Биполярные транзисторы
Полупроводниковые приборы с большим числом слоёв разного типа электропроводности, расположенных в разном сочетании. Особенности принципа действия биполярного транзистора. Приложение внешнего приложения к слоям. Схема транзистора с общим эмиттером.
Подобные документы
Разделение полевых транзисторов на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Переход электронов вторичной эмиссии на другой электрод. Принципы действия полупроводникового стабилитрона.
реферат, добавлен 29.03.2021Совокупный и совместный виды электрических измерений. Измерение напряжения на участке электрической цепи. Полупроводниковые приборы. Однополупериодный выпрямитель (четвертьмост). Принцип действия генератора, якоря. Результаты смещения магнитного поля.
контрольная работа, добавлен 20.12.2014Изучение устройства параметрического стабилизатора напряжения, его функции и назначение. Типовая структура и схема трансформаторного ИВЭ. Расчет вторичного источника питания по заданным параметрам. Определение тока коллектора регулирующего транзистора.
курсовая работа, добавлен 07.06.2013Полная электрическая схема с учетом схемы замещения транзистора. Параметры пассивного четырехполюсника. Комплексно-частотная, амплитудно-частотная и фазочастотная характеристика. Расчет переходной и импульсной характеристики по передаточной функции.
контрольная работа, добавлен 07.08.2013Анализ схемной реализации устройства. Статический и динамический расчеты транзисторного ключа. Функциональная схема управления ШИП. Расчет элементов формирующих линию переключения транзисторов. Изучение особенностей определения мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 22.11.2016Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Классификация электрических цепей. Изучение методов исследования, принципа действия, особенностей и характеристик нелинейных и параметрических цепей. Схема приемника распространенного супергетеродинного типа при использовании амплитудной модуляции.
лекция, добавлен 31.10.2017Изучение назначения усилителей постоянного тока. Определение тока и мощности, потребляемых каскадом в режиме покоя. Ознакомление с вольт-амперной характеристикой светоизлучающего диода. Рассмотрение и анализ особенностей процесса выбора типа транзистора.
контрольная работа, добавлен 20.09.2014Общий принцип действия измерительного механизма. Уравнение преобразования электромеханического прибора. Приборы магнитоэлектрической системы: принцип действия и устройство, вывод уравнения шкалы. Достоинства магнитоэлектрических приборов, их назначение.
лекция, добавлен 03.04.2019Основные способы осуществления исходного режима транзистора. Изменение выходного тока вызванные факторами, действующими при колебаниях температуры окружающей среды. Стабилизация исходного режима. Принципиальная схема каскада с коллекторной стабилизацией.
реферат, добавлен 27.06.2015Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.
презентация, добавлен 05.10.2015Понятие и общие сведения о полупроводниках, их классификация и типы, сферы практического применения. Описание и характер собственной и примесной проводимости, влияющие факторы. Оценка электропроводности низкомолекулярных органических полупроводников.
курсовая работа, добавлен 23.05.2015Понятие и условия возникновения фоторезистивного эффекта в однородном полупроводнике при его освещении. Расчет проводимости канала поверхностной электропроводности. Основные параметры и характеристики фотоприемников, их применение в технике и энергетике.
курсовая работа, добавлен 28.11.2013Обзор особенности электропроводности твердых тел. Измерение зависимости электропроводности германия и меди от температуры, определение ширины запрещенной зоны германия, температурного коэффициента удельного сопротивления меди и длины свободного пробега.
лабораторная работа, добавлен 24.06.2016Частота как важнейшая характеристика периодических процессов. Знакомство с основными этапами проектирования частотомера, особенности разработки структурной и принципиальной схемы. Общая характеристика полевого транзистора VT1 с изолированным затвором.
дипломная работа, добавлен 27.11.2014Анализ принципиальной электрической схемы. Расчет и выбор элементов выходного выпрямителя и сглаживающего фильтра. Схема выходного выпрямителя с фильтром. Расчет и выбор элементов мостового преобразователя напряжения. Анализ параметров транзистора.
курсовая работа, добавлен 23.01.2017Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017Сопротивление нагрузки, необходимое для получения высокого коэффициента полезного действия транзистора. Напряжение источника питания для рассматриваемого усилителя. Усилитель мощности с трансформаторным включением нагрузки, выбор его режима работы.
лабораторная работа, добавлен 13.10.2013Исследование динамики кристаллической решетки наночастиц методом ядерного гамма резонанса. Схема эксперимента для изучения поверхности с использованием синхротронного источника излучения. Схематичное изображение мультиатомных слоёв железа на золоте.
дипломная работа, добавлен 20.06.2014История изобретения транзисторов, их назначение, область применения и недостатки первых моделей. Структура и типовые характеристики биполярных транзисторов с изолированным затвором. Сравнительная характеристика различных семейств биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 02.12.2015Предназначение электронных и квантовых сверхвысоких частот (СВЧ). Полный ток в промежутке между электродами и во внешней цепи электровакуумных приборов. Принцип работы двухрезонаторного усилительного клистрона. Полупроводниковые диоды и транзисторы СВЧ.
курс лекций, добавлен 22.12.2015Назначение приборов сверхвысоких частот. Характеристика и особенности электровакуумных приборов. Устройство и принцип действия магнетрона. Понятие лавинно-пролетных диодов. Энергетические уровни атомов и молекул. Квантовые парамагнитные усилители СВЧ.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014Комплексное исследование электропроводности перовскитовых манганитов на основании модели электропроводности с переменной длиной прыжка, разработанной для сильнолегированных полупроводников. Вычисление микроскопических параметров носителей заряда.
автореферат, добавлен 27.03.2018Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
презентация, добавлен 23.06.2013Изучение понятия, устройства и принципа действия асинхронных двигателей. Связь между скольжением и коэффициентом полезного действия. Схема замещения асинхронной машины. Регулирование скорости вращения. Описание схемы строения конденсаторного двигателя.
реферат, добавлен 23.07.2015