Исследование процессов инжекционной модификации в структурах металл-диэлектрик-полупроводник и приборах на их основе
Особенности применения сильнополевой туннельной инжекции носителей в исследованиях структур металл-диэлектрик-полупроводник и технологиях их получения. Проведение исследования процессов генерации положительного заряда при инжекционной модификации.
Подобные документы
Исследование и анализ новых состояний, сочетающих сверхпроводимость и неоднородный магнетизм в рамках модели ферромагнитный диэлектрик–сверхпроводник. Определение и характеристика возможности применения наноструктур в качестве логических элементов.
автореферат, добавлен 28.03.2018Рассмотрена теория возникновения поверхностных плазмонов на границах раздела воздух-металл-диэлектрик под воздействием падающего светового излучения видимого спектра. Показана возможность усиления ближнего электромагнитного поля плазмонным резонансом.
статья, добавлен 29.01.2019Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Определение понятия полупроводников – кристаллов, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью диэлектриков и проводников. Ознакомление с принципом действия биполярных транзисторов. Анализ физических основ работы полевого транзистора.
шпаргалка, добавлен 10.02.2017Разработка методов расчета, конструкций камер лучевого типа СВЧ электротехнологических установок, предназначенных для тепловой и нетепловой модификации диэлектриков. Система технических решений, повышающих энергетическую эффективность камер лучевого типа.
автореферат, добавлен 14.04.2018Полупроводники как особый класс кристаллов со многими физическими свойствами, отличающими их как от металлов, так и от диэлектриков. Принципы функционирования электрического тока в них. Полупроводниковые приборы: типы, принципы действия, назначение.
реферат, добавлен 07.05.2014- 32. Моделирование процессов получения композиционных материалов на основе плазмоактивированных волокон
Результаты исследования получения композиционных материалов в результате модификации в потоке ВЧЕ-разряда. Влияние обработки волокон или ткани на прочность соединения с матрицей, что позволяет получать сверхлегкие высокопрочные композиционные материалы.
статья, добавлен 16.03.2021 Комплексное исследование электропроводности перовскитовых манганитов на основании модели электропроводности с переменной длиной прыжка, разработанной для сильнолегированных полупроводников. Вычисление микроскопических параметров носителей заряда.
автореферат, добавлен 27.03.2018Ионно-лучевой метод получения композиционных и многослойных пленок. Основные методики измерения температурных зависимостей электрического сопротивления, кривых намагниченности и комплексной магнитной проницаемости гетерогенных тонкопленочных образцов.
автореферат, добавлен 16.02.2018Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость, факторы, влияющие на нее. Инвертирующий усилитель: схема, принцип работы, коэффициент усиления, условия и факторы эффективного применения.
контрольная работа, добавлен 11.03.2015Виды пробоя диэлектриков, механизмы их протекания. Основные характеристики диэлектрических жидкостей. Область контакта двух полупроводников с различным типом проводимости, а также полупроводника и металла. Точечные и планарные полупроводниковые диоды.
контрольная работа, добавлен 31.01.2022Расчет электропроводности металлов на основе квантовой теории. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Сущность электронно-дырочного перехода как граница соприкосновения двух полупроводников. Термоэлектрические явления по зонной теории.
дипломная работа, добавлен 14.08.2018Получение электролюминесцентных структур на основе пористого кремния электролитически с использованием внутреннего источника тока. Определение инжекции дырок режимом их аккумуляции в области пространственного заряда концентрацией электронных состояний.
научная работа, добавлен 12.01.2012Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Полупроводники как вещества, занимающие по величине удельной электрической проводимости промежуточное положение между металлами и диэлектриками: знакомство с видами, общая характеристика структуры. Анализ схемы энергетических состояний электронов.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Анализ металл-диэлектрических структур при углах падения света больше критического. Расчет зависимостей коэффициента отражения многослойных структур, объединяющих схемы Отто и Кречмана, с различным расположением металлических и диэлектрических пленок.
статья, добавлен 30.11.2018Влияние на фотоэлектрические свойства пленок медного фталоцианина модификации формы молекул периферийными и аксиальными заместителями. Критическая толщина, выше которой кристаллическая подложка не оказывает ориентирующего воздействия на молекулы пленки.
автореферат, добавлен 31.07.2018- 43. Диэлектрики
Определение концентрации носителей заряда в диэлектриках - веществах, не проводящих электрический ток. Влияние температуры, давления и напряженности поля на активные диэлектрики. Свойства электретов и жидких кристаллов. Материалы твердотельных лазеров.
реферат, добавлен 21.07.2013 Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. Рассмотрение двух тел, находящихся в состоянии адгезии вдоль поверхности адгезионного шва. Попытка оценки истинной площади контакта этих двух тел на основании представлений механики сплошных сред.
статья, добавлен 16.07.2018Экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов автоэмиссии в нанозеренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Модельная схема электронных процессов. Электронный спектр исследуемых структур.
статья, добавлен 18.09.2018Основные методы измерения эффекта Холла, определение типа концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах. Параметры легирующей примеси по температурной зависимости. Особенности эффекта в классически сильных магнитных полях.
лабораторная работа, добавлен 29.11.2010Исследование нелинейных процессов, возникающих при возбуждении электромагнитных колебаний электронным пучком в резонансных приборах типа оротрон – генератор дифракционного излучения. Частотные характеристики типичных режимов возбуждения колебаний.
статья, добавлен 29.09.2016- 48. Исследование локальной атомной и электронной структуры наностержней AlN: Fe методами XANES и DFT
Наноструктурированный AlN – полупроводник с широкой энергетической щелью. Объяснение происхождения ферромагнетизма в легированном атомами Fe полупроводнике. Экспериментальное значение Фурье-трансформанты. Анализ зарядовых состояний атомов по Бейдеру.
статья, добавлен 30.05.2017 Рассмотрение способов генерации управляемых фотонных пар в световодах с активно формируемой дисперсией для получения однофотонного состояния света. Изучение процессов спонтанного параметрического рассеяния или спонтанного четырехволнового смешения.
статья, добавлен 29.07.2017Общая характеристика полупроводников, их строения и принципа действия. Определение понятий диффузионного и дрейфового токов. Построение соотношения Эйнштейна. Определение диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда с разными вариантами проводимости.
реферат, добавлен 05.11.2017