Характеристика биполярных транзисторов
Основные физические процессы биполярных транзисторов. Проведение исследования концентрации примеси в эмиттере и коллекторе. Изменение напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах. Эквивалентная схема полупроводникового прибора для постоянного тока.
Подобные документы
Режимы транзисторов с отсечкой выходного тока и гармонический анализ импульсов тока. Построение индуктивностей на отрезках полосковых линий. Основное уравнение нестабильности частоты и методы стабилизации. Модуляция в цифровых системах подвижной связи.
учебное пособие, добавлен 08.06.2015Производственный процесс по изготовлению транзисторов, диодов, микросхем, процессоров, микроконтроллеров. Технологические и контрольные операции при производстве полупроводниковых изделий. Использование фотолитографии и литографического оборудования.
презентация, добавлен 21.03.2022Проектирование предварительного усилителя на ИМС. Расчет напряжений питания, потребляемой мощности, КПД, мощности на коллекторах транзисторов, расчет площади теплоотводов. Выбор операционного усилителя, расчет элементов цепи ООС, выходных напряжений.
методичка, добавлен 04.04.2013Основные параметры и предназначение аналоговых компараторов, их отличие от цифровых коммутаторов. Схема и принцип работы триггера Шмитта. Динамические характеристики ключей на биполярных и полевых транзисторах, способы повышения их быстродействия.
презентация, добавлен 27.09.2017Выбор функциональной схемы измерительного усилителя переменного напряжения. Расчет сопротивления обратной связи. Снижение коэффициента нелинейных искажений. Выбор транзисторов по току для бестрансформаторных схем. Частотные свойства выходных транзисторов.
курсовая работа, добавлен 06.06.2014Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Выходные (стоковые), передаточные (стоко-затворные) и вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Графо-аналитический и аналитический методы определения основных параметров ПТ.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2021Цифровая схема логики или-не на биполярных транзисторах из идентичных каскадов, состоящих из биполярного транзистора, резистора и конденсатора. Электрические параметры элементов схемы. Последовательность расчета параметров биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.03.2011Анализ и расчет электрической цепи постоянного тока. Расчет упрощенной схемы цепи методом узловых напряжений. Расчет сложной электрической цепи постоянного тока с двумя источниками напряжения и шестью ветвями. Расчет однофазной цепи переменного тока.
курсовая работа, добавлен 23.02.2021Влияние вариаций различных изменяемых переменных (источников напряжения и постоянного тока, температуры компонентов, значений сопротивления) на цепь постоянного тока. Анализ цепи постоянного тока DC Sweep с изменяемым значением сопротивления нагрузки.
лабораторная работа, добавлен 21.08.2013Усилителями постоянного тока как устройства, предназначенные для усиления медленно изменяющихся сигналов, знакомство с отличительными особенностями. Способы моделирования усилителя постоянного тока с помощью программного обеспечения Electronics WorkBench.
курсовая работа, добавлен 22.02.2019Расчет и выбор транзисторов. Максимальный ток коллектора. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора. Минимальные нелинейные искажения для малых сигналов. Расчет общего входного сопротивления схемы. Расчет эмиттерного повторителя и элементов схемы.
курсовая работа, добавлен 10.03.2015Измерение и аппроксимация температурных зависимостей основных параметров моделей p-канальных МОП-транзисторов в широком диапазоне температур. Моделирование температурных режимов усилителей на МОП-транзисторах в электронных симуляторах SPICE-типа.
статья, добавлен 30.05.2017Физика работы транзистора. Параметры биполярного транзистора. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области. Метод тройной диффузии. Параметры диффузионных процессов. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012Требования к монтажу кристаллов MOS-транзисторов. Технологии пайки эвтектическим сплавом золото-кремний и припоями из сплавов металлов. Особенности монтажа на токопроводящую клеевую композицию. Подготовка поверхности для обеспечения процесса пайки.
дипломная работа, добавлен 28.08.2018Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Транзистор, его функциональные особенности. Возникновение транзисторов, их классификация и применение. Полевые транзисторы, расчёт и построение нагрузочной прямой. Биполярные транзисторы, расчёт усилительного каскада. Общие сведения об электронных ключах.
курсовая работа, добавлен 21.11.2013Основные рекомендации относительно правильного выполнения параллельного соединения полевых транзисторов. Способы решения проблемы защиты своих устройств от токов короткого замыкания. Специфические потери обратного восстановления паразитных диодов.
реферат, добавлен 30.08.2010Конструкция, строение и принцип действия транзисторов. Анализ их работы с разной схемой включения. Виды параметров транзисторов. Типы приборов и их системы обозначений. Расчет маломощного биполярного транзистора на основе германия, усиление его мощности.
курсовая работа, добавлен 18.12.2012Структурная схема электронного устройства, покаскадный расчет. Эквивалентная схема коллекторной цепи усилительного каскада для переменного тока. Упрощенная схема для расчета времени установления. Ждущий мультивибратор с эмиттерной связью, запуском.
курсовая работа, добавлен 03.06.2011Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 30.11.2013Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019- 122. Полевые транзисторы
Характеристика и схема полевых транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором, как полупроводниковых приборов, в которых ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010 Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010Конструктивное решение триггерного устройства. Структурная схема универсального статического JK-триггера. Логическое проектирование. Структурная схема счетчика. Схемотехническое проектирование транзисторов. Принципы топологического проектирования.
курсовая работа, добавлен 12.11.2017Транзисторы как полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления мощности. Структура и технические характеристики прибора. Принцип действия и свойства n–p–n транзистора. Коэффициенты усиления с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 19.01.2011