Напівпровідники і їх використання
Двохелектродна лампа як напівпровідниковий пристрій з двома електродами, що поміщені у вакуумний балон. Характеристика властивостей напівпровідникових приладів. Розгляд елементів фоторезистора. Знайомство з принципом роботи напівпровідникового діоду.
Подобные документы
Дослідження еволюції дислокаційної структури кристалів в залежності від способів її введення. Вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури і розсіяння рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 29.01.2016Розробка теоретичних положень синтезу схем напівпровідникових вентильних перетворювачів із заданими властивостями на основі головної топологічної матриці. Основні топологічні закономірності структурного синтезу поліпшених схем перетворювальних пристроїв.
автореферат, добавлен 15.11.2013Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Дослідження впливу дії високоенергетичних електронів на електрофізичні параметри мікрокристалів арсеніду індію. Математичне моделювання фізико-хімічних процесів легування напівпровідникових мікрокристалів в процесі їх вирощування донорною домішкою оловом.
автореферат, добавлен 26.07.2014Запропоновано новий фізичний підхід оптимізації технології одержання напівпровідникових широкозонних шарів для плівкових фотоелектрично активних гетеросистем. Показано, що процес осадження шарів ZnO:Al не повинен викликати міжфазну та дифузійну взаємодію.
автореферат, добавлен 06.07.2014Принцип дії приладів магнітоелектричної системи - дія магнітного поля постійного магніту на рухому котушку, по якій протікає струм. Будова та принципи робити приладу електромагнітної системи. Функціональні особливості та можливості теплових приладів.
реферат, добавлен 12.12.2013Визначення розподілення електростатичного потенціалу за умови, що між електродами існує різниця потенціалів U0. Розв’язок рівняння Лапласа. Визначення коефіцієнтів ряду Фур’є. Особливості застосування методу Треффтца та методу Рітца та Гальоркіна.
статья, добавлен 19.06.2018Описание самых ярких представителей искусственных источников света. Компактная, энергосберегающая люминесцентная лампа. Сравнительный анализ уровня экономии энергии и световой отдачи. Характеристика требований современного мира к энергосбережению.
курсовая работа, добавлен 22.02.2016Розробка структурної схеми системи живлення низьковольтних кіл з вузлом керування на сучасній базі. Аналіз схемних рішень для розробки вузлів керування напругою з урахуванням перехідних процесів. Основи вибору типів силових напівпровідникових ключів.
автореферат, добавлен 17.07.2015Теоретичне вивчення властивостей хвилеводу з шарувато-періодичними стінками. Дослідження модового складу хвилеводу, створеного проміжком між двома діелектричними структурами. Розгляд задачі про генерацію другої гармоніки в нелінійному хвилеведучому шарі.
автореферат, добавлен 27.09.2014Розробка нових акусто-оптичних методик дослідження об’ємних монокристалів та сучасних низькорозмірних структур - напівпровідникових гетеропереходів, квантових ям та мікрокристалітів. Спостереження нових порогових акусто-оптичних ефектів у твердих тілах.
автореферат, добавлен 23.11.2013Характеристика загальних властивостей хвильових функцій і спектра обмеженого ланцюжка потенціальних ям, який імітує напівпровідникові гетероструктури. Встановлення форми кривої дисперсійного закону в залежності від зовнішнього електричного поля.
автореферат, добавлен 29.04.2014Математичне моделювання як один із методів аналізу режимів роботи електричних систем. Загальна характеристика схеми заміщення і параметрів елементів електричних систем. Розгляд основних особливостей двообмоткового трансформатора, основне призначення.
контрольная работа, добавлен 27.07.2013Розгляд тріщини між двома п’єзоелектричними півплощинами, береги якої завантажені нормальними та дотичними напруженнями, що забезпечують розкриття тріщини. Припущення рівномірного розподілення напруження по відрізках, що примикають до вершин тріщини.
статья, добавлен 29.11.2016Методи покращення експлуатаційних характеристик напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням. Дослідження процесів деградації лазерів даного типу. Розробка експериментальних зразків лазерів та технології виготовлення багатоелементних мішеней.
автореферат, добавлен 14.10.2015Фактори, які впливають на структуру та основні фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, отриманих реактивним магнетронним розпиленням. Застосування плівок в якості дифузійних бар’єрів в системах металізації до напівпровідникових сполук.
автореферат, добавлен 27.08.2014Аналіз дії динамічних сил на міцність елементів конструкцій залежно від частоти навантаження. Використання інтегральних рівнянь, механічних квадратур, функції комплексної змінної. Розрахунок напруження на границі колінеарних розрізів залежно від відстані.
статья, добавлен 30.01.2017Аналіз різноманітних властивостей вагових функцій у інтегралах від випадкових полів, які фігурують у тауберових і граничних теоремах. Характеристика кореляційних функцій Пойа. Знайомство з типами асимптотичної поведінки і кореляційних властивостей.
автореферат, добавлен 27.07.2015Дослідження морфологічної та електронної структури опромінених напівпровідникових матеріалів із самоорганізованими точковими дефектами. Аналіз самоузгодженого електрон-деформаційного потенціалу, моделювання нелінійних деформаційно-дифузійних ефектів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Дослідження ефектів, що виникають в напівпровідникових структурах при протіканні струмів екстремальна великої густини. Характеристика дослідження механічного руйнування через невідповідність коефіцієнтів теплового розширення плівки і підкладинків.
автореферат, добавлен 12.02.2014Термодинамічний аналіз термічного і фототермічного окислення сполук АIIBVI. Вивчення фізичних властивостей оксидних шарів. Дослідження оптичних, механічних та електрооптичних властивостей монокристалів. Обґрунтування напрямків фазового синхронізму.
автореферат, добавлен 22.06.2014Встановлення основних закономірностей впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники та границі розділу на їх основі. Вивчення можливості управління дефектною структурою та цілеспрямованої модифікації властивостей цих напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.06.2014Моделі процесу формування потоку рентгенівського випромінювання з урахуванням конструктивних параметрів та електричних режимів роботи рентгенівської трубки. Параметри перспективних передавальних електронно-променевих приладів та рентгеноскопічних систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка і дослідження способів побудови інтегральних силових модулів, адаптованих до різних умов застосування, зміни параметрів зовнішніх ланцюгів і частоти комутації. Створення імпульсних напівпровідникових перетворювачів малої та середньої потужності.
автореферат, добавлен 22.06.2014- 100. Динамічна модель фізичних процесів у польових транзисторах із затвором Шоттки субмікронних розмірів
Дослідження фізичних процесів, що відбуваються в напівпровідникових структурах субмікронних розмірів, розроблення математичної моделі, що включає чисельний розв'язок частинок рівняння Больцмана, Пуассона та теплопровідності з граничними умовами.
автореферат, добавлен 06.07.2014