Особенности диода
Исследование характеристик и принципов действия импульсных и высокочастотных диодов. Ознакомление с историей диода Ганна — типа полупроводниковых диодов, использующихся для генерации и преобразования колебаний. Анализ технологии изготовления диода.
Подобные документы
Характеристика основных физических явлений в электролюминесцентных излучателях. Определение излучения диода, включенного в прямом и обратном направлениях. Анализ спектра отражения люминофора галофосфата кальция, активированного сурьмой и марганцем.
дипломная работа, добавлен 16.11.2015Анализ результатов исследования применения интегрально-комплексной технологии, в основе которой лежит впрыск влаги в область горения в зоне действия акустических колебаний. Изучение процесса увеличения коэффициента полезного действия котельной установки.
статья, добавлен 17.07.2018Влияние емкостей на форму импульсов, свойства полупроводникового диода. Свойства биполярного транзистора в ключевом режиме. Разновидности логических интегральных элементов на биполярных транзисторах. Подключение нагрузки к выходу микросхем усилителей.
учебное пособие, добавлен 13.04.2015Проведение исследования главных видов соединения проводников. Особенность закона Ома для участка цепи. Характеристика работы и мощности тока. Суть вакуумных электронных ламп с подогреваемым катодом. Основные преимущества полупроводникового диода.
курс лекций, добавлен 13.02.2017Исследование однофазной однополупериодной и трехфазной нулевой схемы выпрямления в программе Multisim, а также схемы Ларионова. Вычисление среднего значения выпрямленного напряжения, тока вентиля, частоты пульсации и амплитуды обратного напряжения.
лабораторная работа, добавлен 11.03.2014Вольтамперная характеристика диода. Диод с катодом косвенного накала. Устройство вакуумного триода. Схема устройства электроннолучевой трубки. Электронный осциллограф. Получения и применение рентгеновских лучей. Электронно-оптический преобразователь.
лекция, добавлен 06.02.2010- 82. p-n переходы
Принцип работы p-n перехода - структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Понятие области объёмного заряда. Механизм лавинного пробоя. Паразитная ёмкость p-n перехода. Важная особенность тунельного диода, его использование.
лекция, добавлен 25.09.2017 Исследование взаимодействия электромагнитных волн в бесконечном излучающем электромагнитном кристалле, элементы которого содержат резистивно-емкостные нелинейные двухполюсники, являющиеся моделью полупроводниковых диодов. Изучение детектирования сигнала.
статья, добавлен 04.11.2018Описание конструкции прототипа сцинтилляционного детектора. Результаты его испытаний на пучке протонов. Зависимость амплитуды диода от положения частицы в детекторе Оценка эффективности регистрации нейтронов для разных значений потерь их энергии.
статья, добавлен 31.10.2018- 85. Радиофизика
Анализ линейных систем. Метод комплексных амплитуд. Условие дифференцированности на частотном языке. Использование нелинейных свойств диодов. Графический расчет статического коэффициента усиления. Генерирование электрических колебаний, магнетрон.
курс лекций, добавлен 08.05.2013 Свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. Механизм пробоя жидких диэлектриков. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры магнитных материалов. Конструкционные материалы для разрывных контактов.
контрольная работа, добавлен 22.02.2010Определение номинального тока стабилитрона и недостающих данных для вычислений. Расчет выпрямителя с емкостным фильтром. Вольтамперная характеристика диода. Расчет стабилизаторов постоянного напряжения. Определение h-параметров биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 06.01.2014Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.
лабораторная работа, добавлен 16.01.2014Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013Изучение сущности, достоинств и недостатков светоизлучающих диодов - полупроводниковых приборов, излучающих некогерентный свет при пропускании через них электрического тока. Определение цвета свечения. Схема включения и расчет необходимых параметров.
реферат, добавлен 20.11.2011Силы, действующие на заряженную частицу в электромагнитном поле. Закон сохранения энергии. Движение частицы в однородном, постоянном магнитном поле. Действие пространственного заряда на электронный пучок. Характеристики и параметры реального диода.
реферат, добавлен 11.08.2014Лазерный диод — полупроводниковый лазер. Виды и конструкция лазерных диодов. Лазеры на двойной гетероструктуре. Диод с квантовыми ямами. Гетероструктурные лазеры с раздельным удержанием. Лазеры с распределённой обратной связью. Применение лазерных диодов.
реферат, добавлен 13.08.2013Электрический ток в металлах, растворах, расплавах, газах. Типы самостоятельных разрядов. Электрический ток в вакууме и полупроводниках. Законы Фарадея, их сущность и значение. Типы самостоятельных разрядов. Вольт-амперная характеристика вакуумного диода.
презентация, добавлен 21.10.2012Применение термоэлектронной эмиссии, понятие работы выхода и способ её определения. Вольтамперные характеристики электровакуумного диода при различных температурах катода. Определение работы выхода для вольфрама. Зависимость тока эмиссии от температуры.
лабораторная работа, добавлен 14.11.2015Рассмотрение возникновения и расчет контактной разности потенциалов между двумя металлическими телами. Описание перемещения уровней Ферми "в структуре энергетических зон" тел. Вычисление разности потенциалов между поверхностями анода и катода диода.
контрольная работа, добавлен 16.10.2014Сущность электронно-дырочного перехода, динамическое равновесие процессов диффузии. Понятие теплового и электрического пробоя. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов, их применение в технике. Характеристика варикапов, их применение.
контрольная работа, добавлен 15.10.2014- 97. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода
Описание экспериментальной установки и методики эксперимента. Рассмотрение основных расчетных формул абсолютной погрешности косвенного измерения величины. Измерение ширины запрещённой зоны собственного полупроводника, из которого изготовлен диод.
лабораторная работа, добавлен 23.03.2014 - 98. Генератор Ганна
Периодические колебания силы тока в цепи. Появление отрицательного дифференциального сопротивления под воздействием сильного электрического поля. Генерация и усиление СВЧ-колебаний. Требования к зонной структуре полупроводников. Открытие эффекта Ганна.
презентация, добавлен 16.12.2015 Разработка принципов работы, моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками малой мощности. Анализ выходных, переходных и температурных характеристик N-транзисторных оптронов.
автореферат, добавлен 02.08.2018- 100. Тиристор
Определение тиристора. Виды тиристоров, их классификация по способу управления и проводимости. Характеристика тиристора и его схема. Вольт-амперная характеристика. Отличия тиристора от диода. Достоинства и недостатки. Углы управления тиристорами.
презентация, добавлен 30.11.2023