Возможности легирования мультикристаллического кремния
Проблема недостатка запасов кремния с требуемыми параметрами и их получение с минимальными затратами. Результаты анализа и обсуждение данных, посвященных последним тенденциям в области использования компенсированного кремниевого сырья при росте слитков.
Подобные документы
Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Роль поверхностных свойств в процессе возникновения нанокристалла и при его росте. Изучение эволюции поверхностных свойств при изменении размера и формы поверхности нанокристалла при различных температурах. Расчет удельной поверхностной энергии.
статья, добавлен 02.11.2018Обзор назначения и общих характеристик КМОП и КНИ структур. Исследование подпороговых характеристик структур кремния на изоляторе. Характеристика основных плюсов и минусов КНИ и КМОП структур. Обзор механизмов пробоя структур металл-оксид-полупроводник.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Теплофизические, термостойкие, химические и механические свойства новых нано- и ультраструктурированных керамокомпозиционных материалов. Метод получения нано- и ультраструктурированных керамокомпозиционных изделий на основе нитрида и карбонитрида кремния.
автореферат, добавлен 29.03.2018Метод анализа водорода в конструкционных материалах реакторов. Расшифровка энергетических спектров электронов, отраженных от данного образца. Анализ слоев аморфного гидрогенизированного углерода, нанесенных на поверхность монокристаллического кремния.
статья, добавлен 02.11.2018Физические принципы колебательной спектроскопии. Вращательные и колебательные спектры. Влияние фазового состояния вещества на ИК-спектры. Колебательные свойства атомов примесей в аморфном кремнии. Области применения методов колебательной спектроскопии.
лабораторная работа, добавлен 21.01.2011Создание однокаскадной модели кремниевого солнечного элемента на основе гомогенного p-n перехода в среде моделирования фотоэлектрических устройств. Оценка влияния уровня легирования и толщины n+-слоя на вольт-амперные характеристики и КПД элементов.
статья, добавлен 30.07.2017Особенность бесперебойного снабжения потребителей требуемым количеством теплоты с требуемыми параметрами. Проведение исследования конструкции труб с современной теплоизоляцией. Характеристика пенополиуретановой и пенополимерминеральной изоляции.
статья, добавлен 17.02.2019Геотермальные возобновляемые источники энергии и гидроминерального сырья на территории Ярославской области. Коэффициент использования первичных энергоносителей. Разработка инновационных технологий по использованию возобновляемых источников энергии.
статья, добавлен 02.12.2018Рассмотрение особенностей развития микроэлектроники, основные этапы. Полупроводники как наиболее распространенная в природе группа веществ. Характеристика методов получения монокристаллов кремния. Знакомство с биполярными и полевыми транзисторами.
курс лекций, добавлен 27.01.2013Мониторинг статической устойчивости электроэнергетических систем, основанной на использовании данных синхронизированных измерений режимных параметров в узлах электрической сети. Возможности мониторинга мощностей и запасов статической устойчивости.
статья, добавлен 23.06.2013Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Оценка возможности использования осциллисторов из электронного германия для построения частотных преобразователей силы. Результаты экспериментальных исследований разработанных преобразователей. Описание принципа действия данных аналоговых устройств.
статья, добавлен 02.02.2019Материалы с нелинейной проводимостью. Подавление паразитных волн перенапряжений в линиях и на подстанциях. Обусловленость нелинейности характеристик варисторов локальным нагревом соприкасающихся граней кристаллов карбида кремния или иного полупроводника.
реферат, добавлен 24.12.2016Электрические свойства кремния. Применение вычислительной техники в Украине. Производительность фотоэлектрического контроля. Математическое моделирование спектров и теллурового дефектообразования. Исследование высокотемпературной сверхпроводимости.
статья, добавлен 23.08.2012Техническая характеристика промышленного электрооборудования. Проектирование надежного бесперебойного электроснабжения приемников цеха с минимальными капитальными затратами и эксплуатационными издержками. Обеспечение безопасности. Охрана окружающей среды.
дипломная работа, добавлен 06.06.2020Метод для изготовления трехмерного кремниевых наноструктур на основе выборочного формирования пористого кремния. Изобретение 2D/3D кремниевых фотонных кристаллов. Изучение их структуры полосы и сопряжение градиента частного Рейли в основании волны.
статья, добавлен 17.11.2015Расчет параметров кремниевого интегрального биполярного транзистора. Распределение донорной и акцепторной примесей. Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального канального транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.
реферат, добавлен 15.11.2009Рассмотрение истории возникновения понятия положительного и отрицательного заряда электричества. Обзор эксперимента по выравниванию электрических потенциалов на двух электроскопах. Анализ демонстрации электрических султанов и структуры ядра атома кремния.
лекция, добавлен 05.02.2019Экспериментальная проверка на образцах-имитаторах возможности оценки отклонения топологии магнитопровода от топологии тора с поверхностью Мебиуса. Обоснование возможности использования полученных результатов для моделирования дефектов магнитопровода.
статья, добавлен 24.05.2018Особенности классификации светодиодов. Открытие этого вида источников света и первые разработки. Характеристика светодиодов на основе карбида кремния, их аналогов на базе структур AIIIBV: от GaAs до AlInGaP, GaN и его твердые растворы. Мощные светодиоды.
реферат, добавлен 22.04.2014Исследование неравновесных населенностей состояний мелких доноров и акцепторов в полупроводниках кремния, германия. Измерение малосигнального коэффициента терагерцового усиления. Отработка методики низкотемпературной внутрирезонаторной спектроскопии.
автореферат, добавлен 15.02.2018Кварц как распространённый минерал земной коры. Моделирование ударно-волновых процессов в диоксиде кремния. Использование модели вязкоупругого тела максвелловского типа. Предположение, что в процессе нагружения меняется нормальная плотность материала.
статья, добавлен 27.10.2018Рассмотрение основных процессов, происходящих внутри солнечного элемента при преобразовании оптического излучения в электроэнергию. Анализ основных оптических потерь. Оценка спектральной зависимости показателя поглощения для кремния и арсенида галлия.
статья, добавлен 02.02.2019