Основные понятия прикладной электроники
Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
Подобные документы
Физика работы транзистора. Параметры биполярного транзистора. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области. Метод тройной диффузии. Параметры диффузионных процессов. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012Выработка электроэнергии и ее передача к потребителю. Энергия солнца и ветра. Уменьшение потерь на транспортировку. Отопление электричеством и использование электросаун. Батарейка как источник энергии. Аккумуляторное хранение. Использование ветряных ферм.
презентация, добавлен 24.05.2014Выбор функциональной схемы электронного блока. Основание выбора элементарной базы замкнутой САУ с токовым контуром. Выбор транзисторов и диодов. Драйверы силовых транзисторов. Расчет тепловых потерь мощного ключа. Задатчик на базе терморезисторов.
курсовая работа, добавлен 24.12.2018Ознакомление с принципами устройства полупроводниковой электроники. Классификация и особенности применения аналоговых, импульсных и цифровых устройств. Специфика технологических этапов проектирования радиоэлектронных средств коммуникации и связи.
учебное пособие, добавлен 17.12.2013Структура рынка электронных систем и оборудования в России. Сравнительные характеристики отечественного процессора E2k и Merced ("Intel"). Сущность суперинжекции. Применение метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Идеология одноэлектронного элемента.
презентация, добавлен 24.05.2014Собственные и примесные полупроводники, их сравнительное описание и функциональные особенности. Статистика носителей заряда в полупроводниках. Полимеры: классификация, структура, свойства, применение. Низкокоэрцитивные сплавы для слабых магнитных полей.
контрольная работа, добавлен 09.10.2013- 107. Диод
Рассмотрение основных свойств диодов. Направления использования германиевых, кремниевых диодов, диодов из арсенида галлия и фосфида индия. Основные электрические параметры, характеризующие диоды. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.
презентация, добавлен 06.05.2019 - 108. Электронные приборы
Основы физики полупроводников. Классификация диодов, биполярных транзисторов. Структура и принцип действия тиристоров. Полупроводниковые приборы с зарядной связью. Приборы на квантово-размерных эффектах. Электролюминесцентные и пленочные излучатели.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015 Преимущества и недостатки полевых транзисторов по сравнению с биполярными транзисторами. Большая собственная температурная стабильность режимов покоя. Графический анализ работы усилительных каскадов на полевых транзисторах. Смещение рабочей точки каскада.
презентация, добавлен 23.09.2016Приборы учета электроэнергии у потребителей. Классификация однофазных и трехфазных счетчиков. Типы устройств косвенного включения. Класс точности, условное обозначение, номинальное напряжение и ток счетчика. Чувствительность и емкость счетного механизма.
презентация, добавлен 08.10.2017Требования к уровню профессиональной обученности современного связиста. Ознакомление с перечнем знаний, необходимых при эксплуатации средств военной коммутации. Историческое значение электротехнических изобретений для развития научного прогресса.
лекция, добавлен 26.04.2014Нанокристаллические магнитные сплавы и их свойства в сравнении с ферритами и пермаллоями. Принципы создания аморфных материалов на сверхмелкокристаллических структурах. Варианты реализации дросселей и трансформаторов, созданных для силовой электроники.
статья, добавлен 09.06.2018Обзор функциональных возможностей носимой электроники - встроенных микродисплеев, видеокамер, персональной связи, интегрированных устройств ввода данных и управления. Smart fabrics - "умная" ткань или одежда. Формирование проводных соединений в одежде.
реферат, добавлен 23.01.2011Использование квантовой электроники в клинической медицине. Основные преимущества, стимулирующие применение лазеров. Структурная, функциональная схема и принцип действия медицинской установки "Импульс-1". Основные параметры и характеристики прибора.
реферат, добавлен 28.10.2010- 115. Транзисторы
Классификация, схемы включения и характеристики транзисторов. Рассмотрение показателей, характеризирующих схемы включения транзистора. Физические принципы работы биполярного транзистора. Оценка энергетической эффективности ключевого режима транзисторов.
реферат, добавлен 27.06.2015 История развития сотовой связи, принципы функционирования данных систем. Системы подвижной радиосвязи в России. Система стандарта GSM: общие характеристики и свойства. Функциональные возможности телефонов: технология доступа WAP, SMS, дисплеи сотовых.
курсовая работа, добавлен 23.04.2011Понятие нанотехнологий, их задачи и области применения. Преемственность этапов развития электроники, взаимосвязь микро- и наноэлектроники. Закон Мура, согласно которому растет плотность компонентов электронных схем. Виды нанопроводов и их использование.
курсовая работа, добавлен 15.09.2013Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.
реферат, добавлен 21.07.2013Разработка фильтра аналогового сигнала. Характеристика требований, предъявляемых к фильтрам силовой и информативной электроники. Классификация фильтров по виду их амплитудно-частотных характеристик и передаточным функциям. Анализ силового трансформатора.
курсовая работа, добавлен 10.11.2017- 120. Пробой p-n перехода
Влияние температуры на прямую и обратную ветвь диода. Классификация диодов по их назначению. Основные параметры выпрямительных, импульсных диодов. Электрический и туннельный пробой. Время установления прямого напряжения на диоде (прямого сопротивления).
лекция, добавлен 06.09.2017 Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.
лабораторная работа, добавлен 28.06.2015Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.
курсовая работа, добавлен 11.01.2016Разработка, расчет и построение принципиальной схемы усилителя, амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Расчет АЧХ на нижних и верхних частотах. Разработка топологии интегральной микросхемы усилителя. Расчет резисторов, конденсаторов, транзисторов.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017- 125. Электронная техника
Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017