Квантово-хімічне моделювання процесів взаємодії водню, силану, атомів та іонів фосфору і бору з упорядкованими та дефектними поверхнями Si(100) І Ge(100)
Процеси адсорбції, десорбції, міграції атомів та іонів фосфору, молекул (SiH4) на поверхнях Si(100) і Ge(100) за допомогою квантово-хімічного моделювання. Розрахунок енергетичних характеристик та квазірівноважних станів системи "поверхня-адсорбат".
Подобные документы
Характеристика процесів електрон-іонних зіткнень для багатозарядних іонів у зовнішньому електричному полі будь-якої сили, використання непертурбативного метода розрахунку сил Ne-подібних іонів. Релятивістський опис розподілу електронів континуума.
автореферат, добавлен 24.07.2014Встановлення особливостей сольватації іонів в об'ємі рідини та причини адсорбції іонів на поверхні електродів. Розробка методів визначення структури і параметрів подвійного електричного шару. Аналіз механізму обміну електронами між електродом та іонами.
автореферат, добавлен 28.07.2014Керування внутрішніми та поступальними ступенями свободи атомів і молекул когерентними світловими полями. Відстроювання несучих частот світлових імпульсів. Вплив флуктуації фази та амплітуди на перенесення населеності з основного до бажаного стану.
автореферат, добавлен 29.09.2015Характер змінення найближчого оточення парамагнітних іонів в умовах високого тиску, а також в спіновій системі в точках перетину енергетичних рівнів. Змінення g-факторів іонів з незамороженим орбітальним моментом в низькотемпературному інтервалі.
автореферат, добавлен 28.12.2015Дослідження природи хімічного зв’язку Si–Al при входженні кремнію в решітку за допомогою ab initio розрахунків. Взаємозв’язок квантово-хімічних параметрів і термодинамічних характеристик системи Si–Al. Утворення кластерів під дією нейтронного опромінення.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 31. Процеси утворення позитивних і негативних іонів молекул цитозину, тиміну, урацилу електронним ударом
Дослідження процесів іонізації молекул азотистих основ нуклеїнових кислот. Створення експериментальної мас-спектрометричної установки. Розробка джерела молекулярного пучка. Встановлення перебігу процесів іонізації у молекулах цитозину, тиміну, урацилу.
автореферат, добавлен 27.07.2015 Розробка нового, високоточного, калібровочно-інваріантного методу релятивістського розрахунку характеристик діелектронних сателітів спектральних ліній складних багатозарядних іонів на основі теорії збурень для трьохквазічастинкових атомних систем.
автореферат, добавлен 29.07.2014Релятивістська теорія резонансного розсіяння фотона на електроні і двофотонного синхротронного випромінювання в сильному зовнішньому однорідному магнітному полі та модель формування вузьких ліній у каналі народження пар при зіткнення швидких важких іонів.
автореферат, добавлен 04.03.2014Визначення полярізації важких і рідкоземельних атомів, їх взаємодія з атомами буферних інертних газів. Розрахунок міжатомних потенціалів, розробка нової релятивістської теорії опису зсуву та уширення спектральних ліній надтонкої структури важких атомів.
автореферат, добавлен 26.08.2015Основні закономірності формування енергетичних зон валентних станів і характер хімічних зв'язків у нікелітах рідкісноземельних елементів з перовскитоподібною структурою. Вивчення зарядових станів атомів, що входять до складу досліджуваних сполук.
автореферат, добавлен 28.09.2015Закономірності масопереносу в умовах різних видів імпульсної обробки, механізм міграції атомів і його взаємозв'язок з закономірностями деформації кристалічних ґрат металу. Тривимірна молекулярно-динамічна модель поведінки металів з кубічними ґратами.
автореферат, добавлен 29.07.2014- 37. Особливості автоіонізаційних процесів у L– та M–електронних оболонках атомів 3d – та 5d–елементів
Експериментальне дослідження особливостей автоіонізаційних процесів радіаційного Оже–ефекту та переходів Костера–Кроніга у L– та M–електронних оболонках атомів 3d– та 5d–елементів за спектрами рентгенівської емісії. Відносні інтенсивності спектрів.
