Моделі МОН-транзисторів для схемотехнічного проектування субмікронних інтегральних схем
Дослідження структури моделі МОН-транзистора яка впливає на точність розрахунку параметрів моделі субмікронних розмірів, послідовності її вбудовування в САПР схемотехнічного проектування, перевірка на вірність за допомогою порівняльного моделювання.
Подобные документы
Здійснення розробки принципової схеми "Індикатора аварійних температурних режимів" на основі імпортної елементної бази із подальшою розводкою друкованого монтажу. Аналіз і опис етапів конструкторського проектування за допомогою САПР P-CAD-2001.
курсовая работа, добавлен 28.04.2015Пошук шляхів збільшення швидкодії та функціональних можливостей методів вимірювань параметрів хвилеводів із діелектричним заповненням. Удосконалення математичної моделі хвилеводної вимірювальної комірки та дослідження параметрів досліджуваних матеріалів.
автореферат, добавлен 30.08.2014Принципи вибору елементної бази з урахуванням схемно-функціонального призначення, експлуатаційних, конструкторсько-технологічних та економічних показників. Мети розрахунку та проектування спеціального електрорадіоелемента. Параметри кварцового резонатору.
курсовая работа, добавлен 19.10.2010Особливість застосуванням інтегральних мікросхем у всіх радіотехнічних системах і апаратурі. Аналіз побудови плоских зображень на різних поверхнях за допомогою проектованого приладу. Використання кварцового резонатора для забезпечення необхідної частоти.
реферат, добавлен 16.09.2015Функції, технології та компоненти системи автоматизованого проектування та розрахунку в електроніці. Терміни придатності, матеріали та покриття друкованої плати. Побудова нормального дерева графа. Проведення аналізу перехідних процесів у схемі.
курсовая работа, добавлен 15.05.2017Розробка методики вимірювання параметрів потужних транзисторів з високою рухливістю електронів. Оцінка основних причин зміни параметрів вольтамперних та шумових характеристик транзисторів і можливостей управління ними при опроміненні гамма-квантами.
автореферат, добавлен 28.10.2015Розробка та характеристика особливостей математичної моделі реконфігурованих антен з урахуванням нелінійних властивостей керуючих елементів. Методика використання "матриці конфігурації" для опису конфігурації тонкопроводових випромінюючих структур.
дипломная работа, добавлен 27.07.2015Дослідження будови та принципу дії біполярного транзистора, напівпровідникового елемента електронних схем. Вивчення режимів його роботи та схем включення. Аналіз впливу ефектів другого порядку на характеристики біполярного транзистора в активному режимі.
реферат, добавлен 08.11.2013Проектування структурної схеми системи зв’язку для передавання аналогових сигналів методом ІКМ для заданого виду модуляції та способу приймання. Інформаційні характеристики джерела повідомлення. Розрахунок вхідного паралельного коливального контура.
курсовая работа, добавлен 13.12.2012Запропоновано принципи побудови, архітектуру та методику проектування багатоканальних апаратно-орієнтованих процесорів СБШ на основі багатоканальних процесорних елементів з врахуванням параметрів каналів передачі даних та низькими затратами обладнання.
автореферат, добавлен 22.06.2014Проектування схем за допомогою програмних пакетів P-CAD й Electronics Workbench. Принципова схема імпульсного блоку живлення, її дослідження. Переведення чисел з однієї системи числення в іншу. Простота інтерфейсу користувача комплексу програмних пакетів.
контрольная работа, добавлен 04.11.2014Аналіз методів і моделей для оцінки ризику експлуатації технічних систем. Розробка моделі обчислювальної підсистеми та моделі навігаційної підсистеми безпілотного літального апарата. Автоматизація процедур отримання оцінки ризику експлуатації системи БЛА.
автореферат, добавлен 30.03.2016Розробка математичної моделі для оперативного управління нестаціонарним тепловим режимом опалюваних будівель, орієнтовану на використання в сучасних регуляторах з мікропроцесорним керуванням. Дослідження коректності створеної математичної моделі.
автореферат, добавлен 23.11.2013Визначення властивостей кабелю. Розгляд його взаємодії з середовищем як взаємодії системи із зовнішніми сигналами. Вплив на провідникову лінію та її відгук. Причини виникнення похибок під час розрахунку параметрів кабелю із застосуванням його моделі.
статья, добавлен 24.06.2016Мінімізація часу виходу на ринок цифрових систем. Синтез тестів для діагностування й локалізації несправностей надвеликих інтегральних схем. Конфігурування мікросхем пам’яті за замовленням користувача. Розпаралелювання мікрооперацій у мультипроцесорах.
автореферат, добавлен 28.07.2014Вивчення теорії радіотехнічних та телевізійних пристроїв. Розробка моделі рядкового однотактного та кадрового методів сканування. Побудова алгоритму визначення параметрів динамічних мікрооб’єктів при застосуванні сканувальних растрів різних розмірів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Реалізація моделі систем керування роботом-маніпулятором на базі Arduino та LEGO Mindstorms EV3 для навчальних цілей або невеликих виробничих операцій. Особливість розв’язання завдання проектування та складання механічних частин роботизованої системи.
статья, добавлен 28.10.2020Розробка векторної моделі процесу зчитування інформації твердотільно-імерсійним мікроскопом і алгоритм розрахунку сигналу датчика. Вплив розмірів пітів, зазору між твердотільно-імерсійною лінзою та реєструючою поверхнею на величину сигналу, що зчитується.
статья, добавлен 29.01.2019Побудова цифрових схем реєстрації імпульсів за допомогою тригерів. Проектування лічильника на базі ППП OrCAD. Обґрунтування вибору оптимальної реалізації. Визначення мінімального періоду функціонування. Визначення часу двійково-десяткової реєстрації.
курсовая работа, добавлен 13.04.2015Існуючі методи розрахунку динамічних режимів роботи електротехнічних пристроїв. Нелінійні динамічні математичні моделі розрахунку нестаціонарного нагрівання стержнів пускової обмотки синхронного двигуна під час пуску і механічних напружень у них.
автореферат, добавлен 19.04.2014Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Использование эквивалентных схем, основанных на представлении транзистора как активного линейного четырехполюсника. Измерение напряжения коллектора транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012- 72. Вплив гамма-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ
Процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. Радіаційно-стимульована релаксація внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах. Поліпшення параметрів транзисторів. Зменшення коефіцієнту шуму. Розподіл параметрів по пластині.
автореферат, добавлен 20.04.2014 Принципиальная схема оптореле и структура ячейки транзистора с двойной диффузией. Экспериментальные выходные характеристики кремниевого МОП-транзистора. Тепловое сопротивление ячейки. Электрическая и тепловая схемы транзистора в редакторе Symica.
статья, добавлен 17.07.2018Розрахунок каскаду підсилювача низької частоти. Вибір транзистора КТ3102Б, значення кожного елемента схеми. Побудування схеми каскаду в середовищі ElectronicWorkbench. Моделювання схеми електричної принципової моделі каскаду по розрахованим параметрам.
курсовая работа, добавлен 31.05.2016Проектування топології мікросхеми та вихідні дані. Проектування напівпровідникової мікросхеми та вибір конструкції активних елементів. Розрахунки пасивних елементів та площі кристалу, тонкоплівкових резисторів та особливості паразитних зв’язків.
курсовая работа, добавлен 08.09.2014