Оптичні і структурно-морфологічні властивості низькорозмірних структур на основі напівпровідників А3В5 і А2В6
Дослідження механізмів самоіндукованного формування квантових точок і впливу геометричних та структурних факторів на енергетичний спектр. Аналіз особливостей процесів, що реалізуються за участю електронних, екситонних, фононних і плазмових збуджень.
Подобные документы
Вивчення дисперсійних залежностей фононних станів оксиду цинку в напрямку Г – А зони Бріллуена. Особливості взаємодії елементарних збуджень електронного типу в монокристалах ZnO та CdSe та низькотемпературних спектрів лазеру нанокристалічного ZnO.
автореферат, добавлен 27.07.2014Дослідження сильнопольового та високочастотного транспорту у низькорозмірних структурах на основі сполук АIIIBV, зокрема нітридів. Характеристика переваг квантових ям на нітридних сполуках для реалізації сильноанізотропного розподілу електронів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014Енергетичний спектр квазічастинок та їх часи життя у відповідних станах у залежності від зміни параметрів наногетеросистем, що розташовані в масивному напівпровідниковому середовищі. Теорія екситонного спектру на основі модифікованого методу Бете.
автореферат, добавлен 06.07.2014Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Основна характеристика впливу анізотропії і спінового розщеплення зон на тонку структуру оптичного спектра поглинання за рахунок конкретної симетрії кристалічних структур. Аналіз головних особливостей кутової залежності коефіцієнта вбирання ультразвуку.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження фізико-хімічних та кристалізаційних параметрів стекол. Розрахунок критичних швидкостей охолодження розплавів. Визначення оптимальних режимів синтезу стекол. Оцінка впливу опромінення та відпалу на структуру і оптичні властивості плівок.
автореферат, добавлен 07.08.2014Побудова гамільтоніан електрона, рух якого обмежений потенціалом квантової точки або кільця. Розрахунки впливу спін-орбітальної і електрон-електронної взаємодії на магнітні властивості квантових точок. Визначення температурних залежностей намагніченості.
автореферат, добавлен 25.07.2015Аналіз результатів комплексних досліджень колективних збуджень електронного і коливального типів в монокристалах та нульмірних системах. Показ особливостей фононних збуджень, обумовлених специфікою кристалічної гратки і частот фундаментальних коливань.
автореферат, добавлен 25.04.2014Розробка обладнання люмінесцентної мікроспектроскопії, що дозволяє отримувати спектри люмінесценції і загасання люмінесценції від J-агрегату. Отримання спектрів люмінесценції окремих J-агрегатів за допомогою методів одномолекулярної спектроскопії.
автореферат, добавлен 29.08.2014Встановлення ролі механізмів поглинання ІЧ випромінювання у вузькощілинному кадмій–ртуть-телур та їх впливу на спектральні характеристики чутливості багатоелементних структур. Застосування методів нелінійної оптики для контролю складу зразків КРТ.
автореферат, добавлен 28.08.2015Закономірності транспорту заряду та зміни оптичних характеристик у напівпровідникових матеріалах. Спряжені поліарилени під дією зовнішніх факторів – температури, електричного поля, протонного та акцепторного легування. Спряжені поліарилени у пристроях.
автореферат, добавлен 28.07.2014Теоретична оцінка параметрів осадження компонентів пари на підкладку, оптимізація умов напилення шарів. Особливості впливу концентраційного профілю та хімічного складу елементів-модифікаторів на параметри тонкоплівкових структур на основі As2S3.
автореферат, добавлен 22.04.2014Аналіз механізмів радіаційного дефектоутворення при електронному та нейтронному опроміненні нелегованих і легованих міддю монокристалів CdS. Доідження фізичних властивостей монокристалів з метою побудови моделей електронних процесів у даних сполуках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Методи покращення експлуатаційних характеристик напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням. Дослідження процесів деградації лазерів даного типу. Розробка експериментальних зразків лазерів та технології виготовлення багатоелементних мішеней.
автореферат, добавлен 14.10.2015Експериментальне дослідження впливу ізовалентної домішки магнію на структурні та оптичні властивості селеніду цинку. Виявлення можливих генераційно-рекомбінаційних процесів і визначення природи складових оптичних спектрів легування монокристалів.
автореферат, добавлен 10.08.2014Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.
автореферат, добавлен 25.04.2014- 43. Енергетичний спектр та кінетичні властивості низьковимірних електронних систем над рідким гелієм
Встановлення виду гамільтоніану взаємодії поверхневих електронів з неоднорідностями дна плівки гелію на твердій підкладці. Кінетичні властивості квазідво- і квазіодновимірної електронних систем, створених з використанням властивостей поверхні гелію.
автореферат, добавлен 10.08.2014 Дослідження оптичних властивостей кремнієвих, германієвих, квантових точок та вуглецевих кластерів в SiO2-матриці, прихованих шарів SiO2, SiC, SixGe1-x в кремнії, що формувалися за допомогою іонної імплантації та наступного високотемпературного відпалу.
автореферат, добавлен 23.11.2013Розмиття профілю потенціалу для носіїв заряду у квантових точках у бінарних напівпровідниках та зміщення квантованих рівнів електронів, дірок та екситонів під дією ядерного опромінення. Ефект гігантського магнітного розщеплення екситонних рівнів.
статья, добавлен 22.08.2013Теорія електронного та екситонного спектра у надгратці циліндричних напівпровідникових квантових точок. Теорія активної провідності та її залежність від геометричних параметрів циліндричної напівпровідникової двобар’єрної резонансно-тунельної структури.
автореферат, добавлен 27.07.2015Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014Дослідження коливальних спектрів в шаруватих кристалах рідкісноземельних молібдатів, зв’язок низькоенергетичних електронних збуджень іонів з коливаннями кристалічної ґратки. Особливості поведінки ян-теллерівських систем при збудженні мікрохвильовим полем.
автореферат, добавлен 24.06.2014Природа і закономірності формування центрів свічення та захоплення носіїв заряду. Перетворення дефектів під дією збуджувальної радіації і температури. Встановлення механізмів перебігу фотохімічних та рекомбінаційних процесів у фоточутливих кристалах.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження взаємозв'язку особливостей електронних спектрів гексаборидів з їх структурними, пружними, магнітними і оптичними властивостями. Вплив тиску на електронний енергетичний спектр і магнітні властивості гексаборидів рідкісноземельних металів.
автореферат, добавлен 26.08.2015