автореферат, добавлен 27.08.2014 Моделювання дифузії атомарного водню у напівпровідниках з урахуванням поверхневих, об’ємних реакцій. Визначення можливих механізмів хемостимульованої дифузії у напівпровідниках, процес утворення дефектів під дією енергії поверхневих хімічних реакцій.
автореферат, добавлен 23.11.2013Програмний пакет VMD і підготовка до моделювання. Перегляд тривимірного зображення молекули. Обчислення за допомогою графічних процесорів. Аналіз випадкового розташування атомів. Об'єднання процедур у працюючу програму. Потенціал валентних взаємодій.
контрольная работа, добавлен 24.12.2021Дослідження нелінійних процесів в плазмовій лінзі, яка використовується як пристрій, що керує пучками іонів. Градієнтні нестійкості, притаманні плазмооптичним пристроям. Умови оптимального проходження компенсованого іонного пучка у плазмовій лінзі.
автореферат, добавлен 13.07.2014Головний аналіз електрохімічної інтеркаляції іонів літію в кристалічні та аморфні модифікації діоксиду кремнію. Вплив дисперсних матеріалів на ступінь енергетичних параметрів комірок живлення. Особливість нефарадеєвської гіпер’ємності накопичення заряду.
автореферат, добавлен 02.08.2014Вивчення методами мас-спектрометрії кремнієвих поверхонь мультикристалічних підкладок до і після електрохімічного травлення з використанням складної органічної сполуки. Дослідження поверхні мультикристалічної підкладки мас-спектроскопією вторинних іонів.
статья, добавлен 30.10.2016Дослідження високотемпературних парів лужноземельних атомів на установці "Електронний спектрометр". Розробка нової конструкції джерела атомного пучка. Аналіз контрольних вимірів електронних спектрів атомів барію в діапазоні енергій зіткнень 15-110 еВ.
статья, добавлен 30.01.2016Дослідження впливу співвідношення компонентів у системі на тип фізико-хімічних процесів модифікації складу приповерневих шарів напівпровідника. Аналіз дифузії компонентів та визначення змін у складі газової фази при збільшенні вмісту атомарного водню.
автореферат, добавлен 31.01.2014Розрахунок енергії мінізон надграток з різними співвідношеннями товщин шарів. Теоретичний розрахунок компонентів тензора деформацій, що відповідає рівноважному стану гетеропереходу. Вплив деформації на зміну енергії носіїв заряду в гетероструктурах.
статья, добавлен 27.12.2016Дослідження електронної структури одностінкових нанотрубок ZnO легованих атомами перехідних металів. Вивчення особливостей заміщення іонів магнію, кобальту і міді. Оптимізація моделей легованих нанотрубок. Розгляд процесу гібридизації атомів кисню.
статья, добавлен 30.01.2016Теоретичне дослідження процесу міграції міжвузлових атомів, вакансій у матеріалі в умовах неоднорідного опромінення високоенергетичними частинками. Вивчення різних процесів утворення макроскопічних дефектів на початкових стадіях і в стаціонарному випадку.
статья, добавлен 19.09.2013Метод розрахунку параметрів електронної структури сплавів на основі перехідних елементів з врахуванням впливу топологічного розупорядкування атомів. Моделювання густини електронних станів АМС на основі Ni, порівняння результату з даними досліджень.
автореферат, добавлен 20.04.2014Побудова фізичної моделі зародження, росту і розчинення складної системи нано- і мікророзмірних дефектів у перенасиченому твердому розчині кисню в кремнії. Еволюція функції розподілу дефектів за розмірами. Рівняння дифузії для міжвузлових атомів системи.
автореферат, добавлен 14.09.2014Поняття та основні уявлення про ближній порядок, його сутність і особливості. Вплив упорядкування атомів на електроопір сплавів. Діаграма стану та деякі параметри AgZn. Експериментальна оцінка процесів, що відбуваються в зразках AgZn після обробки.
курсовая работа, добавлен 19.02.2009