Напівпровідникові лазери з електронним накачуванням на основі сполук груп А2В6 і А3В5 з покращеними експлуатаційними характеристиками
Методи покращення експлуатаційних характеристик напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням. Дослідження процесів деградації лазерів даного типу. Розробка експериментальних зразків лазерів та технології виготовлення багатоелементних мішеней.
Подобные документы
Дослідження впливу розмірних ефектів і домішок, а також технологічних умов отримання і обробки зразків на оптичні та електричні характеристики і структуру досліджуваних низькорозмірних систем на основі кисневмісних сполук цинку та дийодиду свинцю.
автореферат, добавлен 14.10.2015Встановлення фізичних закономірностей технології виготовлення нових фоточутливих елементів і інтерференційно-абсорбційних фільтрів. Дослідження залежності фотоелектричних електричних властивостей фоточутливих елементів на основі гетеропереходів сполук.
автореферат, добавлен 25.06.2014Встановлення особливостей взаємодії носіїв заряду з п’єзоелектричними полями, генерованими електропружними ультразвуковими коливаннями. Огляд шаруватих структур типу п’єзоелектричний резонатор LiNbO3 – напівпровідникової низькорозмірної гетероструктури.
автореферат, добавлен 14.08.2015Застосування приладів для вимірювання і графічного відображення вольт-амперних характеристик. Величина транспортно-заготівельних витрат. Калькуляція собівартості вимірювача вольт-амперних характеристик напівпровідникових елементів. Розрахунок амортизації.
контрольная работа, добавлен 19.10.2012- 55. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Аналіз напівпровідникових перетворювачів як об'єктів діагностування, розгляд методів обробки діагностичних даних. Розробка підходів до діагностування напівпровідникових перетворювачів на основі вейвлет-спектрів часових залежностей їх струмів та напруг.
автореферат, добавлен 24.07.2014 Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
автореферат, добавлен 22.06.2014- 58. Оцінювання високотемпературної водневої деградації теплостійких сталей реакторів гідрокрекінгу нафти
Дослідження структурних перетворень, механізмів руйнування, властивостей конструкційних сталей реакторів гідрокрекінгу нафти. Наслідки їх деградації за тривалого впливу високотемпературного воденьвмісного середовища в експлуатаційних, лабораторних умовах.
автореферат, добавлен 29.07.2015 Аналіз електромагнітних процесів у напівпровідникових перетворювачах з трансформаторним зв’язком між фазами. Електромагнітна сумісність цих перетворювачів з мережею живлення. Огляд алгоритму керування цим зв’язком і математичних моделей перетворювачів.
автореферат, добавлен 29.08.2014Розробка структурної схеми системи живлення низьковольтних кіл з вузлом керування на сучасній базі. Аналіз схемних рішень для розробки вузлів керування напругою з урахуванням перехідних процесів. Основи вибору типів силових напівпровідникових ключів.
автореферат, добавлен 17.07.2015Дослідження змін електронного спектру в кластерному наближенні кристалів CuInSe2, спричинених заміною в ньому атомом In атомів Ga та Al. Теорія перенормування потенціалу частки багатокомпонентного кристалу при переході до кластера. Ефект Яна-Теллера.
автореферат, добавлен 31.01.2014Розробка теорії варизонних напівпровідникових приладів з гетеропереходом. Вивчення ефектів міждолинного переносу і резонансного тунелювання електронів. Визначення параметрів енергетичного зазору між долинами. Підвищення граничної частоти генерації.
автореферат, добавлен 27.08.2015Застосування напівпровідникових приладів. Фізичні основи обчислювальної техніки, інтегральні мікросхеми. Дослідження роботи базових логічних елементів: RS-тригера, генератора прямокутних імпульсів (мультивібратора). Ефективність використання обладнання.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2019Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Пошук нових надпровідних напівпровідникових структур і з'ясування механізму, що відповідає за надпровідні властивості цих гетероструктур. Вибір матеріалів, на основі яких можуть бути створені інші епітаксіальні напівпровідникові гетероструктури.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження впливу розмірних ефектів і домішок, електрофізичних властивостей та технологічних умов отримання і обробки зразків на оптичні та електричні характеристики і структуру низькорозмірних систем розроблених на базі дийодиду свинцю і сполук цинку.
автореферат, добавлен 29.09.2014- 67. Теоретичні основи і методи регулювання субгармонік напівпровідникових перетворювачів електроенергії
Розробка теоретичних основ і ефективних методів регулювання субгармонік напівпровідникових перетворювачів електричної енергії із широтно-імпульсною модуляцією другого роду. Розробка методів зменшення впливу замкнутої структури регулювання субгармонік.
автореферат, добавлен 27.04.2014 Запропоновано новий фізичний підхід оптимізації технології одержання напівпровідникових широкозонних шарів для плівкових фотоелектрично активних гетеросистем. Показано, що процес осадження шарів ZnO:Al не повинен викликати міжфазну та дифузійну взаємодію.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження статичних характеристик квазірезонансних імпульсних перетворювачів, що перемикаються при нульовому струмі. Оптимізація стабілізаторів з КРІП-ПНС по швидкодії за рахунок реалізації процесів кінцевої тривалості. Розробка зразків стабілізаторів.
автореферат, добавлен 15.11.2013Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021Вивчення електронних, адсорбційних властивостей напівпровідникових матеріалів з кластерними структурами, які можуть бути отримані при легуванні поверхні, іонній імплантації атомами важких металів, а також при анодному травленні кристалічного кремнію.
автореферат, добавлен 05.01.2014Оптимальні режими виготовлення накопичувальних конденсаторів. Умови лімітування інтеркальованих процесів в низькорозмірних і пористих матеріалах для забезпечення адіабатної деполяризації поляризованого об'ємного заряду як нового принципу охолодження.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження зміни положень дифракційних піків, їх профілів та відносних інтенсивностей в залежності від типу хаотично розташованих дефектів пакування, а також концентрації. Методика аналізу експериментальної дифракційної картини для визначення типу.
автореферат, добавлен 27.07.2014Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014Встановлення закономірностей процесу утворення атомів та молекул у метастабільних станах при їх взаємодії з електронами та іонами низьких енергій. Дослідження явища ізотопного ефекту при однократній та дисоціативній іонізації молекул електронним ударом.
автореферат, добавлен 22.07.2014