Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук А2В6
Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
Подобные документы
Вивчення за допомогою електричних вимірювань і структурного аналізу впливу низькотемпературної деформації на електричні властивості кристалів германію. Аналіз комп’ютерної методики для розрахунку напружень у зразках, що виникають при дії деформації.
автореферат, добавлен 28.08.2014Закономірності процесів дефектоутворення в структурах і приладах на основі кремнію. Вивчення впливу вихідних дефектів та механізмів їх трансформації в процесах легування, окислення кремнію і подальших механічних обробок на формування дефектної структури.
автореферат, добавлен 13.08.2015Оптичні методики вивчення особливостей процесів фотолюмінесценції та комбінаційного розсіювання світла у самоіндукованих наноострівцевих структурах CdSe/ZnSe. Технологічні параметри отримання квантових точок в одношарових та багатошарових наноструктурах.
автореферат, добавлен 11.08.2014Підходи, що застосовуються для опису лінійних явищ переносу. Дослідження рекомбінації нерiвноважних носіїв як при відсутності, так i при наявності температурного поля в напівпровіднику. Загальні положення теорії кінетичних явищ у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 24.06.2014Розрахунки температурного поля, розподілу деформації і термічних напружень у зоні лазерної плями на опроміненій поверхні GaAs. Порогова густина оптичної енергії лазерного випромінювання. Розподіл інтенсивності опромінювання при дифракції від екранів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Дослідження нестійкостей, що виникають при ядерному опроміненні впорядкованих бінарних сплавів та напівпровідників. Виникнення часових і просторових реакцій однорідного стаціонарного розподілу дефектів. Опис системи методом молекулярної динаміки.
автореферат, добавлен 19.04.2014Спонтанний та індукований п’єзооптичний і фотопружній ефект в кристалах Cs2HgBr4 і Cs2CdBr4 та коефіцієнти акустооптичної якості кристалів, вивчення дифракції світла в них. Поляризаційно-оптичні, мікроскопічні та дилатометричні дослідження кристалів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Особливості розсіяння Х-променів у багатошарових нанорозмірних системах, що містять квантові ями. Визначення концентрацій азоту у квантових ямах і буферних шарах. Створення програмного забезпечення для розрахунку кривих дифракційного відбивання.
автореферат, добавлен 12.07.2014Розробка методики синхронної реєстрації сигналів акустичної емісії та динаміки дислокацій, що двійникують. Особливості механізмів гальмування дислокацій у магнетиках, у тому числі поблизу точок фазових перетворень, з урахуванням доменної структури.
автореферат, добавлен 15.11.2013Особливості розподілу вологості в ґрунті зони аерації при різних конфігураціях її структури, різній послідовності і товщині шарів. Залежність електричних характеристик типових порід грунтів зони аерації від вологості, насичення рідкими нафтопродуктами.
автореферат, добавлен 25.02.2015Технологія отримання і властивості масивних кристалів. Методика отримання монокристалів CdTe і CdTe:Cl. Вивчення дефектів структури у масивних кристалах. Процеси електропровідності монокристалів, вирощених методом фізичного транспорту через газову фазу.
автореферат, добавлен 12.07.2015Експериментальне дослідження та обґрунтування електричних та фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі на монокристалах та епітаксійних шарах SiC з використанням різних металів. Перенос заряду в CdTе поверхнево-бар’єрних структурах різного типу.
автореферат, добавлен 10.08.2014Аналіз оптичних, електричних і структурних властивостей широкозонних шарів. Особливості механізмів випромінювальної рекомбінації у тонких шарах широкозонних напівпровідників, зумовлених енергетичною структурою дозволених зон та дефектної підсистеми.
автореферат, добавлен 29.09.2015Дослідження голографічного запису тонких динамічних граток при покритті плівки барвника шаром ліотропного іону рідких кристалів (двошарової комірки) на відміну від випадку непокритих плівок барвника де спостерігається запис стаціонарних рельєфних граток.
автореферат, добавлен 14.09.2014Поглинання світла в кристалах, люмінесценція твердих тіл, фотолюмінесценція, люмінофори, вимушене випромінювання, лазер і схема рубінового лазера. Основні електронні переходи при поглинанні світла в кристалах, спектри люмінесценції деяких люмінофорів.
курсовая работа, добавлен 03.11.2014Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Механізм депінінгу вихорів Абрикосова з протяжних лінійних та пласких дефектів. Модель для розрахунків критичного струму та властивостей неоднорідного резистивного стану. Концепція колективних коливань вихрової решітки в анізотропних надпровідниках.
автореферат, добавлен 14.07.2015Оптичні властивості тонких плівок і керамік на основі оксидів вольфраму і вісмуту, особливості їх люмінесценції при різних видах збудження. Встановлення механізму випромінювання та дослідження характеристик центрів захоплення термоактиваційними методами.
автореферат, добавлен 25.06.2014Механізм формування підсистеми дефектів структури, обумовлених дією опромінення, легування та термічної обробки та її вплив на електричні властивості тонких моно- і полікристалічних плівок. Електрофізичні властивості тонких плівок халькоґенідів плюмбуму.
автореферат, добавлен 13.08.2015Технология нанесения коллоидных квантовых точек в относительно толстые слои на стеклянной подложке. Экспериментальные характеристики спектров фотолюминесценции. Плазменное отражение коллоидных квантовых точек CdSe, PbS, GaAs на стеклянной подложке.
статья, добавлен 18.09.2018Вплив дрейфу електронів та атомів на оптичні, магнітні та електричні характеристики напівпровідникових кристалів та наномірних плівок. Методи скорочення наносекундних і пікосекундних лазерних імпульсів, технологія формування субмікронних фазових структур.
автореферат, добавлен 30.07.2014Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014Морфология поверхности исследуемых композитных пленок, а также зависимость модификации их рельефа от вида и концентрации вводимого наполнителя. Обоснование структурирования поверхности с максимальной степенью кристалличности при значениях х=2–6 масс%.
статья, добавлен 21.06.2018Побудова рекомбінаційної моделі явища екзоелектронної емісії для широкозонних діелектричних кристалів цезій галоїдів. Ефективність кристалів як матеріалів для екзоемісійної скін-дозиметрії. Термоактивовані та тунельні електронно-діркові рекомбінації.
автореферат, добавлен 02.08.2014Сцинтиляційні, оптичні та люмінесцентно-кінетичні характеристики галоїдних кристалів у широкому енергетичному діапазоні з використанням фото-, рентгено-, катодо- та синхротронного збудження. Люмінесцентно-кінетичні параметри випромінювання нанокристалів.
автореферат, добавлен 27.08.2015