Аналіз електропровідності та надпровідності
Дослідження електропровідності провідника з поперечним перерізом. Визначення основних фізичних явищ надпровідності. Особливість руху носіїв зарядів. Головна характеристика електронно-діркового переходу. Сутність і види напівпровідникових діодів.
Подобные документы
Створення фізичної і математичної моделі проходження електрона в зазорі між частинками наповнювача, аналіз контактної провідності. Розробка методу розрахунку електропровідності полімерних наноматеріалів з хаотичною структурою, який враховує кластерізацію.
автореферат, добавлен 26.08.2015Виявлення зв'язку сильної квазіодновимірної анізотропії квазідвовимірного електронного спектру шаруватих купратних метало-оксидних сполук. Побудова моделі високотемпературної надпровідності в МОС. Вивчення впливу анізотропії одноелектронного спектру.
автореферат, добавлен 07.08.2014Вивчення основних фізичних закономірностей, що визначають принцип роботи і основні параметри тиристорів на підставі аналізу вольт-амперних характеристик динистора і тринистора. Основні характеристики, призначення та області застосування тиристора.
лабораторная работа, добавлен 05.05.2012Визначення поняття фотоелектронного приладу та види зовнішнього фотоефекту. Аналіз законів фотоелектронної емісії та характеристик фотокатода. Характеристика електровакуумних та напівпровідникових фотоелементів. Вивчення фотоелектронних помножувачів.
курсовая работа, добавлен 16.03.2016- 55. Електричні і фотоелектричні властивості поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту
Дослідження електричних та фотоелектричних характеристик сендвіч-структур на основі поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту. Виявлення збільшення електропровідності експериментальних структур, а також, величини фотоерс та фотоструму.
статья, добавлен 23.12.2016 Дослідження діелектричних та напівпровідникових властивостей монокристалів молібдату свинцю. Вивчення особливостей переносу зарядів у сталому та низькочастотному електричному полі. Основні закономірності фотодіелектричного ефекту у молібдаті свинцю.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження ефектів, що виникають в напівпровідникових структурах при протіканні струмів екстремальна великої густини. Характеристика дослідження механічного руйнування через невідповідність коефіцієнтів теплового розширення плівки і підкладинків.
автореферат, добавлен 12.02.2014Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021Аналіз температурних залежностей електропровідності тонких плівок металів. Розмірна залежність ефективного параметру електрон-фононної взаємодії. Тангенс кута нахилу експериментальних температурних залежностей опору для плівок Pd, Pt і Sc. Енергія фонона.
статья, добавлен 23.12.2016Теоретичний опис процесів квантового переносу носіїв заряду в багатошарових структурах. Розгляд симетричних та асиметричних гетероструктур на базі багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів. Розрахунок модуляційних характеристик лазерів.
автореферат, добавлен 28.09.2015- 61. Багатофункціональний електрохемілюмінесцентний елемент з плівками Ленгмюра-Блоджетт на електроді
Комп'ютерне моделювання основних фізичних процесів: переносу речовини, носіїв заряду та енергії електронного збудження, що протікають під час роботи електрохемілюмінесцентного елемента з модифікованим робочим електродом, їх експериментальні дослідження.
автореферат, добавлен 14.09.2014 Закони поступального руху. Поняття матеріальної точки, тіла і системи відліку. Основні принципи коливання або коливального руху, їх розподіл за характером коливань, за фізичною природою. Показники коливання. Сутність і особливості обертального руху.
реферат, добавлен 24.10.2012Аналіз дисперсійних співвідношень, що пов’язують енергію та хвильовий вектор носіїв. Вплив анізотропії і спінового розщеплення зон на структуру оптичного спектра поглинання, сутність властивостей явищ квантової осциляції та їх основні кутові залежності.
автореферат, добавлен 27.08.2014- 64. Динамічна модель фізичних процесів у польових транзисторах із затвором Шоттки субмікронних розмірів
Дослідження фізичних процесів, що відбуваються в напівпровідникових структурах субмікронних розмірів, розроблення математичної моделі, що включає чисельний розв'язок частинок рівняння Больцмана, Пуассона та теплопровідності з граничними умовами.
автореферат, добавлен 06.07.2014 Аналіз основних структурних змін, що відбуваються у напівпровідникових кристалах при легуванні шляхом імплантації та при наступних технологічних обробках. Встановлення ролі легуючої домішки бору в утворенні електрично-активних кисневмісних комплексів.
автореферат, добавлен 07.08.2014Протікання електронних та іонних процесів у діелектричних фазах твердих електролітів. Фізичні властивості суперіонних матеріалів. Імпедансна спектроскопія та особливості структури Ag2MeI4. Параметри електропровідності в інфрачервоній області спектра.
автореферат, добавлен 14.09.2014Дослідження загальних властивостей квантово-осциляційних явищ у модельних сполуках як у квазікласичному наближенні, так і в межах методу ефективної маси. Розробка основних дисперсійних співвідношень, що пов’язують енергію та хвильовий вектор носіїв.
автореферат, добавлен 30.10.2015Опис енергетичного спектра електронів, магнітного впорядкування та електропровідності в моделі Хаббарда, роль електронних кореляцій у структурно-фазових перетвореннях перехідних металів та їх сплавів. Опис кінетичних властивостей діаграми кристалів.
автореферат, добавлен 07.03.2014Розвиток напівпровідникових квантово-розмірних лазерів. Феноменологічний аналіз надшвидкої динаміки напівпровідникових оптичних підсилювачів. Дослідження потенціального профілю й спектру власних станів багатошарових квантово-розмірних гетероструктур.
автореферат, добавлен 14.09.2015Вивчення фізичних властивостей напівпровідникового діода шляхом зняття вольт-амперної характеристики та знаходження коефіцієнта випрямлення. Обчислення статичного опору для прямого та зворотного напряму при різних значеннях прикладеної напруги.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Розробка чисельної динамічної моделі електронно-променевих приладів з використанням методу макрочастинок. Вивчення емісійних характеристик катода. Розподіл електронів за швидкостями. Вплив неоднорідності катода та крайових ефектів на струмопроходження.
автореферат, добавлен 31.01.2014Залежність критичної механічної напруги від площі поперечного перерізу зразків n-Ge, що використовуються при дослідженнях деформаційних ефектів. Вплив геометричних розмірів зразків на точність вимірювання питомої електропровідності монокристалів.
статья, добавлен 29.11.2016Предмет вивчення фізики. Основні фізичні поняття природи, фізики, фізичного тіла та фізичних явищ, речовини. Наука про загальні закономірності перебігу явищ природи, властивості і будову матерії, закони її руху. Формування практичних умінь учнів.
разработка урока, добавлен 14.10.2013Основи фізики напівпровідникових приладів. Атомна фізика та квантова механіка. Класифікація твердих тіл за структурою, хімічним зв'язком та провідністю. Зонна діаграма напівпровідника. Принципи роботи діодів та фізичні основи роботи транзисторів.
методичка, добавлен 24.06.2014- 75. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Аналіз напівпровідникових перетворювачів як об'єктів діагностування, розгляд методів обробки діагностичних даних. Розробка підходів до діагностування напівпровідникових перетворювачів на основі вейвлет-спектрів часових залежностей їх струмів та напруг.
автореферат, добавлен 24.07.2014