Технология изготовления интегральных логических микросхем на основе GaAs
Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
Подобные документы
Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Разработка топологии гибридной схемы широкополосного усилителя К174УВ1. Технология гибридных интегральных микросхем. Параметры, определяющие выбор конструкции и материал пленки. Этапы технологического процесса изготовления гибридных интегральных схем.
контрольная работа, добавлен 24.09.2012Описание логических автоматов. Основные логические операции и элементы. Логические функции одной переменной и двух переменных. УГО элементов цифровой техники на основе прямоугольника. Способы задания логических функций, логическое умножение (конъюнкция).
контрольная работа, добавлен 15.10.2013Параметры цифровых интегральных микросхем К561ЛА7 и К561ТМ2, маломощных кремниевых транзисторов КТ315 и КТ3102, кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора КТ815. Время задержки распространения сигнала. Цветовая маркировка транзисторов КТ3102.
контрольная работа, добавлен 22.01.2015Выбор схемы выпрямления, типа фильтра и вентиля. Работа инвертора с сердечником с линейной петлей гистерезиса. Импульсный принцип преобразования электрической энергии. Принципы функционирования компенсационных стабилизаторов, показатели качества.
методичка, добавлен 22.06.2014Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления. Классификация микросхем: полупроводниковые и гибридно-пленочные. Элементы электрической схемы полупроводниковых ИС. Структура биполярных транзисторов. Условное обозначение серии микросхем.
презентация, добавлен 05.04.2020Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
контрольная работа, добавлен 02.02.2016Характеристика основных частей электронного трансформатора. Главный выбор и расчет входного и выходного однофазного мостового выпрямителя и фильтра. Сущность разработки системы управления силового инвертора. Особенность динамических потерь в транзисторе.
курсовая работа, добавлен 03.03.2015- 84. Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів на основі GAAS
Розробка оптимізованої технології і дослідження термостійких бар'єрних, омічних контактів для НВЧ приладів. Фазові, морфологічні перетворення при напиленні Ti на реальну поверхню GaAs, що визначають електрофізичні властивості контактів, їх термостійкість.
автореферат, добавлен 10.08.2014 Применение в народном хозяйстве электронной цифровой вычислительной техники. Поколение ЭВМ на основе интегральных схем с большой степенью интеграции элементов (БИС). Микропроцессорные вычислительные машины на основе БИС. Структура микропроцессора.
реферат, добавлен 25.01.2016- 86. Защита кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем от воздействий внешней среды
Понятие и функциональные особенности интегральных микросхем, эксплуатационные и технологические требования к ним. Виды корпусов данных микросхем, современный этап развития: керамические, пластмассовые, металлополимерные. Методы герметизации пластмассами.
курсовая работа, добавлен 11.03.2012 Основные характеристики и область применение датчиков температуры. Основные типы полупроводниковых датчиков температуры. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Элементы программируемых логических интегральных схем. Элементарный дешифратор без инверторов на выходах, обеспечение ортогональности сигналов. Расчет показателя инверсирования переменной в соответствующей ветви дерева логической интегральной схемы.
статья, добавлен 30.07.2017Волоконно-оптические линии связи. Работы по созданию решений PLC на основе электрических сетей. Коммерческое предоставление телекоммуникационных услуг в ограниченном масштабе. Характеристики технологий широкополосного абонентского доступа на основе PLC.
реферат, добавлен 23.10.2014Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.
презентация, добавлен 13.02.2015Использование интегральных микросхем в радиоэлектронной аппаратуре. Назначение арифметически-логических интегральных схем. Классификация сумматоров, выбор и обоснование функциональной схемы. Расчет потребления мощности, быстродействия и надежности.
реферат, добавлен 06.03.2010Характеристика принципиальной схемы силовых цепей электропривода переменного тока. Расчет коэффициентов искажения синусоидальности и несинусоидальности кривой напряжения. Особенность обеспечения передаточной функции фильтра на частоте модуляции.
статья, добавлен 29.09.2018Инвертор – полупроводниковое устройство, преобразующее постоянное входное напряжение в выходное переменное. Поочередное подключение нагрузки к различным полюсам за счёт коммутации управляемых вентилей. Характер электромагнитных процессов в инверторе.
контрольная работа, добавлен 30.05.2017Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016Рассмотрение предложенных устройств и выбор оптимального варианта структурной схемы вводного устройства, используемого для питания аппаратуры автоматической телефонной станции в буфере с аккумуляторной батареей. Расчёт основных характеристик инвертора.
контрольная работа, добавлен 20.01.2015Проектирование и разработка современной радиоприёмной аппаратуры на основе микросборок с интегральными микросхемами, содержащими активные элементы. Разработка и построение перспективных моделей радиоприёмников с использованием интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 05.12.2010Характеристика гибридных интегральных схем как микросхем, являющихся комбинацией пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Технология изготовления полупроводниковых схем на биполярных элементах.
курс лекций, добавлен 21.03.2011Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Выходные (стоковые), передаточные (стоко-затворные) и вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Графо-аналитический и аналитический методы определения основных параметров ПТ.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2021Применение полупроводниковых гетероструктур в телекоммуникациях, основанных на лазерах с двойной гетероструктурой, малошумящих транзисторах. Изучение деградации излучающих свойств материалов на основе InGaN с помощью прецизионных измерений потока света.
реферат, добавлен 03.06.2014Особенность работы электрической принципиальной схемы инвертора жидкокристаллического телевизора. Разработка методики ремонта и настройки узла. Основные характерные неисправности и методы их устранения. Обоснование и выбор измерительного оборудования.
курсовая работа, добавлен 22.12.2014