Фотоелектричні властивості поверхні (111) алмазних полікристалічних плівок
Аналіз електронних станів на основі параметрів фотовідгуку у приповерхневій області широкозонних матеріалів (алмазні полікристалічні плівки), при взаємодії з випромінюванням інфрачервоного регіону. Взаємодія спектральних параметрів джерел випромінювання.
Подобные документы
Фазовий склад, структурний стан поверхні, особливості дифузійних процесів та електрофізичні властивості дво- та тришарових плівок на основі Cr, Cu і Sc (Со), їх аналіз. Моделювання термо- та тензорезистивних властивостей тришарових плівкових систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Дослідження впливу умов отримання та модифікації вуглецевих матеріалів на їх структурну досконалість, оптичні та механічні властивості. Вивчення полікристалічних алмазних та аморфних алмазоподібних плівок. Оцінка нанопористі вуглецевих композитів.
автореферат, добавлен 12.08.2014Оптимальні параметри для отримання алмазоподібних плівок в умовах електромагнітного опромінювання ростової поверхні. Механізми впливу випромінювання видимого і УФ-діапазонів на процеси росту і структуру плівок. Дія електромагнітного випромінювання.
автореферат, добавлен 29.09.2015Встановлення умов існування автолокалізованих електронних станів в молекулярних ланцюжках. Побудова параметричних діаграм основних електронних станів. Знаходження параметрів солітонів в дискретних ланцюжках, властивостей зумовленого дискретністю рельєфу.
автореферат, добавлен 10.01.2014Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014Аналіз параметрів для отримання алмазоподібних плівок в умовах електромагнітного опромінювання ростової поверхні. Розрахунок швидкості росту плівок з урахуванням чинника електромагнітного опромінювання у моделях газофазного росту алмазоподібного вуглецю.
автореферат, добавлен 25.02.2015Встановлення виду гамільтоніану взаємодії поверхневих електронів з неоднорідностями дна плівки гелію на твердій підкладці. Кінетичні властивості квазідво- і квазіодновимірної електронних систем, створених з використанням властивостей поверхні гелію.
автореферат, добавлен 10.08.2014Визначення структурних змін на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання. Вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.07.2015Залежності ефективності перетворення короткохвильового випромінювання в довгохвильове від параметрів зовнішніх впливів і параметрів кристалів. Температурний діапазон, в межах якого досягаються найвищі значення ефективності перетворення в монокремнії.
автореферат, добавлен 25.08.2014Встановлення взаємозв'язку структури алмазних та алмазоподібних вуглецевих плівок з умовами осадження. Дослідження фоточутливості отриманих гетеропереходів в ультрафіолетовій області випромінювання. Практичне використання плівок в оптоелектроніці.
автореферат, добавлен 22.04.2014Модель двошарової плівки, що складається із полікристалічних шарів металу різної товщини та ступеня чистоти. Залежність коефіцієнта двошарової полікристалічної плівки від відношення товщин шарів металу та зерномежового параметра, взаємодія носіїв заряду.
доклад, добавлен 30.10.2010Характеристика фізичної природи інфрачервоного випромінювання – оптичного випромінювання з довжиною хвилі більшою ніж у видимого випромінювання. Область застосування інфрачервоного випромінювання. Дослідження природи ультрафіолетового випромінювання.
презентация, добавлен 16.05.2016Метод розрахунку параметрів електронної структури сплавів на основі перехідних елементів з врахуванням впливу топологічного розупорядкування атомів. Моделювання густини електронних станів АМС на основі Ni, порівняння результату з даними досліджень.
автореферат, добавлен 20.04.2014Іонолюмінесценція широкозонних твердих тіл і іонно-фотонна емісія в області низьких значень енергії іонів коливального збудження частинок на поверхні і в об'ємі іонного удару та релаксації високозбуджених коливальних станів по електронному каналу.
автореферат, добавлен 26.08.2014Аналіз розмірних ефектів у електрофізичних властивостях плівкових систем на основі дисперсних і нанокристалічних шарів. Вплив температури та деформації на питомий опір, коефіцієнт поздовжньої тензочутливості, сутність електроперенесення двошарових плівок.
автореферат, добавлен 24.07.2014Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Механізм формування підсистеми дефектів структури, обумовлених дією опромінення, легування та термічної обробки та її вплив на електричні властивості тонких моно- і полікристалічних плівок. Електрофізичні властивості тонких плівок халькоґенідів плюмбуму.
автореферат, добавлен 13.08.2015- 19. Фотоелектричні властивості багатошарових напівпровідникових SiGe гетероструктур з наноострівцями
Розрахунок зонної діаграми гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, використовуючи данні про компонентний склад та деформації SiGe наноострівців, отримані з аналізу спектрів. Взаємодія оптичного випромінювання з багатошаровими гетероструктурами з SiGe.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Зміни параметрів спектрів пропускання багатошарових інтерференційних структур (БІС) вузькосмугових оптичних фільтрів в залежності від поляризації та кута падіння. Визначення ефективності використання збіжності або розбіжності потоків випромінювання.
статья, добавлен 19.02.2016Експериментальні дані диференціальних перерізів реакції при енергії Елаб.(10B)=51МеВ для основних і збуджених станів 8Bе. Аналіз за методом зв’язаних каналів реакцій. Визначення параметрів потенціалу взаємодії ядер. Дослідження їх енергетичної залежності.
статья, добавлен 07.10.2013Встановлення та пояснення оптичних властивостей пористого кремнезему. Побудова моделей адсорбційних центрів на поверхні пор. Вивчення тонких металевих плівок, осаджених на поверхню кремнезему лазерним методом. Оптичні параметри осадженої плівки.
автореферат, добавлен 27.02.2014Формування потоку рентгенівського випромінювання електронно-променевих приладів з урахуванням конструктивних параметрів, характеристика електричних режимів роботи рентгенівської трубки. Виявлення дефектів зварних з’єднань контрольованного об’єкта.
автореферат, добавлен 28.07.2014Вплив виду, концентрації легуючої домішки на фазовий склад і параметри кристалічної структури, оптичні й електричні властивості плівок оксиду цинку. Оптимізація технологічних параметрів різних видів магнетронного розпилення для одержання легованих плівок.
автореферат, добавлен 30.07.2014Результати теоретичних досліджень, пов’язаних з методикою розрахунку енергетичних параметрів лазерного випромінювання, які потрібні для реалізації методу цифрової трасерної візуалізації. Характеристики приймача випромінювання, формування лазерної площини.
статья, добавлен 29.07.2016