Время релаксации
Рекомбинация – это переход электрона из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего исчезает пара свободных носителей. Основные механизмы генерации носителей заряда по типам электронных переходов. Максвелловское время релаксации, понятие и вид.
Подобные документы
Механизмы взаимосвязи магнитных и электрических свойств исследуемых материалов при изменении температуры, магнитного поля и концентрации носителей заряда. Анализ свойств на основе конфигурационной многоэлектронной модели энергетической структуры.
автореферат, добавлен 02.03.2018Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Сравнение рекомбинации неравновесных носителей в InGaN квантовых точках и квантовых ямах, излучающих в зеленом диапазоне спектра. Оптические исследования с использованием температурно-зависимой фотолюминесценции в различных уровнях лазерного возбуждения.
статья, добавлен 26.06.2016Физические основы внутреннего фотоэффекта. Образование экситонов и возникновение свободных носителей заряда. Характеристика оптоэлектронной интегральной микросхемы. Схема сканирования и считывание информации. Применение фотодиода в оптоэлектронике.
контрольная работа, добавлен 12.12.2016Определение отношения заряда электрона к его массе с помощью закона "трех вторых", описывающего характер протекания тока в вакуумном диоде, и метода магнетрона, основанного на закономерностях движения электрона в электрическом и магнитном полях.
лабораторная работа, добавлен 28.04.2012Исследование механизмов генерации оптоакустического сигнала. Разработка экспериментальной установки на модельных суспензиях нанотрубок и нановолокон. Учет времени релаксации поглощенной энергии. Расчет поля, генерируемого лазерным изучением в жидкости.
статья, добавлен 30.07.2017Диэлектрик как вещество, практически не проводящее электрический ток. Концентрация свободных носителей заряда в диэлектрике. Способность диэлектрика поляризоваться во внешнем электрическом поле. Тепловое старение внутренней изоляции, снижение прочности.
реферат, добавлен 03.10.2013Общая характеристика полупроводников, их строения и принципа действия. Определение понятий диффузионного и дрейфового токов. Построение соотношения Эйнштейна. Определение диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда с разными вариантами проводимости.
реферат, добавлен 05.11.2017Обзор понятия и видов тока, под которым в теории электрических цепей принято считать направленное движение носителей заряда в проводящей среде под действием электрического поля. Ток проводимости. Электрический ток смещения. Проводники электрического тока.
статья, добавлен 20.02.2019Исследование рассеяния излучения легированным кристаллическим германием в спектральном диапазоне 2,3-25,0 мкм. Зависимость величины рассеяния от вида легирующего компонента. Процессы генерации, диффузионного переноса и рекомбинации носителей заряда.
статья, добавлен 30.11.2018Упорядоченное движение электронов под действием электрического поля. Измерения, проведенные в опытах Э. Рике. Определение свободных носителей заряда в металлах. Опыты американских физиков Толмена и Стюарта. Удельный заряд частиц в эксперименте ученых.
презентация, добавлен 02.04.2014Описание и свойства вещества в диспергированном состоянии. Особенности обмена свободных носителей заряда через границу раздела металл-полупроводник. Анализ одиночной металлической сферической частицы в полупроводниковой электронной невырожденной матрице.
реферат, добавлен 23.10.2010Частотная и температурная зависимость квантового выхода фотодиссоциации молекул метиленового голубого и резазурина в твердом полимерном растворе. Зависимость константы скорости релаксации возбуждения от разности энергий между возбужденными состояниями.
статья, добавлен 25.03.2016Электрический ток - перенос электрических зарядов. Концентрация электронов в зоне проводимости. Электропроводность зоны проводимости полупроводников. Влияние примесей на электропроводность. Скорость электрона как производная от энергии по импульсу.
лекция, добавлен 30.07.2013Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.
реферат, добавлен 30.05.2017Определение термина время. Какие ошибки мы можем допускать в рассуждении о времени, которые мешают нам понять его физическую природу. От чего зависит время распада элементарной частицы? Формула абсолютного времени. Примеры квантового времени вокруг нас.
статья, добавлен 29.09.2019Что такое время. От чего зависит время распада элементарной частицы. Примеры квантового времени вокруг нас. События, происходящие с элементарной частицей. Формулы течения абсолютного и собственного времени. Коэффициент пропорциональности времени.
статья, добавлен 05.10.2019Свободные электроны и дырки, образованные в результате "термической ионизации". Определение проводимости полупроводника. Ряд смысловых значений термина "время жизни". Фотопроводимость, отнесённая к единице интенсивности возбуждающего излучения.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Опыт К. Рикке по проверке неатомного характера тока в металлах. Исследования Милликена и Иоффе по измерению заряда электрона. Дискретность электрического заряда. Практическое количественное измерение Толменом и Стюартом инерционного тока в металлах.
отчет по практике, добавлен 02.10.2014Процесс переноса заряда под действием электрического поля. Связь плотности тока с дрейфовой скоростью. Зависимость удельной проводимости от напряжения (тензорезистивный эффект). Расчет тензоров деформации для алмазоподобных кристаллов на примере кремния.
статья, добавлен 27.11.2018Теория кристаллического поля. Учет кулоновского и спин-орбитального взаимодействия. Кулоновские корреляции и электронно–дырочная жидкость в двойных квантовых ямах. Расчет вклада кулоновского взаимодействия в энергию связанного оптического электрона.
дипломная работа, добавлен 09.09.2015Особенности применения сильнополевой туннельной инжекции носителей в исследованиях структур металл-диэлектрик-полупроводник и технологиях их получения. Проведение исследования процессов генерации положительного заряда при инжекционной модификации.
автореферат, добавлен 31.03.2018Разработка нового эффективного контрастного агента на основе фторуглеродной эмульсии, который обладает таким же коротким временем релаксации Т1 протонов, что и коммерческий контрастный агент Омнискан, и в то же время дает сильный ЯМР сигнал на ядрах 19F.
статья, добавлен 05.11.2018Изучение законов движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях. Определение удельного заряда электрона с помощью цилиндрического магнетрона. Теоретическая зависимость анодного тока от силы тока в соленоиде. Электрическая схема установки.
реферат, добавлен 17.02.2012Уравнение Ньютона-Рихмана и электрической релаксации, заряд конденсатора. Уравнение для магнитной релаксации, спад и нарастание тока в катушке. Иерархия для трёх релаксаций: тепловой, электрической и магнитной. Формула Томсона для колебательного контура.
реферат, добавлен 10.05.2015