Типы транзисторов

Транзистор как полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, физические основы его функционирования, внутреннее устройство и принцип работы. Механизм возникновения токов. Схемы включения биполярного транзистора, их сравнение.

Подобные документы

  • Электроника как область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных приборов. Рассмотрение особенностей р-канального МДП транзистора, основное назначение. Характеристика преимуществ мощных полевых транзисторов.

    контрольная работа, добавлен 28.02.2013

  • Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.

    методичка, добавлен 08.09.2015

  • Расчет параметров кремниевого интегрального биполярного транзистора. Распределение донорной и акцепторной примесей. Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального канального транзистора.

    курсовая работа, добавлен 01.10.2017

  • Определение мощности необходимых каскадов. Схема включения контроллера в качестве модулятора. Драйверы силовых транзисторов. Расчет тепловых потерь ключа, коэффициента передачи усилителя. Защита от токов короткого замыкания, длительного пускового режима.

    курсовая работа, добавлен 09.01.2018

  • Определение номинального тока стабилитрона и недостающих данных для вычислений. Расчет выпрямителя с емкостным фильтром. Вольтамперная характеристика диода. Расчет стабилизаторов постоянного напряжения. Определение h-параметров биполярного транзистора.

    контрольная работа, добавлен 06.01.2014

  • Светодиод или светоизлучающий диод как полупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрический ток. История разработки и усовершенствования электронно-дырочного перехода. Долговечность и надежность светодиода.

    реферат, добавлен 29.08.2015

  • Определение понятия полупроводников – кристаллов, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью диэлектриков и проводников. Ознакомление с принципом действия биполярных транзисторов. Анализ физических основ работы полевого транзистора.

    шпаргалка, добавлен 10.02.2017

  • Обобщение инерционных свойств транзисторов, которые начинают проявляться при быстром изменении сигнала. Причины ограничения частотных свойств транзисторов и возникновения их шумов или хаотическое изменение тока коллектора под действием различных факторов.

    презентация, добавлен 20.07.2013

  • Физические основы и применение гетеропереходов. Особенности излучателей: инжекционных лазеров, светодиодов и искусственных квантовых ящиков. Интегральная оптика для связи: характеристика используемых материалов и принцип работы фотодиодов и транзисторов.

    реферат, добавлен 14.06.2011

  • Комплексное исследование физических процессов схем усилителя для трех режимов транзистора. Составление уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепей. Рассмотрение трех режимов работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.

    контрольная работа, добавлен 23.03.2022

  • Изучение связи мощности в нагрузке с напряжениями питания. Допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора. Максимальная амплитуда переменного напряжения на нагрузке у полумостового каскада. Смещение входных характеристик транзисторов.

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Принципы работы транзисторов с изолированным затвором, их сечение, условные обозначения, преимущества, вольт-амперные характеристики. Простейшая модель n-МОП-транзистора и КМОП инвертора, их топология и базовые операции технологического маршрута создания.

    презентация, добавлен 07.07.2015

  • Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.

    дипломная работа, добавлен 01.08.2017

  • Изучение терминов "элементная база", "электронные приборы". Достоинства и недостатки полупроводников. История развития техники электронных приборов. Особенности конструкции диффузионно-сплавного транзистора. Общие свойства электронно-дырочных переходов.

    шпаргалка, добавлен 01.04.2017

  • Понятие и внутреннее устройство силовых трансформаторов, принцип их работы и разновидности, назначение отдельных частей. Функциональные особенности данных трансформаторов и оценка их возможностей, режим работы во время проверок и в процессе эксплуатации.

    реферат, добавлен 10.06.2022

  • Диод как двухэлектродный электронный прибор, его свойства. История открытия принципов работы термионного диода. Типы диодов, характеристика их параметров. Специальные типы диодов, их применение для защиты устройств от неправильной полярности включения.

    реферат, добавлен 22.11.2015

  • Приборы с четырехслойной структурой как подвид семейства полупроводниковых приборов. Устройство, принцип работы, обозначения диодных и триодных тиристоров, их вольтамперные характеристики. Включение триодных тиристоров постоянным и импульсным токами.

    контрольная работа, добавлен 11.09.2013

  • Типы асинхронных электродвигателей, их функциональные особенности и назначение, внутреннее устройство и принцип работы. Типы роторов: короткозамкнутый, фазный. Способы управления и виды обмоток, условия их использования. Работа при заторможенном роторе.

    курсовая работа, добавлен 30.06.2014

  • Описание свойств транзистора с помощью вольтамперных характеристик. Модель Эберса-Молла или модель транзистора на постоянном токе. Включение транзистора по схеме общий эмиттер в схемотехнике. Основные параметры транзистора. Коллекторная характеристика.

    презентация, добавлен 20.07.2013

  • Применение и устройство полупроводникового детектора, принцип его работы (явление ионизации, появление и движение электронов и дырок в валентной зоне, формирование импульса тока). Формула определения числа пар ионов в полупроводниковом счётчике.

    доклад, добавлен 02.05.2011

  • Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.

    учебное пособие, добавлен 25.02.2014

  • Электрические свойства полупроводников. Правила включения транзистора в электрическую цепь. Изменение сопротивления полупроводников при нагревании и охлаждении. Устройство и действие электрического термометра сопротивления. Односторонняя проводимость.

    курсовая работа, добавлен 31.03.2011

  • Экспериментальное построение характеристик транзистора, определение коэффициента усиления по току, проверка формулы Эберса-Молла. Условные обозначения и простейшие модели, отражающие структуру транзисторов. Отношение тока коллектора к току базы.

    лабораторная работа, добавлен 22.10.2012

  • Использование простейших локальных моделей для анализа цепи с биполярными транзисторами. Линейные модели для основных режимов работы биполярного транзистора. Определение напряжения между коллектором и эмиттером, напряжения коллекторного перехода.

    лекция, добавлен 03.03.2017

  • Принцип действия и область применения токовой защиты. Основные типы максимальных реле электричества и схемы их включения. Выдержка времени в современных токовых защитах. Расчетная схема подстанции с двумя трансформаторами. Защита с пуском по напряжению.

    реферат, добавлен 28.01.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.