі, визначення параметрів, змінних і критеріїв ефективності, опис концептуальної моделі й перевірка її вірогідності.
статья, добавлен 02.10.2024Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Анализ структур радиоприемников. Выбор промежуточной частоты, числа диапазонов и их границ. Определение эквивалентной добротности и числа контуров тракта радиочастоты. Расчёт допустимого коэффициента шума приемника, автоматической регулировки усиления.
курсовая работа, добавлен 27.11.2013Создание усилителя в бескорпусном однокристальном исполнении, обеспечение минимизации дифференциального коэффициента шума в полосе рабочих частот. Анализ топологического сборочного чертежа. Схема технологического процесса с профилем создаваемых структур.
контрольная работа, добавлен 15.09.2014- 125. Топологія мереж
Загальна класифікація топологічних структур мереж: шинна, радіальна, кільцева, петлева, деревовидна, повнозв’язна. Фізична структура, середовище передачі, компоненти топологій. Адаптери і підсилювачі; способи доступу і управління; область застосування.
курсовая работа, добавлен 27.06.2015