Фізичні властивості кристалів сульфіду та селеніду цинку з дислокаціями
Роль часткових дислокацій, що рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення змін фізичних властивостей кристалів сульфіду та селеніду цинку, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
Подобные документы
Вивчення дисперсійних залежностей фононних станів оксиду цинку в напрямку Г – А зони Бріллуена. Особливості взаємодії елементарних збуджень електронного типу в монокристалах ZnO та CdSe та низькотемпературних спектрів лазеру нанокристалічного ZnO.
автореферат, добавлен 27.07.2014Вивчення фізичних властивостей домішкових та дефектних центрів у синтетичних кристалах. Дослідження донорів азоту, закономірностей температурної та концентраційної поведінки карбіду кремнію. Вивчення стрибкового механізму делокалізації електронів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Методика вирощування монокристалів лангбейнітів і їх рентгеноструктурне дослідження. Аналіз доменної структури кристалів при фазових переходах. Послідовність вимірювання показника теплового лінійного розширення за допомогою кварцового дилатометра.
автореферат, добавлен 22.06.2014Дослідження з метою виявлення електрооптичних властивостей композитів ліотропних іонних рідких кристалів та віологену і встановлення зв’язку між цими властивостями. Аналіз голографічного запису динамічних ґраток на забарвлених зразках композитів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Огляд феноменологічного та експериментального вивчення ефектів параметричної кристалооптики, які виникають під дією статичних неоднорідних механічних полів: тензорний аналіз деформацій кручення, згинання, їх вплив на гіротропні властивості кристалів.
автореферат, добавлен 12.02.2014Дослідження змін рекомбінаційних процесів у бінарних сполуках сульфіду кадмію при варіюванні параметрів надвисокочастотного опромінювання. Вплив слабких магнітних полів на випромінювальну рекомбінацію в напівпровідниках з різною морфологією поверхні.
автореферат, добавлен 29.09.2014Вплив умов кристалізації на атомну будову поверхонь кристалів. Фактори, що впливають на рельєф плівок при рідкофазній епітаксії. Роль адсорбційних процесів при рості кристалів. Характеристика механізму утворення плівок шляхом конденсації з газової фази.
автореферат, добавлен 27.08.2015Дослідження процесів динамічного розсіяння Х-променів у кристалах кремнію, що містять різного типу дислокаційні петлі та бар’єри. Чисельне розв’язування рівнянь Такагі. Вплив деформаційних полів дислокаційних петель на Х-променеву акустичну взаємодію.
автореферат, добавлен 27.07.2014Вивчення впливу термічного відпалу, оточуючої атмосфери, електричного поля та дії опромінення на закономірності емісії електронів з грані (000І) кристалів CdS. Встановлення електрофізичних параметрів структур, отриманих на грані (000І) монокристалів CdS.
автореферат, добавлен 25.08.2014Побудова функції розподілу атомних зміщень простого ідеального кристалу та зведення її до бінарної функції розподілу з урахуванням кореляцій руху сусідніх атомів. Обчислення вільної енергії, рівняння стану та термодинамічних функцій простих кристалів.
автореферат, добавлен 13.07.2014Механізми утворення дефектів і їх впливу на електричні, фотоелектричні і оптичні властивості монокристалів сульфіду кадмію опромінених частинками підпорогової енергії. Дослідження лазерного відпалу центрів рекомбінації в опромінених монокристалах.
автореферат, добавлен 29.08.2015Створення методів теоретичного дослідження матеріалів в екстремальних умовах для прогнозу властивостей в стані у важко вимірюваних областях. Розрахунок дисперсійних кривих сильно стиснених кристалів інертних газів в симетричних напрямах зони Бріллюена.
автореферат, добавлен 28.08.2015Результати діелектричних досліджень сегнетиелектричних кристалів CuIn1+гамаP2S6 в температурному інтервалі 293-450 К при дії гідростатичних тисків до р=300МПа. Етапи побудови фазової p,T-діаграми кристалів; причини її відхилення від лінійного закону.
контрольная работа, добавлен 27.12.2016Розгляд підходу до спектроскопії свинцевих активаторних центрів у лужно-галоїдних кристалах. Опис методики створення монокристалів та дослідження їх люмінесцентно-кінетичних властивостей. Аналіз впливу квантово-розмірного ефекту на властивості кристалів.
автореферат, добавлен 29.04.2014Розробка теоретичної та експериментальної бази для проведення досліджень квантових кристалів за умов наднизьких температур. Дослідження особливостей кінетичних процесів, що відбуваються в квантових кристалах в період ізотопічних фазових переходів.
автореферат, добавлен 13.07.2014- 91. Вплив активних зовнішніх факторів на особливості випромінювальної рекомбінації кристалів Cd1-xZnxTe
Зміни люмінесцентних властивостей кристалів, викликані впливом активних зовнішніх факторів: термообробка, лазерне опромінення. Вивчення фотолюмінесценції кристалічних детекторів іонізуючого випромінювання. Аналіз впливу малих доз радіації на кристали.
автореферат, добавлен 12.07.2015 Теорія оптичних констант. Дослідження поверхневих поляритонів в напівпровідниках та діелектриках. Метод порушеного повного відбивання. Поверхневі поляритони в системі ZnO на сапфірі. Дослідження структури окису цинку на сапфірі методами ІЧ спектроскопії.
курсовая работа, добавлен 09.05.2020Дослідження оптичних та нелінійно-оптичних властивостей кристалів ніобату літію та кристалів групи боратів. Вивчення таких НЛО ефектів як генерація вищих оптичних гармонік, генерація сумарної частоти, фотоіндукована генерація другої оптичної гармоніки.
автореферат, добавлен 30.07.2015Аналіз залежності від електричного поля діелектричної проникності кристалів при різних значеннях температури вимірювання. Дослідження специфічних особливостей процесів переполяризації кристалічних матеріалів в синусоїдальних та імпульсних полях.
автореферат, добавлен 28.07.2014Методика аналізу порошкових дифрактограм для визначення кількісних характеристик структури одномірно розвпорядкованих полікристалів. Визначення типу і густини ансамблю планарних дефектів, густини дислокацій та розміру областей когерентного розсіяння.
автореферат, добавлен 28.06.2014Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Закономірності впливу іонів Cr і Mn на формування термо- і фотоелектретних станів та на діелектричні властивості кристалів BSO у звуковому діапазоні частот. Об'ємно-зарядовий і квазідипольний механізми поляризації. Особливості термічного дефектоутворення.
автореферат, добавлен 07.03.2014Кристалічні речовини, їх характерні властивості, як: стала температура плавлення, спайність, анізотропія, пружність. Існування рідких кристалів, їх застосування для створення осциляторів для годинників, радіо, телевізорів, електронних ігор, комп’ютерів,
презентация, добавлен 27.02.2020- 99. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Створення елементної бази сенсорів температури та деформації на основі ниткоподібних кристалів твердого розчину Si1-хGeх, вплив магнітного поля на їх характеристики. П’єзорезистивні і термоелектричні властивості кристалів в області низьких температур.
автореферат, добавлен 28.07.2014