Примесная проводимость полупроводников
Обусловленность примесной проводимости примесями и дефектами типа избыточных атомов. Возникновение электронной проводимости в полупроводниках с примесью. Особенности изменения положения уровня Ферми при наличии примесных уровней в полупроводниках.
Подобные документы
Квантовые поправки к проводимости двумерных структур на основе GaAs. Определение области проводимостей, в которой теория квантовых поправок количественно согласуется с экспериментальными данными. Неомическая проводимость двумерного электронного газа.
автореферат, добавлен 08.02.2013Модель преобразователя пространства состояний в преобразователях постоянного тока в режиме прерывистой проводимости. Метод моделирования и процедуры для проектирования широтно-импульсной модуляции. Закон управления, использующий функцию переключения.
реферат, добавлен 26.07.2015Изучение основ электронной теории проводимости металлов. Анализ экспериментального доказательства создания тока в металлах свободными электронами. Характеристика полного вытеснения магнитного поля из материала при переходе в сверхпроводящее состояние.
презентация, добавлен 18.05.2012Кристаллическая решетка полупроводников. Изучение периодичности расположения атомов в пространстве. Индексы узлов направлений и плоскостей в кристалле. Возникновение сразу двух точечных дефектов. Полное или частичное испарение атомов с поверхности.
статья, добавлен 04.12.2018Рассмотрение использования функции состояния системы для описания систем в квантовой механике. Приведение решения координатного уравнения Шредингера. Нахождение коэффициента надбарьерного отражения, энергии Ферми и зависимости уровня Ферми от температуры.
контрольная работа, добавлен 16.10.2014Эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник. Энергия активации проводимости полупроводниковых переключателей. Свойства полупроводников, электропроводность металлических сплавов. Строение выпрямителей, усилителей и принцип их действия.
реферат, добавлен 10.01.2018Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Демонстрация проявлений аномальной проводимости в полярных диэлектрических пленках на образцах сополимера винилена и винилхлорида, полученных в результате термообработки. Зависимость поперечного и продольного удельного сопротивления от времени ТО.
статья, добавлен 24.07.2018- 59. Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge28.5Рb15S56.5 с примесью железа
Исследование электронных свойств и роли локализованных состояний, определяющих особенности щели подвижности в халькогенидных полупроводниках. Введение железа в стекла и последующий рост электропроводности и уменьшение энергии активации электропроводности.
статья, добавлен 12.05.2018 - 60. Расчет напряженности электрического и магнитного полей изотропного излучателя в однородной среде
Взаимодействие электрической и магнитной компонент с электронами, входящими в состав атомов вещества при прохождении электромагнитной волны через диэлектрик. Зависимость глубины проникновения волны в проводящую среду от частоты волны и проводимости среды.
статья, добавлен 29.09.2012 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
лабораторная работа, добавлен 19.12.2015- 62. Квантовая физика
Макроскопические проявления квантовых законов проводимости твердых тел и их применение в электронной и измерительной технике. Потенциальные барьеры и ямы. Изучение физики атомов и молекул. Гипотеза де Бройля. Уравнение Шредингера. Опыт Штерна и Герлаха.
курс лекций, добавлен 04.11.2013 - 63. Основы физики
Закон изменения тока в цепи. Расчет посредственности импульсов при помощи функции Хэвисайда. Определение проводимости цепи; его зависимость от частоты. Нахождение сопротивления параллельного и последовательного соединения резистора и конденсатора.
контрольная работа, добавлен 11.05.2018 Анализ туннельной плотности поверхностных состояний и проводимости поверхностной реконструкции Si(111)-7x7 образцов с величиной удельного сопротивления 1 Ωсм. Измерения температурной зависимости проводимости поверхности в диапазоне температур от 35-1
статья, добавлен 03.11.2018Теория кристаллического поля. Учет кулоновского и спин-орбитального взаимодействия. Кулоновские корреляции и электронно–дырочная жидкость в двойных квантовых ямах. Расчет вклада кулоновского взаимодействия в энергию связанного оптического электрона.
дипломная работа, добавлен 09.09.2015Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.
презентация, добавлен 29.08.2015Термомагнитные явления в полупроводниках: поперечный и продольный эффекты Нернста - Эттингсгаузена. Термоэлектрические явления: эффекты Зеебека, Пельтье, Томпсона. Характеристика электронно-дырочного p-n перехода. Физический смысл эффектов Холла и Ганна.
реферат, добавлен 23.03.2014Линейная и квадратичная рекомбинация. Линейная и сублинейная зависимость фототока от интенсивности света. Очувствление фотопроводника путём введения новых рекомбинационных уровней. Зависимость времени жизни от положения уровня Ферми в полупроводнике.
дипломная работа, добавлен 30.03.2017Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.
лекция, добавлен 23.06.2013Исследование неравновесных населенностей состояний мелких доноров и акцепторов в полупроводниках кремния, германия. Измерение малосигнального коэффициента терагерцового усиления. Отработка методики низкотемпературной внутрирезонаторной спектроскопии.
автореферат, добавлен 15.02.2018Полупроводники как вещества, занимающие по величине удельной электрической проводимости промежуточное положение между металлами и диэлектриками: знакомство с видами, общая характеристика структуры. Анализ схемы энергетических состояний электронов.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Оптические свойства, поглощение в Германии. Редкоземельные элементы, размещение лантаноидов в соответствии с их электронным строением и периодическим законом Менделеева. Контактный метод определения типа проводимости и спектрофотометр инфракрасный.
курсовая работа, добавлен 01.08.2014Рассмотрение акустических эффектов в пьезоэлектрических полупроводниках. Анализ влияния электрического поля на поглощение и усиление звука. Происхождение нелинейных взаимодействий в диэлектрике. Проведение опытов по усилению тепловых звуковых флуктуаций.
доклад, добавлен 07.06.2010Исследование электрической проводимости газов. Изменение электропроводности под действием нагрева и ионизации. Изучение свойств ионной проводимости. Рассмотрение явлений искрового разряда и молнии. Принципы применения коронного и дугового разрядов.
реферат, добавлен 12.02.2015Построение вольт-амперной и световой характеристик, удельная чувствительность фотосопротивления. Внутренний фотоэффект в собственных и примесных полупроводниках с точки зрения зонной теории. Построение люкс-амперных характеристик фотосопротивления.
лабораторная работа, добавлен 12.09.2019