Топология интегральных микросхем
Понятие и признаки топологий интегральных микросхем. Регистрация топологий интегральных микросхем и уведомление о правах. Права авторов топологий интегральных микросхем и их защита. Особенности, топологий как результата интеллектуальной деятельности.
Подобные документы
Разработка структурной, функциональной и электрической принципиальной схем цифрового устройства, алгоритм его работы. Выбор и обоснование критериев подбора интегральных микросхем, их сравнительная оценка. Проектирование генератора тактовых импульсов.
курсовая работа, добавлен 24.09.2011Использование электронно-лучевой технологии для процессов нанесения тонкопленочных слоев. Исследование особенностей современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Схема применения электронно-лучевого нагрева при вакуумном напылении.
контрольная работа, добавлен 26.05.2012Внедрение микропроцессорной и цифровой техники в устройства управления промышленными объектами. Основные элементы функциональной схемы цифрового устройства. Интегральные микросхемы, используемые в цифровом устройстве. Подбор интегральных микросхем.
контрольная работа, добавлен 27.12.2016Технологический процесс изготовления гибридных интегральных микросхем. Поверочный расчет конструкций тонко- и толстопленочных резисторов, выбор формы и геометрических размеров. Определение конструкций пленочных конденсаторов, выбор материала диэлектрика.
курсовая работа, добавлен 11.02.2013Разработка спецификаций функциональных элементов больших интегральных схем для моделирования поведения неисправных цифровых устройств. Описание устройства для реализации анализа полноты теста; методика вывода контрольного сигнала на выходы микросхем.
дипломная работа, добавлен 25.02.2013Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012Определение ширины спектра сигнала и полосы пропускания приемника. Выбор промежуточной частоты и структуры преселектора на одиночных и двух связанных колебательных контурах. Выбор селективной системы тракта промежуточной частоты и интегральных микросхем.
контрольная работа, добавлен 21.09.2017Классификация интегральных тензопреобразователей давления. Изучение технологических этапов изготовления интегральных тензопреобразователей. Принципы размещения тензорезисторов на мембранах полупроводниковых интегральных тензопреобразователей давления.
курсовая работа, добавлен 30.07.2015- 84. Разработка вещательного приёмника, работающего в диапазоне средних волн с амплитудной модуляцией
Расчет полосы пропускания преселектора. Выбор структуры его каскадов, числа избирательных контуров, типа аналоговых интегральных микросхем. Определение избирательной системы тракта промежуточной частоты. Электрическая принципиальная схема приемника.
курсовая работа, добавлен 14.12.2014 Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012Характеристика экспансии и следствия закона Мура. Анализ нового технологического процесса, представленного корпорацией Intel. Сущность традиционного планарного транзистора. Формирование емкости на затворе. Особенность бесконтактной диагностики микросхем.
контрольная работа, добавлен 11.12.2014Применение полупроводниковых стабилизаторов в измерительных и проверочных лабораториях. Электрическая схема стабилизатора компенсационного типа в дискретных элементах. Расчет схемы компенсационного стабилизатора напряжения на базе интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 23.09.2014Дискретные электронные устройства на основе интегральных микросхем как средство автоматизации технологических процессов. Создание принципиальной электрической схемы дискретного устройства. Минимизация сложных логических выражений с помощью матрицы Карно.
дипломная работа, добавлен 15.02.2016Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Основные преимущества гибридных интегральных микросхем. Толстые и тонкие пленки, их роль в современной технике и технологии получения. Методы термического испарения и ионного распыления, их характеристика. Области применения тонких и толстых плёнок.
курсовая работа, добавлен 31.05.2012История развития информатики. История развития идеи создания вычислительной, электронновычислительно и компьютерной техники. Изобретение транзисторов и интегральных микросхем. Первые попытки создания компьютера. Apple и IBM компьютеры. Создание Интернет.
реферат, добавлен 12.11.2008Проблема прогнозирования надежности радиоэлектронной аппаратуры. Анализ модели прогнозирования интенсивности отказов микросхем с точки зрения возможности разделения интенсивности отказов микросхемы на сумму напряженностей отречений кристалла и корпуса.
статья, добавлен 08.12.2018Использование микросхем для построения бытовых DVD-проигрывателей. Группировка выводов микросхем. Структурная схема подключения DVD-процессора ESS серии ES4xx8. Его основные функции и особенности. Обработка декодированного видеосигнала в микросхемах.
доклад, добавлен 30.08.2012Выбор принципа конструирования печатной платы и серии логических интегральных микросхем. Расчет теплового режима блока, параметров электрических соединений, надежности. Описание технологии изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом.
курсовая работа, добавлен 05.06.2015Защита телекоммуникационного оборудования от влияния окружающей среды. Сквозной ток при переключении цифровых микросхем: механизм образования и влияние на помехи в системе питания. Базовые конструкции многослойных плат. Основные способы задания графов.
лекция, добавлен 20.03.2011Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018Фундамент развития электроники и создания электронных приборов. Изобретение лампы накаливания. Создание электровакуумного диода и приемо-усилительных радиоламп. Предпосылки появления транзисторов, интегральных микросхем. Этапы развития микроэлектроники.
дипломная работа, добавлен 07.07.2014Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
курсовая работа, добавлен 05.06.2017Снижение затрат на подготовку и освоение производства небольших серий микросхем как одна из важнейших задач микроэлектроники. Понятие и закономерности воплощения "разумного" производства. Модификации производственного маршрута и роль разработчика.
статья, добавлен 29.05.2017Создание комплекса методов, моделей, алгоритмов и программных средств проектирования специализированных металл-оксидных полупроводниковых транзисторов для сверхбольших интегральных микросхем, применяемых в новых системах управления двойного назначения.
автореферат, добавлен 15.02.2018