Описание диода Шоттки, стабилитрона, варикапа и тиристора
Устройство и работа полупроводниковых диодов. Строение диода и обозначение диода на схеме. Включение диода в обратном направлении. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения. Энергетические диаграммы p-n-перехода туннельного диода.
Подобные документы
Изучение зонных диаграмм полупроводников, диэлектриков и металлов. Определение принципа работы полупроводникового стабилитрона. Рассмотрение каскада усиления на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером и режима работы биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 24.12.2013Описание действия потока электронов в вакууме. Применение вакуумных диодов. Параметры триода: внутреннее сопротивление, коэффициент усиления, крутизна характеристики анодного тока, их характеристика. Достоинства и недостатки четырехэлектродных ламп.
реферат, добавлен 20.09.2014Исследование взаимодействия электромагнитных волн в бесконечном излучающем электромагнитном кристалле, элементы которого содержат резистивно-емкостные нелинейные двухполюсники, являющиеся моделью полупроводниковых диодов. Изучение детектирования сигнала.
статья, добавлен 04.11.2018Описание строения тиристора - полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла с тремя или более p-n переходами. Нелинейная вольтамперная характеристика тиристоров и их основные типы. Использование реле времени, стабилитрона и конденсатора.
реферат, добавлен 20.03.2011Физика работы светоизлучающих диодов на основе нанопроводов ZnO. Излучательная рекомбинация в объеме материала. Внутренний и внешний квантовый выход излучения. Методы получения полупроводниковых наноструктур. Технология формирования плёнок оксида цинка.
дипломная работа, добавлен 12.11.2014Эффект резонансного туннелирования в тонкопленочных гетероструктурах. Свойства резонансно-туннельных диодов. Коэффициенты отражения и прохождения. Коэффициент прохождения носителя заряда через двухбарьерную наноструктуру. Энергия носителя заряда.
статья, добавлен 28.05.2017Приборы с четырехслойной структурой как подвид семейства полупроводниковых приборов. Устройство, принцип работы, обозначения диодных и триодных тиристоров, их вольтамперные характеристики. Включение триодных тиристоров постоянным и импульсным токами.
контрольная работа, добавлен 11.09.2013Исследование однофазной однополупериодной и трехфазной нулевой схемы выпрямления в программе Multisim, а также схемы Ларионова. Вычисление среднего значения выпрямленного напряжения, тока вентиля, частоты пульсации и амплитуды обратного напряжения.
лабораторная работа, добавлен 11.03.2014- 109. Управляемый тиристор
Схема измерительной цепи. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Строение тиристора, принцип его действия. Характеристика динистора, основные недостатки отключения управляемого тиристора.
лабораторная работа, добавлен 27.06.2015 - 110. Диоды и триоды
История создания и развития диодов и триодов. Их типы и назначение. Применение диодных выпрямителей и переключателей. Защита входов аналоговых и цифровых схем от перегрузки. Основные части электро-лучевой трубки. Устройство чёрно-белого кинескопа.
реферат, добавлен 31.05.2016 Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
реферат, добавлен 27.01.2011Принцип работы механоэлектрических резистивных преобразователей. Реостат как устройство для регулирования напряжения и тока в электрической цепи. Тензо-, фото- и терморезисторы. Особенности конструкции интегральных полупроводниковых тензорезисторов.
контрольная работа, добавлен 24.04.2013Описание свойств транзистора с помощью вольтамперных характеристик. Модель Эберса-Молла или модель транзистора на постоянном токе. Включение транзистора по схеме общий эмиттер в схемотехнике. Основные параметры транзистора. Коллекторная характеристика.
презентация, добавлен 20.07.2013Энергетические зоны примесей и дефектов. Локализация электронных состояний на дефекте структуры. Теория туннельного эффекта. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннелирование электронов в твёрдых телах. Работа квантового транзистора.
контрольная работа, добавлен 23.04.2024Типы лазеров: газоразрядные, эксимерные, химические, полупроводниковые. Применение лазеров в промышленности и их использование в информационных технологиях. Устройство и принцип работы CD-ROM и DVD-ROM. Применение лазеров в медицине и военной технике.
курсовая работа, добавлен 22.01.2009Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Расчет туннельного тока, проходящего через иглу туннельного микроскопа. Измерение рельефа поверхности с помощью туннельного микроскопа. Оценка размеров конца иглы. Изменения в монохромном изображении, к которым приводит учет радиуса закругления иглы.
статья, добавлен 28.10.2018Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Устройство и основы работы тиристора. Предельно допустимые значения и характеризующие параметры тиристоров. Вольтамперная характеристика и составляющие токов в тиристоре. Структура и вольтамперные показатели симистора. Принцип действия фототиристора.
реферат, добавлен 21.09.2017Свойства лазерного излучения и его преимущество по сравнению с другими источниками света. Устройство рубинового лазера. Классификация лазеров и их характеристики. Принцип работы твёрдотелых, полупроводниковых, жидкостных и ультрафиолетовых лазеров.
реферат, добавлен 02.05.2012Исследование конструкции туннельного микроскопа. Анализ упругих свойств звена манипулятора горизонтальных перемещений. Оценка величины отклонений иглы при действии периодических возмущений на основании измерительного блока, при колебаниях основания.
статья, добавлен 28.10.2018Формирование воспроизводимых профилей распределения легирующих примесей. Совершенствование и разработка новой элементной базы твердотельной электроники на основе наноразмерных гетероструктур. Изготовление контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки.
статья, добавлен 30.05.2017Изучение проблемы обеспеченности мировой экономики топливно-энергетическими ресурсами. Наиболее распространенные энергетические ресурсы. Обозначение тенденций перехода на альтернативные виды топлива и энергии. Перспектива развития водородного топлива.
статья, добавлен 12.04.2019Основное определение, диапазон применения и классификация тиристоров. Обозначение на схемах, принцип работы, модель полупроводниковой структуры и вольтамперная характеристика тиристора. Регулятор напряжения и мощный управляемый выпрямитель на тиристорах.
реферат, добавлен 03.07.2013Продемонстрировано работу релейной защиты при срабатывании АПВ (автоматическое повторное включение). Схема электрического АПВ однократного действия для линии с масляным выключателем. Лабораторная работа по данной теме, выполненная на языке Visual Basic.
лабораторная работа, добавлен 13.11.2018