Стохастичний режим модульованої структури в неспівмірній фазі кристалів [N(CH3)4]2MeCl4 (Me=Cu, Zn, Fe)
Закономірності еволюції неспівмірної надструктури в стохастичному режимі у діелектричних кристалах. Температурна поведінка двозаломлення в фазових переходах, за умови існування неспівмірної модуляції у кристалах, її аналіз в межах феноменологічної теорії.
Подобные документы
Встановлення природи фазового переходу в кристалах слабкого сегнетоелектрика гептагерманата літію (LGO). Процеси поляризації в кристалах LGO. Вплив зовнішніх факторів на поведінку діелектричної проникності в районі температури фазового переходу.
автореферат, добавлен 29.08.2013Експериментальне визначення впливу окремих структурних груп на процеси формування різних низькотемпературних фаз у змішаних кристалах у подальшому розвитку уявлень про механізм фазового переходу до антифероелектричного стану в кристалах сімейства KDP.
автореферат, добавлен 06.07.2014Політипність досліджуваних кристалів TlInS2 і TlGaSe2. Вплив всебічного стиснення кристалів на область існування неспівмірно-модульованої фази. Особливості впливу гідростатичного тиску і температури на оптичні та діелектричні властивості кристалів.
автореферат, добавлен 14.08.2015Розробка теоретичної та експериментальної бази для проведення досліджень квантових кристалів за умов наднизьких температур. Дослідження особливостей кінетичних процесів, що відбуваються в квантових кристалах в період ізотопічних фазових переходів.
автореферат, добавлен 13.07.2014Аналіз електронного спектра (ЕС) шаруватої наногібридної структури. Зміни ЕС та густини електронних станів у шаруватих кристалах, що виникають при модуляції їх структури за рахунок утворення періодично розташованих пакетів із невеликої кількості шарів.
статья, добавлен 13.10.2016Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.04.2014Вивчення фазової діаграми "температура-концентрація" для кристалів шаруватих сегнетоелектриків. Аналіз їх коливних спектрів і термодинамічних властивостей. Особливості дипольного упорядкування, що відбувається у кристалах при заміщенні сірки на селен.
автореферат, добавлен 30.08.2014Виявлення специфічних механізмів перенесення тепла у молекулярних кристалах та їхніх розчинах при температурах порядку і вище дебаєвських в орієнтаційно-впорядкованих та орієнтаційно-невпорядкованих фазах молекулярних кристалів з фазовими переходами.
автореферат, добавлен 25.09.2015- 34. ЕПР перехідних іонів в кристалах з структурою перхлорату гексагідрату: ефекти температури і тиску
Дослідження спектрів та аналіз параметрів спінових гамільтоніанів. Характер викривлень лігандного оточення парамагнітного іону в кристалах фторборатів і перхлоратів. Аналіз наростання розупорядкування при азотній та при кімнатній температурах.
автореферат, добавлен 28.08.2014 Визначення фізичних механізмів тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Характеристика та особливості індукованого переходу метал-ізолятора у сильно легованих кристалах кремнію, вплив радіаційних дефектів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Встановлення домінуючих механізмів утворення власних точкових дефектів у нелегованих кристалах ZnSe та з ізовалентною домішкою Те. Комп’ютерні розрахунки рівноважних концентрацій власних точкових дефектів у бездомішкових та легованих кристалах ZnSe.
автореферат, добавлен 10.08.2014Встановлення основних закономірностей формування зонної структури, побудови законів дисперсії та дослідження їхніх змін внаслідок впливу зовнішніх чинників в складних низькосиметричних кристалах. Характеристика особливостей міжчастинкових взаємодій.
автореферат, добавлен 30.07.2015Встановлення особливостей дисперсії елементарних збуджень різного типу (фононних та електронних) у тетрагональних гіротропних енантіоморфних кристалах у таких як a-ZnP2, CdP2 та TeO2. Засоби спектроскопії оптичної із залученням методів теорії груп.
автореферат, добавлен 27.09.2014Дослідження особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Розробка методів визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.08.2014Розвиток мікроскопічної самоузгодженої теорії електрон-деформаційних ефектів у кристалах зі структурними неоднорідностями та у напружених гетеросистемах. Розкриття механізму виникнення електрон-деформаційного диполя на напруженій гетеромежі вздовж oсі.
автореферат, добавлен 20.04.2014Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Отримання теоретичного опису структури пропускаючих динамічних граток, які формуються при чотирипучковій взаємодії в фоторефрактивному середовищі з нелокальним відгуком. Визначення способів керування ефективністю ЗЧПВ в фоторефрактивних кристалах.
автореферат, добавлен 29.08.2013Дослідження ізохорної теплопровідності у молекулярних кристалах. Аналіз переносу тепла в затверділих інертних газах. Розрахунок внеску високочастотних мод у рамках дебаєвської моделі. Розсіювання фононів на флуктуаціях ближнього орієнтаційного порядку.
автореферат, добавлен 26.07.2014Дослідження температурної і польової динаміки метастабільних структур і перехідних областей у неспівмірних фазах невласних сегнетоелектричних і сегнетоеластичних кристалів. Оцінка внеску амплітуди та фази параметра порядку в оптичне двозаломлення.
автореферат, добавлен 28.08.2014Оцінка ролі іонів у радіаційно-стимульованих процесах в сцинтиляційних кристалах CsI, CsI(Na) і CsI(Tl). Процеси радіаційного дефектоутворення в напівпровідниках. Утворення центрів свічення та центрів забарвлення в сцинтиляційних кристалах йодиду цезію.
автореферат, добавлен 24.02.2014Динаміка гратки кристалів інертних газів під тиском. Розрахунок атомних властивостей неону, аргону, криптону. Моделі міжатомної взаємодії в кристалах інертних газів. Аналіз електрон-фононної взаємодії в ряду Ne-Xe в залежності від атомного номеру Z.
автореферат, добавлен 24.07.2014Вивчення концентраційної поведінки урбахівського краю поглинання та його основних параметрів. Розгляд спектральних залежностей коефіцієнта поглинання в кристалах твердих розчинів. Аналіз катіонного заміщення Ge-Si. Збільшення ширини оптичної псевдощілини.
статья, добавлен 27.12.2016Встановлення природи особливостей електронних властивостей кристалів та епітаксійних структур твердих розчинів вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe в області домішкової та стрибкової провідності. Опис переходів Мотта й Андерсона у домішковій зоні цих кристалів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Спонтанний та індукований п’єзооптичний і фотопружній ефект в кристалах Cs2HgBr4 і Cs2CdBr4 та коефіцієнти акустооптичної якості кристалів, вивчення дифракції світла в них. Поляризаційно-оптичні, мікроскопічні та дилатометричні дослідження кристалів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Спектральні і температурні залежності показників заломлення, двопроменезаломлення і п’єзооптичних констант діелектричних кристалів. Розрахунок параметрів ефективних ультрафіолетових і інфрачервоних осциляторів, електронної поляризованості та рефракції.
автореферат, добавлен 10.08.2014