Кинетика образования и накопления кластеров в кристаллах при каскадообразующем облучении
Образование кластеров точечных дефектов при каскадообразующем облучении, в квазистационарном приближении. Стационарное распределение кластеров по размерам, его зависимость от параметров задачи. Физические свойства материала, в котором образуются кластеры.
Подобные документы
- 1. Влияние облучения медленными электронами на состояние нанопленок KCl и LiF на поверхности Si(111)
Изучение и определение условий образования точечных дефектов и их кластеров на поверхности тонких нанопленок KCl и LiF, сформированных на поверхности Si(111) при облучении медленными электронами. Зависимости образования поверхностных точечных дефектов.
статья, добавлен 12.08.2020 Представление концентрации вакансионных кластеров в виде выражений. Расчет каскадно-вероятностных функций с учетом потерь энергии в зависимости от глубины проникновения частиц, концентрации вакансионных кластеров в твердых телах при ионном облучении.
статья, добавлен 01.02.2019Моделирование образования кластеров методом Монте-Карло. Формирование кластеров железа, методом химического парофазного осаждения, с использованием в качестве источника катализатора ферроцена, пиролиз которого осуществлялся при различных условиях.
автореферат, добавлен 02.08.2018Понятие, сущность и специфика наночастиц, характеристика и предназначение металлических кластеров. Классификация нанокластеров металлов по размерам, микрофотографии золотых нанотрубок. Особенности, описание кластеров и квантоворазмерных эффектов.
лекция, добавлен 01.03.2017Обзор по исследованиям радиационных дефектов в детекторных кристаллах LiF. Поглощение рентгеновского и гамма-излучений в щелочно-галоидных солях. Центры поглощения в кристаллах щелочно-галоидных солей. Добавочное оптическое поглощение, энергия кристаллов.
дипломная работа, добавлен 26.05.2018Получение и структура фуллеренов. Сборка фуллеренов из фрагментов графита и кластеров. Отжиг углеродных кластеров. Механизмы образования углеродных наночастиц, их связь с механизмами образования фуллеренов. Методы создания углеродсодержащих нанообьектов.
реферат, добавлен 19.08.2014- 7. Моделирование наноразмерных областей разупорядочения, созданных ионизирующими частицами в кремнии
Разработка модели и анализ результатов моделирования образования наноразмерных областей разупорядочения в кремнии при облучении потоком ионизирующих частиц с учётом параметров материала и условий облучения. Образование первичных радиационных дефектов.
автореферат, добавлен 27.07.2018 - 8. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Рассмотрение и характеристика класса решений дифференциальных уравнений, полученных в рамках модели и позволяющих учитывать геометрическую структуру малых дисперсных частиц или кластеров. Исследование движения и осаждения кластеров воды в узких трубках.
статья, добавлен 27.05.2018Анализ структур ядер атомов, а также самих атомов, молекул, ионов и кластеров, следующих из учебника "Физхимия микромира". Отражение в них информации, следующей из результатов многочисленных экспериментальных исследований. Построение 3D-моделей.
статья, добавлен 05.02.2019Описание кластерной модели газообразного состояния вещества и рассмотрение перспектив ее использования. Представление системы уравнений для расчета концентраций кластеров разных размеров и решение данного уравнения с использованием численных методов.
статья, добавлен 28.05.2018Плазмонная модель подпорогового дефектообразования в промежуточных слоях сверхпроводника. Образование дефектов при распаде слабозатухающих коллективных возбуждений. Понижение их количества в аннигиляционном объеме и вблизи крупных вакансионных кластеров.
статья, добавлен 19.03.2014Анализ генерации, рекомбинации и захвати носителей заряда в ионных соединениях при импульсном рентгеновском возбуждении по данным радиационно-индуцированной проводимости. Модель образования основного канала разряда в щелочно-галоидных кристаллах.
автореферат, добавлен 02.03.2018Основные представления о свойствах первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах. Методика квантово-химических расчетов. Моделирование создания Френкелевских дефектов. Характеристики F-центров окраски ЩГК в основном и возбужденном состоянии.
дипломная работа, добавлен 09.05.2011Освещение как потребитель электроэнергии. Разработка системы облучений растений. Способы экономии электроэнергии при облучении растений. Светотехнический расчет установок для облучения растений. Выбор газогенератора для подкормки диоксидом углерода.
дипломная работа, добавлен 19.12.2011Классификация твердых тел по различным признакам, их структурные элементы. Типы точечных дефектов, наиболее распространенных в кристаллах: вакансии и междоузлия. Условия возникновения линейных, объемных и поверхностных дефектов, их основные виды.
реферат, добавлен 13.05.2013Исследование эффекта эмиссии электронов при рентгеновском облучении с энергией кванта порядка 3 keV поверхности электретов. Определение характера корреляции между энергией и плотностью потока эмиссионных электронов из сегнетоэлектрической керамики.
статья, добавлен 30.05.2017Влияние температуры и точечных дефектов на свойства твердого тела. Исследование физико-химического механизма ионизации органических соединений азота, фосфора, мышьяка и серы на поверхности оксидов переходных металлов. Точечные дефекты в оксидах металлов.
автореферат, добавлен 31.03.2018Единство законов, управляющих формированием и поведением обитателей микро- и макромиров. Физические и математические инвариантности описания законов в различных системах отсчета. Рассмотрение содержания законов формирования атомов, молекул и кластеров.
статья, добавлен 05.02.2019Физико-химические свойства "идеальных" кристаллических структур. Основные причины возникновения дефектов в кристаллах. Классификация и типы дефектов кристаллической решетки, их вредное влияние на свойства материалов и характеристики электронных приборов.
реферат, добавлен 27.02.2017Изучение радиационных дефектов в режиме изолированных пар как перспективное для первичных пространственных эффектов в радиационных явлениях твердого тела. Фон дорадиационных дефектов. Кривые термостимулированной люминесценции облученных кристаллов.
статья, добавлен 08.12.2018Применение уравнений Максвелла в квазистационарном приближении для определения магнитного поля внутри проводящего цилиндра. Исследование зависимости безразмерной амплитуды плотности и разности фаз между индукционным током и внешним магнитным полем.
статья, добавлен 12.05.2018Исследование создания эффективных установок газофазного синтеза, которое предъявляет высокие требования к качеству и точности кинетических моделей. Анализ зависимости работы образования нейтральных и заряженных кластеров от числа молекул в кластере.
статья, добавлен 29.01.2018Исследование влияния легирования примесями акцепторного и донорного типа на физические свойства твёрдых растворов теллеридов висмута и сурьмы Вг2Те3 — ЗЬ2Те3. Описание техники оптического эксперимента, а также методики определения плазменных частот.
статья, добавлен 19.01.2021Получение углеродных нанотрубок и нановолокон на основе процесса самораспространяющегося высокотемпературного синтеза из разнообразных твердотельных носителей углерода. Сборка фуллеренов из многокольцевых углеродных кластеров. Расчет дугового разряда.
автореферат, добавлен 16.02.2018