Изучение зонной энергетической структуры через собственное или фундаментальное поглощение света в полупроводниках. Построение зависимости сопротивления от температуры для металла и полупроводника
Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
Подобные документы
Принцип работы прибора неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводников. Принципы построения генератора управляемого напряжением. Выбор и разработка квадратичного детектора. Методика измерения удельного сопротивления кристалла кремния.
дипломная работа, добавлен 30.05.2014Комплексное исследование электропроводности перовскитовых манганитов на основании модели электропроводности с переменной длиной прыжка, разработанной для сильнолегированных полупроводников. Вычисление микроскопических параметров носителей заряда.
автореферат, добавлен 27.03.2018Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.
презентация, добавлен 05.10.2015Исследование соотношения скорость волны в вакууме и веществе. Определение наименьшего значения преломляющего угла призмы. Изучение понятия дисперсия. Построение графика зависимости показателя преломления от длины волны. Вычисление погрешности измерения.
лабораторная работа, добавлен 13.12.2016Исследование теплового излучения объемных оптически прозрачных твердых тел. Способы подвода энергии к источнику света. Измерение спектрального распределения излучения абсолютно черного тела. Изучение зависимости излучательной способности от температуры.
статья, добавлен 27.04.2017Понятие фонона. Формулировка законов Дюлонга-Пти и Дебая. Изменение температуры воды от времени для разных металлов. Расчет теплоемкости металлов. Оценка косвенной и прямой погрешности измерения. Построение графиков зависимости калориметра от времени.
лабораторная работа, добавлен 23.11.2021Полупроводники как вещества с электронной электропроводностью, удельные сопротивления которых при нормальной температуре занимают промежное расположение среди металлов. Анализ особенностей влияния внешних факторов на электропроводность полупроводников.
статья, добавлен 05.05.2022Электрический ток - перенос электрических зарядов. Концентрация электронов в зоне проводимости. Электропроводность зоны проводимости полупроводников. Влияние примесей на электропроводность. Скорость электрона как производная от энергии по импульсу.
лекция, добавлен 30.07.2013Изучение общих сведений об измерении температуры. Особенности измерения температуры. Термопреобразователи сопротивления на основе металлов. Полупроводниковые термопреобразователи сопротивления. Определение методических погрешностей датчиков температуры.
курсовая работа, добавлен 13.06.2021Физические основы атомно-абсорбционного метода. Принципиальная схема измерения поглощения света. Лоренцевское уширение. Способы измерения атомного поглощения. Различия методов атомной абсорбции и атомной эмиссии. Источники резонансного излучения.
реферат, добавлен 07.09.2011Рассмотрение длины волны света в опыте Ллойда. Определение ширины интерференционных полос в отраженном свете. Расстояние между линзой и экраном. Интенсивность света при прохождении через поляроид и никель. Максимальная плотность энергии излучения.
контрольная работа, добавлен 04.06.2014- 37. Измерение потерь в газах методом модуляционной лазерной спектроскопии с прямым преобразованием Фурье
Измерение малых концентраций поглощающих газов в условиях окружающей атмосферы. Спектры поглощения и изменения газов в зависимости от давления и температуры. Связь между параметрами формы линии поглощения и амплитудой девиации частоты лазерного излучения.
статья, добавлен 19.06.2018 Основы теории электропроводности полупроводников. Дрейфовый, диффузионный ток. Контактные явления. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Полупроводниковые диоды, стабилитроны и стабисторы. Анализ принципа действия биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 21.09.2018Формулы излучения Вина и Рэлея-Джинса. Основные законы термодинамики. Процесс испускания и поглощения лучистой энергии первичным источником. Некоторые простые правила, определяющие химическое поведение элементов. Основные периоды поглощения энергии.
статья, добавлен 15.11.2018- 40. Полупроводники
Исторические сведения появления полупроводников. Электрическая и электронная проводимость металлов, движение электронов. Зависимость сопротивления проводника от температуры. История открытия сверхпроводимости. Сущность понятия "ковалентная связь".
контрольная работа, добавлен 19.04.2013 Влияние температуры, давления, электрического поля на оптическое поглощение в основной полосе. Способы описания взаимодействия излучения с веществом. Поглощение света при возбуждении колебаний кристаллической решетки. Оптические процессы в металлах.
презентация, добавлен 10.08.2015Понятие и общие сведения о полупроводниках, их классификация и типы, сферы практического применения. Описание и характер собственной и примесной проводимости, влияющие факторы. Оценка электропроводности низкомолекулярных органических полупроводников.
курсовая работа, добавлен 23.05.2015Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Изучение зависимости интенсивности излучения металла от времени. Оценка диапазонов плотности экспериментальных спектров Na, K, Li. Разработка модели формирования линий щелочных металлов в спектрах сонолюминесценции. Функции аппроксимации профиля линии.
статья, добавлен 29.04.2019Исторические сведения об изучении тока и электричества. Физика полупроводников. Собственная проводимость полупроводников. Зонная теория проводимости. Приместная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Диод и стабилитрон.
реферат, добавлен 03.11.2008Определение верхней температурной границы измерения теплопроводности графита в стационарном тепловом режиме при применении электрического тока в качестве источника нагрева. Исследование температурной зависимости удельного электрического сопротивления.
автореферат, добавлен 01.05.2018Характеристики, особенности и процесс возникновения мартенсита. Энергетическое отличие диэлектриков oт полупроводников и металлических проводников c точки зрения зонной теории твepдoгo тела. Описание зависимости магнитных свойств ферритов от состава.
реферат, добавлен 21.04.2016Этапы совершенствования полупроводниковой технологии для решения задач микроминиатюризации и интеграции электронной аппаратуры. Особенности примесной проводимости, эффект компенсации доноров и акцепторов. Измерение удельного сопротивления полупроводников.
курсовая работа, добавлен 03.06.2016Рассмотрение акустических эффектов в пьезоэлектрических полупроводниках. Анализ влияния электрического поля на поглощение и усиление звука. Происхождение нелинейных взаимодействий в диэлектрике. Проведение опытов по усилению тепловых звуковых флуктуаций.
доклад, добавлен 07.06.2010Устройство пьезоэлектрического полупроводника. Взаимодействие электронов проводимости с пьезоэлектрическим полем. Поглощение и усиление звука, физическая основа. Основные результаты линейной теории. Усиление акустических шумов и связанные с этим явления.
реферат, добавлен 10.12.2010