Концепция построения емкостных зарядных узлов магнитно-полупроводниковых генераторов
Исследование основных типовых и предложенных емкостных зарядных узлов магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Определение электродинамических показателей магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Построение емкостных зарядных узлов.
Подобные документы
Определение сущности электронно-дырочного перехода, который является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Рассмотрение и анализ зонной диаграммы гетероперехода. Характеристика особенностей границ раздела "полупроводник–диэлектрик".
реферат, добавлен 31.01.2015Характеристика операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов переходами. Анализ этапов проектирования полузаказных БИС и СБИС. Классификация видов и маркировки полупроводниковых диодов.
контрольная работа, добавлен 29.10.2010Определение угла вращения плоскости поляризации. Оптические абсорбционные методы как способы анализа, основанные на поглощении веществами электромагнитного излучения. Условия для возникновения явления фотолюминесценции в полупроводниковых структурах.
контрольная работа, добавлен 18.10.2014Методика анализа емкостных переходных процессов для определения энергетических и динамических характеристик процессов захвата в массив квантовых точек. Прямое наблюдение емкостных переходных процессов захвата носителей заряда в массив квантовых точек.
автореферат, добавлен 31.07.2018Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016Анализ схемы расположения узлов источников питания и нагрузок электроэнергетической системы. Баланс активной мощности и выбор генераторов теплоэлектроцентрали. Характеристика основных факторов, от которых зависит размещение компенсирующих устройств.
курсовая работа, добавлен 12.04.2022Выбор метода формирования липосомальных контейнеров со встроенными в них полупроводниковыми наночастицами, обеспечивающего минимальный разброс значений диаметра липосомальных контейнеров. Измерение геометрических свойств полупроводниковых наночастиц.
дипломная работа, добавлен 30.08.2016Технологии с использованием импульсных сильных токов, их главные свойства. Сущность электрогидравлической технологии и механические проявления импульсного разряда в жидкости. Электроэрозионная и магнитно-импульсная обработка материалов, главные отличия.
лекция, добавлен 10.08.2013Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.
курсовая работа, добавлен 31.10.2016Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Способы представления колебаний, характеристики цепей переменного тока и резонансных систем. Основы генерации и распространения звуковых и электромагнитных волн. Принципы действия полупроводниковых элементов, на основе которых строятся преобразователи.
курс лекций, добавлен 22.06.2014Особенности построения выходных каскадов устройств управления исполнительными механизмами: классификация полупроводниковых преобразований, транзисторные преобразователи. Оптимизация контура тока в Simulink. Моделирование транзисторного электропривода.
дипломная работа, добавлен 03.06.2014Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.
контрольная работа, добавлен 13.12.2021- 40. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Этапы развития лазеров. Уникальные свойства лазерного излучения. Применение маломощных импульсных лазеров и мощной лазерной технологии. Особенности газовых лазеров. Принципы работы магнитно-оптического накопителя. Лазерная локация и системы навигации.
реферат, добавлен 12.07.2009Ознакомление с командами построения переходных процессов. Построение переходных и импульсных переходных функций типовых звеньев и их соединений. Исследование временных характеристик типовых звеньев. Краткий алгоритм работы с Simulink LTI-Viewer.
лабораторная работа, добавлен 27.03.2024Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Характеристика и закономерности изменений в составе систем объемных и поверхностных свойств. Описание рентгенографических, электронно-микроскопических, электрофизических исследований определения кислотно-основных свойств полупроводниковых материалов.
статья, добавлен 02.02.2019Оценка числа защитных высоковольтных керамических постоянных резисторов в зарядно-разрядных цепях мощных емкостных накопителей электрической энергии, используемых в различных технологиях. Главные показатели термомеханической защиты импульсной техники.
статья, добавлен 29.09.2016Исследование электротепловых режимов силовых полупроводниковых приборов (СПП) при групповых соединениях с учетом взаимосвязи их электрических и тепловых параметров и характеристик. Разработка методов подбора и отбраковки СПП для групповых соединений.
автореферат, добавлен 31.01.2019Изучение переходных процессов в полупроводниковых диодах при их работе в импульсном режиме. Влияние процессов на работу диода в импульсных устройствах Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Оценка ограничений установленными в зарядно-разрядных цепях мощных емкостных накопителей энергии защитными высоковольтными керамическими резисторами амплитуд аварийного сверхтока. Основные показатели термомеханической защиты конденсаторов от аварий.
статья, добавлен 29.09.2016Рассмотрение инертно-емкостных устройств, выполненных на основе электромеханических преобразователей вращательного действия. Зарядно-разрядное устройство в основе электрической машины постоянного тока, инертно-емкостное устройство с емкостными свойствами.
статья, добавлен 31.08.2018Рассмотрение широкого использования бесконтактных коммутирующих и регулирующих полупроводниковых устройств основных систем электроснабжения. Схема тиристорного устройства для включения и отключения прямой обмотки вольтодобавочного трансформатора.
статья, добавлен 09.11.2014