Учёт влияния диффузионной компоненты тока горячих носителей в выходной объёмной проводимости современных полупроводниковых структур
Учёт дрейфовых и диффузионных компонентов выходного тока для горячих носителей в общей выходной проводимости структуры полупроводникового чипа. Выявление амплитудных и частотных особенности компонент этой проводимости, имеющей отрицательное значение.
Подобные документы
Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014Осуществление управления током в выходной цепи за счет изменения входного напряжения или тока. Характеристика принципа действия и способов применения транзисторов. Улучшение параметров транзисторов BISS за счет изменения конструкции зоны эмиттера.
реферат, добавлен 08.06.2021Рассмотрение эквивалентной схемы синхронизированного генератора сверхвысоких частот, позволяющей получение на выходе удвоенного значения выходной мощности по отношению к максимальному значению для одного диода. Расчетные соотношения для полученной схемы.
статья, добавлен 27.07.2016Режимы транзисторов с отсечкой выходного тока и гармонический анализ импульсов тока. Построение индуктивностей на отрезках полосковых линий. Основное уравнение нестабильности частоты и методы стабилизации. Модуляция в цифровых системах подвижной связи.
учебное пособие, добавлен 08.06.2015Основные аспекты использования операционного усилителя в современной электронике, особенности его устройства. Разработка схемы усилителя. Зависимости от времени входного и выходного сигнала. Частотная зависимость для дифференцирующего усилителя.
лекция, добавлен 22.09.2017Возможность повышения выходной мощности и увеличения рабочей частоты широкополосных ЛБД. Биспираль в азимутально-проводящем экране. Особенности и сущность модели спиральной замедляющей системой в азимутально-проводящем экране с кольцевыми опорами.
статья, добавлен 03.11.2018Исследование предназначения нормирующих измерительных преобразователей. Преобразования естественных выходных сигналов первичных измерительных преобразователей в унифицированный выходной сигнал. Анализ схемы потенциометра с переменной силой рабочего тока.
реферат, добавлен 31.01.2013Методы анализа нелинейных систем автоматического регулирования. Преобразование входного сигнала системы в выходной сигнал. Схема автоматического регулирования. Кривая разгона. Разработка функциональной схемы САР. Параметрический синтез одноконтурной САР.
контрольная работа, добавлен 20.01.2012Рассмотрение структурных особенностей полупроводникового диода. Проведение расчетов параметров и характеристик выпрямительного диода (напряжение прокола, лавинного пробоя, генерационный ток, диффузная длина неравновесных носителей) и МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 16.12.2009Анализ пуска двигателей постоянного тока с помощью регулируемых сопротивлений и терморезисторных реостатов. Расчет диапазона возможностей терморезисторов для получения кривых пускового тока. Влияние величины нагрузочного момента на разгон двигателя.
автореферат, добавлен 11.01.2018Выбор структурной схемы усилителя. Проектирование входной, выходной и промежуточной части. Схема включения инвертирующего усилителя и делителя напряжения, выходной и усилительный каскад. Блок защиты от перенапряжения. Блок питания, потребляемая мощность.
курсовая работа, добавлен 24.03.2012Расчет и сравнение параметров транзистора для схем включения с общими эмиттером и базой. Определение статических и динамических параметров каскада с общим эмиттером, параметров выходного импульсного сигнала. Значение выходной функции для логической схемы.
контрольная работа, добавлен 10.12.2015Эскизное проектирование усилителя. Методика определения амплитуды выходного напряжения и тока. Основные параметры резисторов и транзисторов. Порядок расчета относительного изменения тока коллектора. Коэффициент нелинейных искажений всего каскада.
курсовая работа, добавлен 10.06.2015Описание структуры кристалла. Электронный тип проводимости. Выбор конструкции элементов схемы, описание методики расчёта выбранных элементов. Расчет реальной длины резистора на кристалле, минимальной толщины диэлектрика. Параметры интегрального резистора.
курсовая работа, добавлен 03.04.2019Структура и основные режимы работы транзистора и схемы включения. Сочетание диффузии и дрейфа - принцип движения, инжектированных эмиттером носителей. Методика определения зависимости коэффициентов передачи тока от величины напряжения на коллекторе.
учебное пособие, добавлен 21.08.2015Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013Выбор транзистора для выходного каскада. Расчет схемы температурной стабилизации тока покоя выходного транзистора. Основное требование, предъявляемое к выходному каскаду импульсного усилителя. Обеспечение заданной амплитуды импульса на нагрузке.
курсовая работа, добавлен 06.11.2014Выбор операционного усилителя исходя из напряжения питания и выходного тока нагрузки. Расчет напряжения первичной обмотки и мощности вторичной обмотки, необходимой для питания нагрузки трансформатора. Усовершенствование схемы импульсных источников.
курсовая работа, добавлен 25.09.2017Исследование усилителя на основе двух усилительных подсхем. Экспериментальное исследование усилителя переменного тока с использованием учебной лабораторной станции виртуальных приборов NI ELVIS. Проектирование мощного выходного каскада усилителя.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода. Отрицательные обратные связи в уравнении вольт-амперной характеристики вакуумного диода.
контрольная работа, добавлен 10.05.2015Изучение понятия, классификации и схем включения транзисторов. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Управление током в выходной цепи. Мощность рассеиваемого тепла.
контрольная работа, добавлен 26.01.2015Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Использование усилителей тока в фильтрах ВЧ и СВЧ диапазонов современных смешанных систем на кристалле для систем связи и радиотехнических комплексов. Анализ базисной структуры звена второго порядка, условия повышения эффективности активных элементов.
статья, добавлен 30.05.2017Зависимость теплового тока от процессов термогенерации носителей заряда и ширины запрещенной зоны полупроводника, из которого выполнен p-n-переход. Причины возникновения и меры предотвращения электрических и тепловых разновидностей пробоя p-n-перехода.
реферат, добавлен 15.05.2012Типы носителей аналоговой фонограммы. Характерные особенности устройств механической записи-воспроизведения аналоговых фонограмм. Значения параметров механической записи на грампластинки. Ранг шумов и помех, которые вносят искажения в аудиофрагмент.
статья, добавлен 30.07.2016