Экспериментальное исследование и моделирование параметров диодов на основе перовскитного фотопроводника
Электрические характеристики перовскитных диодиов. Использования перовскитов в качестве материалов для фотоприемников. Фотодиоды на основе гибридных материалов. Вольтамперная характеристика и импульсная реакция фотопроводника. Программное обеспечение.
Подобные документы
Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Вольтамперная характеристика и параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Классификация и маркировка транзисторов.
книга, добавлен 19.10.2013Разработка гибридных сенсорных систем с высокими метрологическими параметрами, в основе которых находятся полимерные сенсорные материалы (структуры). Сущность основных этапов моделирования процесса самосборки электропроводящих полимерных материалов.
статья, добавлен 29.05.2017- 3. Интегральные сенсоры угловых скоростей и линейных ускорений LR-типа на основе углеродных нанотрубок
Технологии формирования наноструктурированных материалов и гибридных сенсорных систем на основе углеродных нанотрубок. Результаты моделирования наномеханического сенсора LR-типа в зависимости от изменений внешних воздействий с перекрытием по времени.
статья, добавлен 29.05.2017 Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017Классификация полупроводниковых диодов по функциональному назначению: выпрямительные и специальные. Вольтамперная характеристика, основные параметры и допустимые режимы использования диодов, понятие пробоя тока. Свойства германиевых и кремниевых приборов.
реферат, добавлен 27.12.2010Свойства диэлектриков; определение относительной диэлектрической проницаемости материалов. Измерение коэффициента термического расширения электровакуумных стёкол. Электрические свойства проводниковых материалов. Исследование параметров сегнетоэлектриков.
лабораторная работа, добавлен 25.09.2017Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
книга, добавлен 19.03.2015Обзор информативных параметров ЭП. Способы измерения состава и структуры материалов. Термоэлектрическая обработка информации. Исследование конструктивных параметров преобразователя. Принцип действия трибоэлектрических и электростатических приборов.
реферат, добавлен 07.11.2013Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Серийные сверхвысокочастотные детекторы отечественных и зарубежных производителей. Электрические параметры широкополосных и узкополосных детекторов. Технические характеристики волноводных детекторов для волноводов, детекторы на основе диодов Шоттки.
статья, добавлен 29.07.2017Электрохимические суперконденсаторы, основные свойства. Емкостная деионизация водных растовров: концептуальные подходы. Моделирование на основе переноса заряда между электродами. Электрохимические реакции и процессы на границе углерод/электролит.
диссертация, добавлен 02.09.2018Способность преобразовывать солнечный свет в электрический ток. Солнечные элементы на основе гибридных органо-неорганических перовскитов. Получение слоя гибридного органо-неорганического перовскита с помощью сканирующего электронного микроскопа.
статья, добавлен 03.12.2018Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022- 14. Оценка частоты гармонических сигналов на основе анализа амплитудно-частотной характеристики процесса
Оценки параметров входных сигналов. Характеристики дискретного преобразования Фурье. Иллюстрация параметров, связанных с эффектом просачивания. Алгоритм обнаружения гармонических составляющих. Сравнение спектральных окон, имитационное моделирование.
статья, добавлен 30.09.2012 Аппроксимация передаточной характеристики нелинейного элемента. Имитационное моделирование функционирования SDR-радиостанций. Методика определения параметров модели нелинейного элемента. Спектр двухтонового сигнала на выходе реального усилитель мощности.
статья, добавлен 02.04.2019Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016Фильтры метода наименьших квадратов. Импульсная и частотная характеристики фильтра. Расчет простого цифрового фильтра по частотной характеристике. Импульсная реакция фильтра. Частотное представление передаточных функций. Методика выбора окна фильтра.
реферат, добавлен 06.03.2014Рассмотрение основных видов материалов радиоэлектронных средств: конструкционных, проводниковых, контактных, магнитных, диэлектрических, их свойств и области применения. Определение особенностей материалов на основе термореактивных синтетических смол.
курс лекций, добавлен 31.12.2015Оксид цинка - прямозонный полупроводником, обладающий большими потенциальными возможностями применения в качестве материала для фотоприемников, светодиодов, прозрачных контактов, элементов солнечных ячеек и других элементов для тонкопленочной электроники.
статья, добавлен 30.05.2017Оптимизация фильтра с полосой 4-8 ГГц с заданными параметрами заграждения и пропускания, построенного на встречных стержнях с резонаторами. Его схемотехническая модель. Экспериментальное исследование амплитудно-частотной характеристики устройства.
статья, добавлен 30.07.2017Применение полупроводниковых гетероструктур в телекоммуникациях, основанных на лазерах с двойной гетероструктурой, малошумящих транзисторах. Изучение деградации излучающих свойств материалов на основе InGaN с помощью прецизионных измерений потока света.
реферат, добавлен 03.06.2014Основные характеристики и область применение датчиков температуры. Основные типы полупроводниковых датчиков температуры. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Численное моделирование радиопоглощающих материалов, использующихся в современных безэховых камерах. Понижение уровня отражения дифракционных лепестков. Зависимость толщины согласующего слоя от частоты, на которой наблюдается оптимальное согласование.
статья, добавлен 06.11.2018Расчет, моделирование и экспериментальное исследование фильтра на встречных стержнях диапазона 2–4 ГГц. Потери в полосе пропускания. Заграждение на второй гармонике. Амплитудно-частотная характеристика трактового фильтра в дальней и в ближней зоне.
статья, добавлен 29.07.2017Возможность использования импульсного метода для обнаружения в грунте противопехотных и противотанковых мин. Исследование параметров сигналов подповерхностного радиолокатора на основе беспилотного летательного аппарата при импульсном методе зондирования.
статья, добавлен 02.04.2019