Сучасні підходи у визначенні параметрів глибоких рівнів в напівпровідниках методом релаксаційної спектроскопії
Вивчення основних підходів до визначення параметрів глибоких рівнів у напівпровідниках та приладах на їх основі. Розробка автоматизованого релаксаційного спектрометра глибоких рівнів, орієнтованого на дослідження сучасних напівпровідникових приладів.
Подобные документы
- 26. Енергорушійна установка для космічного апарату дистанційного геофізичного дослідження поверхні Землі
Розрахунок балістичних параметрів орбіти КЛА, необхідних тягових параметрів рушійної установки, основних параметрів СПД та розробка енергоустановки. Вибір та обґрунтування способу отримання заготовки. Розробка маршрутного технологічного процесу.
дипломная работа, добавлен 18.12.2012 Моделювання дифузії атомарного водню у напівпровідниках з урахуванням поверхневих, об’ємних реакцій. Визначення можливих механізмів хемостимульованої дифузії у напівпровідниках, процес утворення дефектів під дією енергії поверхневих хімічних реакцій.
автореферат, добавлен 23.11.2013Моделі процесу формування потоку рентгенівського випромінювання з урахуванням конструктивних параметрів та електричних режимів роботи рентгенівської трубки. Параметри перспективних передавальних електронно-променевих приладів та рентгеноскопічних систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014- 30. Люмінесцентні властивості моно- та полікристалів нелегованого і легованого міддю тетраборату літію
Вплив фазового стану, концентрації міді, відхилень від стехіометрії на люмінесцентні властивості тетраборату літію, визначення параметрів локальних рівнів прилипання і впливу температури на рекомбінаційні процеси. Програмне забезпечення для дослідження.
автореферат, добавлен 31.01.2014 Існування у низькосиметричних сегнетоелектриках-напівпровідниках заряджених, нахилених до вектора поляризації, доменних границь. Аналіз кристалічної структури, аномалії діелектричних властивостей, суперіонної провідності, швидкості поширення ультразвуку.
автореферат, добавлен 27.08.2014Перехід у надпровідному кубіті між коливаннями Рабі та ефектом Ландау-Зенера, залежності заселеності енергетичних рівнів кубіта від контрольованих параметрів зовнішнього сигналу. Можливість визначення константи енергетичної релаксації потокового кубіта.
автореферат, добавлен 26.08.2015Застосування напівпровідникових приладів. Фізичні основи обчислювальної техніки, інтегральні мікросхеми. Дослідження роботи базових логічних елементів: RS-тригера, генератора прямокутних імпульсів (мультивібратора). Ефективність використання обладнання.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2019Прямий експериментальний метод визначення функції енергетичного розподілу локалізованих станів (ЛС) у напівізолюючих твердих тілах. Дослідження спектру ЛС у полікристалічних плівках CdTe, одержаних у квазізамкненому об'ємі на провідних підкладках.
автореферат, добавлен 28.06.2014Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Вивчення та аналіз актуальності проблем коливного порушення статичної стійкості енергосистем та ідентифікації в реальному часі низькочастотних коливань режимних параметрів. Розробка та характеристика основних підходів до реалізації такої ідентифікації.
статья, добавлен 22.03.2016Розробка методології прогнозування рівнів енергоспоживання в умовах глобалізації. Отримання прогнозних рівнів енергоспоживання у всьому спектрі первинних енергоресурсів. Врахування змін у потенціалах енергозбереження при змінах цін на імпортні енергоносії
статья, добавлен 22.01.2018Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
автореферат, добавлен 22.06.2014Впливу температури на характеристики напівпровідникових сенсорів з p-n переходом. Залежність процесів теплорозподілу в діодних та транзисторних сенсорах від складу і структури кристалу напівпровідника. Вибір температурозалежних параметрів р-n переходу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Обґрунтування особливостей визначення теплових та вібраційних параметрів електричних машин за умови наявності дефектів основних конструктивних вузлів та елементів. Удосконалення існуючих та розробка нових методів та моделей надійності на їх основі.
статья, добавлен 19.02.2016Дослідження спектрів фарадеївського обертання кристалів в залежності від вмісту магнітної компоненти, температури та напруженості магнітного поля. Вивчення фазового переходу парамагнетик-спінове скло в кристалах за даними низькопольової температурної.
автореферат, добавлен 31.01.2014Побудова теорії взаємодії екситонів з домішками, флуктуаціями та неоднорідностями їх розподілу в низьковимірних структурах на основі напівмагнітних напівпровідників. Механізми парамагнітного підсилення гігантського спінового розщеплення екситонних рівнів.
автореферат, добавлен 25.02.2014Фізична модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Характеристика механізмів спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках через локалізовані електронні пари та через збуджені триплетні стани точкових дефектів. Врахування надтонкого поля в квантовій теорії електрично детектованого магнітного резонансу.
автореферат, добавлен 21.11.2013Поведінка хвильової функції акцепторного центру в кубічних напівпровідниках при малому відношенні мас легкої та важкої дірок. Генерація і детектування високочастотних акустичних фононів в напівпровідникових надгратках в умовах стрибкового транспорту.
автореферат, добавлен 24.06.2014Проведення теоретико-групової класифікації деформаційних ефектів в алмазоподібних напівпровідниках і встановлення на цій основі дозволених фізичних моделей п’єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Теоретичне вивчення п’єзоопору в кремнії та германії.
автореферат, добавлен 05.01.2014Дослідження електронної (бістабільність) і ядерної спінових підсистем розчинів комплексу EHBACrV у 1,2-пропандіолі та його дейтерованому аналогу. Створення автоматизованого трисантиметрового спектрометра для дослідження напівпровідникових сполук.
автореферат, добавлен 30.07.2014Дослідження мікрохвильових спектрів фурфуролу, гліцину і уретану. Одержання значень спектроскопічних параметрів для опису структури обертальних рівнів енергії коливальних станів конформерів. Модернізація мікрохвильових спектрометрів та лабораторії.
автореферат, добавлен 25.07.2014Термодинамічні функції електронного газу у сильноанізотропних шаруватих напівпровідниках для моделей залежності енергії від квазіімпульсу. Залежність термодинамічних функцій від параметра перемішування, застосування теорії пружності Дебая в кристалах.
статья, добавлен 29.09.2016Огляд релятивістичних ефектів в системі двох нуклонів на основі рівняння типу Брейта. Розробка моделі зв’язаного стану двох нуклонів й отримання узгодженого пояснення основних експериментальних параметрів дейтрону. Аналіз основних параметрів розсіяння.
автореферат, добавлен 11.08.2014