Особенности диода

Исследование характеристик и принципов действия импульсных и высокочастотных диодов. Ознакомление с историей диода Ганна — типа полупроводниковых диодов, использующихся для генерации и преобразования колебаний. Анализ технологии изготовления диода.

Подобные документы

  • Характеристика основных физических явлений в электролюминесцентных излучателях. Определение излучения диода, включенного в прямом и обратном направлениях. Анализ спектра отражения люминофора галофосфата кальция, активированного сурьмой и марганцем.

    дипломная работа, добавлен 16.11.2015

  • Анализ результатов исследования применения интегрально-комплексной технологии, в основе которой лежит впрыск влаги в область горения в зоне действия акустических колебаний. Изучение процесса увеличения коэффициента полезного действия котельной установки.

    статья, добавлен 17.07.2018

  • Влияние емкостей на форму импульсов, свойства полупроводникового диода. Свойства биполярного транзистора в ключевом режиме. Разновидности логических интегральных элементов на биполярных транзисторах. Подключение нагрузки к выходу микросхем усилителей.

    учебное пособие, добавлен 13.04.2015

  • Проведение исследования главных видов соединения проводников. Особенность закона Ома для участка цепи. Характеристика работы и мощности тока. Суть вакуумных электронных ламп с подогреваемым катодом. Основные преимущества полупроводникового диода.

    курс лекций, добавлен 13.02.2017

  • Исследование однофазной однополупериодной и трехфазной нулевой схемы выпрямления в программе Multisim, а также схемы Ларионова. Вычисление среднего значения выпрямленного напряжения, тока вентиля, частоты пульсации и амплитуды обратного напряжения.

    лабораторная работа, добавлен 11.03.2014

  • Вольтамперная характеристика диода. Диод с катодом косвенного накала. Устройство вакуумного триода. Схема устройства электроннолучевой трубки. Электронный осциллограф. Получения и применение рентгеновских лучей. Электронно-оптический преобразователь.

    лекция, добавлен 06.02.2010

  • Принцип работы p-n перехода - структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Понятие области объёмного заряда. Механизм лавинного пробоя. Паразитная ёмкость p-n перехода. Важная особенность тунельного диода, его использование.

    лекция, добавлен 25.09.2017

  • Исследование взаимодействия электромагнитных волн в бесконечном излучающем электромагнитном кристалле, элементы которого содержат резистивно-емкостные нелинейные двухполюсники, являющиеся моделью полупроводниковых диодов. Изучение детектирования сигнала.

    статья, добавлен 04.11.2018

  • Описание конструкции прототипа сцинтилляционного детектора. Результаты его испытаний на пучке протонов. Зависимость амплитуды диода от положения частицы в детекторе Оценка эффективности регистрации нейтронов для разных значений потерь их энергии.

    статья, добавлен 31.10.2018

  • Анализ линейных систем. Метод комплексных амплитуд. Условие дифференцированности на частотном языке. Использование нелинейных свойств диодов. Графический расчет статического коэффициента усиления. Генерирование электрических колебаний, магнетрон.

    курс лекций, добавлен 08.05.2013

  • Свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. Механизм пробоя жидких диэлектриков. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры магнитных материалов. Конструкционные материалы для разрывных контактов.

    контрольная работа, добавлен 22.02.2010

  • Определение номинального тока стабилитрона и недостающих данных для вычислений. Расчет выпрямителя с емкостным фильтром. Вольтамперная характеристика диода. Расчет стабилизаторов постоянного напряжения. Определение h-параметров биполярного транзистора.

    контрольная работа, добавлен 06.01.2014

  • Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.

    лабораторная работа, добавлен 16.01.2014

  • Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.

    учебное пособие, добавлен 09.07.2013

  • Изучение сущности, достоинств и недостатков светоизлучающих диодов - полупроводниковых приборов, излучающих некогерентный свет при пропускании через них электрического тока. Определение цвета свечения. Схема включения и расчет необходимых параметров.

    реферат, добавлен 20.11.2011

  • Силы, действующие на заряженную частицу в электромагнитном поле. Закон сохранения энергии. Движение частицы в однородном, постоянном магнитном поле. Действие пространственного заряда на электронный пучок. Характеристики и параметры реального диода.

    реферат, добавлен 11.08.2014

  • Лазерный диод — полупроводниковый лазер. Виды и конструкция лазерных диодов. Лазеры на двойной гетероструктуре. Диод с квантовыми ямами. Гетероструктурные лазеры с раздельным удержанием. Лазеры с распределённой обратной связью. Применение лазерных диодов.

    реферат, добавлен 13.08.2013

  • Электрический ток в металлах, растворах, расплавах, газах. Типы самостоятельных разрядов. Электрический ток в вакууме и полупроводниках. Законы Фарадея, их сущность и значение. Типы самостоятельных разрядов. Вольт-амперная характеристика вакуумного диода.

    презентация, добавлен 21.10.2012

  • Применение термоэлектронной эмиссии, понятие работы выхода и способ её определения. Вольтамперные характеристики электровакуумного диода при различных температурах катода. Определение работы выхода для вольфрама. Зависимость тока эмиссии от температуры.

    лабораторная работа, добавлен 14.11.2015

  • Рассмотрение возникновения и расчет контактной разности потенциалов между двумя металлическими телами. Описание перемещения уровней Ферми "в структуре энергетических зон" тел. Вычисление разности потенциалов между поверхностями анода и катода диода.

    контрольная работа, добавлен 16.10.2014

  • Сущность электронно-дырочного перехода, динамическое равновесие процессов диффузии. Понятие теплового и электрического пробоя. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов, их применение в технике. Характеристика варикапов, их применение.

    контрольная работа, добавлен 15.10.2014

  • Описание экспериментальной установки и методики эксперимента. Рассмотрение основных расчетных формул абсолютной погрешности косвенного измерения величины. Измерение ширины запрещённой зоны собственного полупроводника, из которого изготовлен диод.

    лабораторная работа, добавлен 23.03.2014

  • Периодические колебания силы тока в цепи. Появление отрицательного дифференциального сопротивления под воздействием сильного электрического поля. Генерация и усиление СВЧ-колебаний. Требования к зонной структуре полупроводников. Открытие эффекта Ганна.

    презентация, добавлен 16.12.2015

  • Разработка принципов работы, моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками малой мощности. Анализ выходных, переходных и температурных характеристик N-транзисторных оптронов.

    автореферат, добавлен 02.08.2018

  • Определение тиристора. Виды тиристоров, их классификация по способу управления и проводимости. Характеристика тиристора и его схема. Вольт-амперная характеристика. Отличия тиристора от диода. Достоинства и недостатки. Углы управления тиристорами.

    презентация, добавлен 30.11.2023

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.