Туннельный эффект, туннельный диод
Электронные, дырочные и вырожденные полупроводники, образование p-n-перехода. Характеристика обращенного диода. Методы изготовления туннельного диода, анализ зависимости его основных параметров от температуры и свойств полупроводникового материала.
Подобные документы
Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
курсовая работа, добавлен 22.02.2015Поток электронов через туннельный переход в структуре нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Диаграмма энергетических уровней в переходе микрохолодильника. Нанохолодильник на основе Кулоновского барьера, кулер в виде одноэлектронного транзистора.
реферат, добавлен 21.09.2018Анализ схемы электрической принципиальной. Выбор и обоснование элементной базы. Выбор материалов для изготовления печатного узла и способ изготовления платы. Расчёт параметров печатных проводников. Методы защиты человека от электромагнитного излучения.
дипломная работа, добавлен 07.03.2016Области применения полупроводниковых диодов в зависимости от их вольтамперных характеристик и параметров. Возникновение лавинного пробоя в p-n-переходах при невысокой степени легирования. Особенности строения и система обозначения биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 06.08.2013Расчет параметров полупроводникового лазера. Определение дифференциального квантового выхода, ширины спектра излучения, скорости модуляции и потерь в волноводном световоде. Построение ватт-амперной характеристики. Виды дисперсии в волоконных световодах.
контрольная работа, добавлен 15.12.2012Изучение модернизации внутрискважинного измерителя давления и температуры, разработанного на кафедре ВТ и АСУ КубГТУ для увеличения продолжительности записи параметров давления и температуры, а также для изменения периодичности записи параметров.
статья, добавлен 25.04.2017Временная и дозовая кинетика туннельной релаксации неравновесных приграничных заряженных дефектов в изоляторах. Описание логарифмической туннельной релаксации как интеграла свертки по профилю мощности дозы с точной импульсной функцией линейного отклика.
статья, добавлен 23.11.2022Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.
статья, добавлен 23.03.2018Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Расчет выходного каскада полупроводникового усилителя и разработка схемы его стабилизации. Определение электрических параметров выходного трансформатора проектируемого усилителя. Выбор теплоотводящего радиатора и расчет фильтра нижних частот прибора.
курсовая работа, добавлен 24.09.2014Проработка общих требований к измерителю температуры, разработка структурной и принципиальной схемы. Моделирование функционирования аналоговой части измерителя температуры, особенности перехода на бесcвинцовую пайку. Расчет себестоимости устройства.
дипломная работа, добавлен 06.05.2015Математическое описание фидерных устройств. Классификация, требования и режимы работы линий передач. Назначение и виды фазовращателей и аттенюаторов. Типы и реализация фильтров. Принципы построения антенных переключателей. Модель и параметры диода.
учебное пособие, добавлен 13.08.2013Рассмотрение экспериментальных зависимостей от температуры основных параметров МОП-транзисторов (удельной крутизны и порогового напряжения) в широком диапазоне температур, включая криогенные. Оптимизация выбора хладагента для малошумящих усилителей.
статья, добавлен 29.06.2017Волоконные световоды и оптические кабели. Распространение световых волн вдоль оптического волокна. Источники излучения и оптические модуляторы. Отличие суперлюминесцентного и светоизлучающего диода. Основные элементы фотоприемника. Схема линейного тракта.
контрольная работа, добавлен 29.10.2013Изучение устройства и назначения пассивных элементов электрических цепей: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности. Техническая характеристика полупроводниковых приборов с p–n переходом: диоды, стабилизаторы, варикап. Операционные схемы усилителей.
курс лекций, добавлен 05.07.2013- 116. Туннельные поляронные эффекты и плотность состояний на уровне ферми двумерной электронной системы
Немонотонная зависимость туннельной плотности состояний на ферми-уровне от магнитного поля. Изменения формы фононных линий и достижения условий близости к резонансному поляронному состоянию. Изучение изготовленной молекулярно-лучевой эпитаксией структуры.
статья, добавлен 03.11.2018 Принципы компьютерного моделирования схем на базе метода узловых потенциалов с использованием ступенчатой аппроксимации вольт-амперной характеристики диода. Разработка визуального обучающего конструктора. Пример моделирования диодно-резистивной схемы.
статья, добавлен 21.06.2018Расчет параметров полупроводникового усилителя с общим эмиттером. Снижение выходного сопротивления источника питания. Определение максимального тока коллектора биполярного транзистора и мощности драйвера. Применение метода эквивалентного четырехполюсника.
курсовая работа, добавлен 17.01.2016Субтрактивные и аддитивные методы изготовления печатных плат. Методы создания рисунка печати монтажа. Алгоритм изготовления печатной платы в условиях индивидуального производства лазерный-утюжным методом. Возможные причины брака и его устранение.
реферат, добавлен 01.04.2012Использование источников постоянного напряжения. Однофазный двухполупериодный выпрямитель. Параметрические стабилизаторы постоянного напряжения. Дифференциальное сопротивление диода в рабочей точке. Компенсационные стабилизаторы постоянного напряжения.
лекция, добавлен 04.10.2013Выбор избирательной системы преселектора, определение числа резонансных контуров и элементов настройки. Определение избирательности по зеркальному каналу. Обоснование и расчет схемы детектора и типа диода. Описание схемы электрической принципиальной.
курсовая работа, добавлен 01.02.2013Выбор структурной и электрической принципиальных схем устройства. Выбор по заданным начальным параметрам напряжения питания, транзистора VT1, диода VD1, расчет номиналов остальных деталей. Алгоритм расчета блокинг-генератора по схеме с общим эмиттером.
дипломная работа, добавлен 24.11.2011Характеристики системы с обратной связью и их особенности. Процесс целенаправленного изменения параметров, свойств системы в зависимости от условий передачи сообщения с целью достижения оптимального функционирования. Архитектура связи, методы коммутации.
реферат, добавлен 30.03.2017Практическое исследование направленных свойств рупорных антенн с использованием программы SABOR. Расчет и оптимизация их основных параметров. Характер, анализ и оценка влияния геометрических параметров рупора на параметры излучения рупорных антенн.
лабораторная работа, добавлен 27.04.2016Принцип работы ячейки контроля основных параметров микроакселерометра, обоснование выбора элементной базы, материала и строения печатной платы. Конструкторские расчеты надежности, собственной частоты и механической прочности многослойной печатной платы.
курсовая работа, добавлен 05.11.2011