Транзистор типа КТ-872

Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе для использования в усилительных схемах. Назначение изделия, условия эксплуатации. Сведения о математических моделях РЭС. Автоматизация конструкторского проектирования РЭС.

Подобные документы

  • Сведения о математических моделях радиоэлектронных средств. Расчет физико-топологической модели биполярного транзистора с использованием модели Эберса-Молла. Разработка маршрутной карты технологического процесса изготовления транзистора типа КТ-872.

    курсовая работа, добавлен 25.05.2013

  • Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.

    контрольная работа, добавлен 02.02.2016

  • Преобразование энергии внешних источников постоянных напряжений в энергию преобразуемого сигнала. Характеристики транзистора связанные нелинейными функциональными зависимостями. Связь между системами параметров транзистора в различных схемах включения.

    методичка, добавлен 13.08.2013

  • Історія винаходу біполярного транзистора. Будова, принцип дії та класифікація. Позначення типу. Режими роботи: активний; інверсний; насичення; відсічки. Використання транзисторів в підсилювачах, генераторах, перетворювачах сигналу, логічних схемах.

    реферат, добавлен 07.10.2019

  • Понятие о полупроводниковых диодах и транзисторах, их свойства. Характеристика и схема работы триода. Полевой МДП транзистор и его схематическое изображение. Зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде. Схема включения транзистора в цепь.

    реферат, добавлен 07.11.2013

  • Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления. Устройство и конструкция диффузиозно-сплавного транзистора структуры p–n–p. Включение p–n–p транзистора по схемах общего эмиттера, общей базы и общего коллектора.

    реферат, добавлен 29.01.2014

  • Транзистор как полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им, основные области его применения и механизм действия. Характеристика видов: тиристоры, симистор, полевые и МОП-транзисторы. Недостатки и надежность.

    реферат, добавлен 23.03.2014

  • Электронные усилители: общие характеристики и классификация. Статистические и динамические режимы усилительных каскадов. Схемы включения на биполярных и полевых транзисторах. Анализ влияния дестабилизирующих факторов на работу усилительных каскадов.

    лекция, добавлен 13.10.2013

  • Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Вольтамперные характеристики и принцип работы транзистора с управляющим pn переходом.

    реферат, добавлен 26.01.2012

  • Транзистор с каналом р-типа. Входное сопротивление полевого транзистора. Определение коэффициента усиления усилителя. Влияние отрицательной обратной связи. Зависимости энергии электрона от координаты. Схематичные изображения МОП с индуцированным каналом.

    лекция, добавлен 26.10.2013

  • Структурная схема, основные параметры и характеристики усилителя. Режимы работы усилительных каскадов и принципы их построения. Влияние обратных связей на выходное сопротивление. Стабилизация режимов работы усилительных каскадов на транзисторах.

    курс лекций, добавлен 20.06.2015

  • Выбор типа проводимости транзисторов. Синтез конфигурации схемы питания усилительных каскадов постоянными напряжениями и токами. Расчет элементов на постоянном токе. Мероприятия по снижению влияния дестабилизирующих факторов. Коэффициент усиления тракта.

    курсовая работа, добавлен 04.04.2023

  • Рассмотрен опыт разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а так же в активизации самостоятельной учебной работы студентов, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 23.04.2014

  • Исследование принципов работы усилительных каскадов на биполярных транзисторах. Определение их основных параметров. Расчет усилительного каскада на транзисторе по схеме с эмиттерной стабилизацией. Нахождение соотношения коллекторного и базового тока.

    лабораторная работа, добавлен 15.06.2015

  • Назначение и области применения усилителей. Виды и основные элементы усилителя, его принцип действия. Транзистор в цепи постоянного тока. Усилитель и его место в схеме с общим эмиттером. Свойства резистивного усилителя на биполярном транзисторе.

    лекция, добавлен 21.10.2014

  • Общие сведения об усилителях мощности. Понятие каскада. Способы подключения нагрузки в усилителе мощности. Принципиальная электрическая схема усилителя мощности, в котором на выходе используются составные транзисторы. Шумы в усилительных каскадах.

    реферат, добавлен 13.10.2013

  • Условия выбора транзистора. Нахождение рабочей точки. Методы расчета усилительных каскадов, корректирующих цепей, цепей термостабилизации. Индуктивная и эмиттерная коррекции. Частотные и временные характеристики каскада. Расчет верхней граничной частоты.

    курсовая работа, добавлен 01.12.2013

  • Проведение расчета коэффициента усиления, полосы пропускания и значений элементов корректирующих цепей для схемных построений усилительных каскадов (некорректированного, с высокочастотной индуктивной, истоковой коррекцией) на полевых транзисторах.

    курсовая работа, добавлен 16.12.2009

  • Общие сведения о биполярном транзисторе, их конструкция. Пробой, режимы и принцип работы, вольт-амперные характеристики. Цоколевка транзистора KT375A. Обозначение на схемах. Модули проводимости прямой и входной передачи. Расчет характеристик KT375A.

    курсовая работа, добавлен 14.04.2017

  • Выбор типа транзисторов и определение величины сопротивления нагрузки. Расчет структурной схемы предварительного усилителя, принципиальной схемы ПУ, эмиттерного повторителя и усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Коррекция частотных искажений.

    курсовая работа, добавлен 14.08.2015

  • Характеристика полупроводниковой интегральной микросхемы, методы оценки технологичности ее конструкции. Особенности и достоинства эпитаксиально-планарной технологии. Технологический маршрут изготовления микросхемы. Детальное описание основных операций.

    курсовая работа, добавлен 25.12.2012

  • Транзистор, его функциональные особенности. Возникновение транзисторов, их классификация и применение. Полевые транзисторы, расчёт и построение нагрузочной прямой. Биполярные транзисторы, расчёт усилительного каскада. Общие сведения об электронных ключах.

    курсовая работа, добавлен 21.11.2013

  • Интерес производителей электронного оборудования к производству преобразователей частоты на основе IGBT-модулей. Причины и условия пробоя транзисторов и диодов в модулях, рекомендации по их монтажу и эксплуатации, позволяющие предотвратить выход из строя.

    статья, добавлен 16.01.2017

  • Параметры цифровых интегральных микросхем К561ЛА7 и К561ТМ2, маломощных кремниевых транзисторов КТ315 и КТ3102, кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора КТ815. Время задержки распространения сигнала. Цветовая маркировка транзисторов КТ3102.

    контрольная работа, добавлен 22.01.2015

  • Анализ инерционности фотогенерированных носителей заряда в структуре кремниевого фотопреобразователя (ФЭП). Разработка многоэмиттерного биполярного транзистора. Исследование специфики влияния зарядовых насосов на световую вольтамперную характеристику ФЭП.

    статья, добавлен 09.07.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.