Описание диода Шоттки, стабилитрона, варикапа и тиристора

Устройство и работа полупроводниковых диодов. Строение диода и обозначение диода на схеме. Включение диода в обратном направлении. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения. Энергетические диаграммы p-n-перехода туннельного диода.

Подобные документы

  • Изучение зонных диаграмм полупроводников, диэлектриков и металлов. Определение принципа работы полупроводникового стабилитрона. Рассмотрение каскада усиления на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером и режима работы биполярного транзистора.

    контрольная работа, добавлен 24.12.2013

  • Описание действия потока электронов в вакууме. Применение вакуумных диодов. Параметры триода: внутреннее сопротивление, коэффициент усиления, крутизна характеристики анодного тока, их характеристика. Достоинства и недостатки четырехэлектродных ламп.

    реферат, добавлен 20.09.2014

  • Исследование взаимодействия электромагнитных волн в бесконечном излучающем электромагнитном кристалле, элементы которого содержат резистивно-емкостные нелинейные двухполюсники, являющиеся моделью полупроводниковых диодов. Изучение детектирования сигнала.

    статья, добавлен 04.11.2018

  • Описание строения тиристора - полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла с тремя или более p-n переходами. Нелинейная вольтамперная характеристика тиристоров и их основные типы. Использование реле времени, стабилитрона и конденсатора.

    реферат, добавлен 20.03.2011

  • Физика работы светоизлучающих диодов на основе нанопроводов ZnO. Излучательная рекомбинация в объеме материала. Внутренний и внешний квантовый выход излучения. Методы получения полупроводниковых наноструктур. Технология формирования плёнок оксида цинка.

    дипломная работа, добавлен 12.11.2014

  • Эффект резонансного туннелирования в тонкопленочных гетероструктурах. Свойства резонансно-туннельных диодов. Коэффициенты отражения и прохождения. Коэффициент прохождения носителя заряда через двухбарьерную наноструктуру. Энергия носителя заряда.

    статья, добавлен 28.05.2017

  • Приборы с четырехслойной структурой как подвид семейства полупроводниковых приборов. Устройство, принцип работы, обозначения диодных и триодных тиристоров, их вольтамперные характеристики. Включение триодных тиристоров постоянным и импульсным токами.

    контрольная работа, добавлен 11.09.2013

  • Исследование однофазной однополупериодной и трехфазной нулевой схемы выпрямления в программе Multisim, а также схемы Ларионова. Вычисление среднего значения выпрямленного напряжения, тока вентиля, частоты пульсации и амплитуды обратного напряжения.

    лабораторная работа, добавлен 11.03.2014

  • Схема измерительной цепи. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Строение тиристора, принцип его действия. Характеристика динистора, основные недостатки отключения управляемого тиристора.

    лабораторная работа, добавлен 27.06.2015

  • История создания и развития диодов и триодов. Их типы и назначение. Применение диодных выпрямителей и переключателей. Защита входов аналоговых и цифровых схем от перегрузки. Основные части электро-лучевой трубки. Устройство чёрно-белого кинескопа.

    реферат, добавлен 31.05.2016

  • Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.

    реферат, добавлен 27.01.2011

  • Принцип работы механоэлектрических резистивных преобразователей. Реостат как устройство для регулирования напряжения и тока в электрической цепи. Тензо-, фото- и терморезисторы. Особенности конструкции интегральных полупроводниковых тензорезисторов.

    контрольная работа, добавлен 24.04.2013

  • Описание свойств транзистора с помощью вольтамперных характеристик. Модель Эберса-Молла или модель транзистора на постоянном токе. Включение транзистора по схеме общий эмиттер в схемотехнике. Основные параметры транзистора. Коллекторная характеристика.

    презентация, добавлен 20.07.2013

  • Энергетические зоны примесей и дефектов. Локализация электронных состояний на дефекте структуры. Теория туннельного эффекта. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннелирование электронов в твёрдых телах. Работа квантового транзистора.

    контрольная работа, добавлен 23.04.2024

  • Типы лазеров: газоразрядные, эксимерные, химические, полупроводниковые. Применение лазеров в промышленности и их использование в информационных технологиях. Устройство и принцип работы CD-ROM и DVD-ROM. Применение лазеров в медицине и военной технике.

    курсовая работа, добавлен 22.01.2009

  • Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.

    книга, добавлен 07.08.2013

  • Расчет туннельного тока, проходящего через иглу туннельного микроскопа. Измерение рельефа поверхности с помощью туннельного микроскопа. Оценка размеров конца иглы. Изменения в монохромном изображении, к которым приводит учет радиуса закругления иглы.

    статья, добавлен 28.10.2018

  • Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.

    статья, добавлен 31.07.2018

  • Устройство и основы работы тиристора. Предельно допустимые значения и характеризующие параметры тиристоров. Вольтамперная характеристика и составляющие токов в тиристоре. Структура и вольтамперные показатели симистора. Принцип действия фототиристора.

    реферат, добавлен 21.09.2017

  • Свойства лазерного излучения и его преимущество по сравнению с другими источниками света. Устройство рубинового лазера. Классификация лазеров и их характеристики. Принцип работы твёрдотелых, полупроводниковых, жидкостных и ультрафиолетовых лазеров.

    реферат, добавлен 02.05.2012

  • Исследование конструкции туннельного микроскопа. Анализ упругих свойств звена манипулятора горизонтальных перемещений. Оценка величины отклонений иглы при действии периодических возмущений на основании измерительного блока, при колебаниях основания.

    статья, добавлен 28.10.2018

  • Формирование воспроизводимых профилей распределения легирующих примесей. Совершенствование и разработка новой элементной базы твердотельной электроники на основе наноразмерных гетероструктур. Изготовление контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки.

    статья, добавлен 30.05.2017

  • Изучение проблемы обеспеченности мировой экономики топливно-энергетическими ресурсами. Наиболее распространенные энергетические ресурсы. Обозначение тенденций перехода на альтернативные виды топлива и энергии. Перспектива развития водородного топлива.

    статья, добавлен 12.04.2019

  • Основное определение, диапазон применения и классификация тиристоров. Обозначение на схемах, принцип работы, модель полупроводниковой структуры и вольтамперная характеристика тиристора. Регулятор напряжения и мощный управляемый выпрямитель на тиристорах.

    реферат, добавлен 03.07.2013

  • Продемонстрировано работу релейной защиты при срабатывании АПВ (автоматическое повторное включение). Схема электрического АПВ однократного действия для линии с масляным выключателем. Лабораторная работа по данной теме, выполненная на языке Visual Basic.

    лабораторная работа, добавлен 13.11.2018

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.