Биполярный транзистор

Понятие и сущность биполярного транзистора, принцип его работ, топология и вертикальное сечение. Структура интегрального конденсатора выполненного по биполярной технологии. Передаточная характеристика логического вентиля, температурная зависимость.

Подобные документы

  • Параметры биполярного транзистора, определяющие работу линейного усилителя на основе математических моделей и экспериментальных измерений. Амплитудная характеристика работы усилителя низкой частоты. Расчет и экспериментальная проверка рабочей точки.

    курсовая работа, добавлен 20.09.2014

  • Развитие технологий биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), совмещение в одном приборе лучших свойства полевого и биполярного транзистора. Устройство и особенности работы, целесообразность применения в дискретном и модульном исполнениях.

    реферат, добавлен 25.09.2009

  • Описание схемы биполярного транзистора с эмиттером и экспериментальное определение его вольт-амперных характеристик при нормальной и повышенной температуре. Измерение показателей и построение графиков входных и выходных параметров биполярного транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 21.07.2013

  • Основные параметры биполярного транзистора с p-n-p переходом, определяющие работу линейного усилителя низкой частоты. Принципиальная схема работы усилителя. Расчет и экспериментальная проверка рабочей точки по статическим характеристикам транзистора.

    курсовая работа, добавлен 20.09.2014

  • Структура и топология МДП-транзистора. Расчёт ВАХ в рамках идеализированной модели и с учётом неоднородности ОПЗ под затвором. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы. Корректировка порогового напряжения с учётом эффектов короткого и узкого канала.

    курсовая работа, добавлен 07.08.2013

  • Особенность изготовления дискретного биполярного транзистора. Усиление или генерация колебаний портативными радиоприемниками. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Проведение исследования правил пользования пробником индикатором.

    курсовая работа, добавлен 18.04.2016

  • Устройство, назначение, принцип и режимы действия биполярных транзисторов, как трехэлектродного полупроводникового прибора. Основные носители биполярного транзистора: электроны и дырки, схемы включения. Слои полупроводника и тип приметной проводимости.

    контрольная работа, добавлен 18.08.2010

  • Принцип действия биполярного транзистора. Ток электронов из эмиттера в коллектор. Отношение коллекторного тока к базовому. Использование в электронике усилителей по напряжению. Дифференциальное коллекторное сопротивление у схемы с общим эмиттером.

    лекция, добавлен 26.10.2013

  • Сведения о математических моделях радиоэлектронных средств. Расчет физико-топологической модели биполярного транзистора с использованием модели Эберса-Молла. Разработка маршрутной карты технологического процесса изготовления транзистора типа КТ-872.

    курсовая работа, добавлен 25.05.2013

  • Физика работы транзистора. Параметры биполярного транзистора. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области. Метод тройной диффузии. Параметры диффузионных процессов. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области.

    курсовая работа, добавлен 21.12.2012

  • Сборка схемы для исследования биполярного транзистора. Построение входных и выходных характеристик. Определение h-параметров. Составление эквивалентной схемы замещения. Изучение параметров передаточных и выходных характеристик полевого транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 25.08.2013

  • Режимы работы биполярного транзистора. Изменение ширины базы и ее свойств под действием обратного коллекторного напряжения. Резкая зависимость тока коллектора от напряжения при малых значениях. Граничная частота коэффициента передачи эмиттерного тока.

    лекция, добавлен 04.10.2013

  • Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • История создания и классификация полевых транзисторов. Транзисторы с управляющим p-n-переходом, изолированным затвором и индуцированным каналом. Схемы их включения и области применения. Устройство, принцип действия и режимы работы биполярного транзистора.

    контрольная работа, добавлен 25.03.2015

  • Факторы, ограничивающие возможность использования низкочастотных транзисторов в сверхвысокочастотном диапазоне. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Уменьшение толщины и легирование базы. Представление СВЧ БТ эквивалентными схемами.

    реферат, добавлен 20.01.2016

  • Классификация, схемы включения и характеристики транзисторов. Рассмотрение показателей, характеризирующих схемы включения транзистора. Физические принципы работы биполярного транзистора. Оценка энергетической эффективности ключевого режима транзисторов.

    реферат, добавлен 27.06.2015

  • Транзисторы как полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления мощности. Структура и технические характеристики прибора. Принцип действия и свойства n–p–n транзистора. Коэффициенты усиления с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов.

    реферат, добавлен 19.01.2011

  • Принцип работы биполярного транзистора. Графоаналитический метод расчета усилительного каскада. Физический смысл h-параметров. Характерная особенность усилителя и его отличие от других преобразующих устройств. Выбор величины ЭДС источника питания.

    методичка, добавлен 02.05.2014

  • Условия согласования интегрального малошумящего усилителя с источником сигнала, результаты моделирования зависимостей коэффициента передачи по напряжению и коэффициента шума от длины эмиттера биполярного транзистора и ширины затвора МОП транзистора.

    статья, добавлен 15.08.2013

  • Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.

    курсовая работа, добавлен 21.02.2018

  • Влияние масштабирования n-p-n SiGe гетеропереходного биполярного транзистора на динамические характеристики. Изменение максимальной и граничной частот прибора при переходе от технологии БиКМОП с проектными нормами 0,18 мкм к проектным нормам 0,09 мкм.

    статья, добавлен 27.07.2017

  • Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.

    лабораторная работа, добавлен 21.11.2017

  • Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.

    курсовая работа, добавлен 13.12.2013

  • Структура эпитаксиально-планарного транзистора. Многоэмиттерные транзисторы n-p-n-типа. Транзистор с диодом шотки. Структура МДП-конденсатора. Транзисторно-транзисторная логика. Базовые высокоомные слои р-типа. Изопланарная структура резисторов.

    презентация, добавлен 20.07.2013

  • Исследование характеристик и определение параметров усилителей на полупроводниках. Выбор схемы включения и режима работы каскада на трёхполюсниках. Отличия биполярного и полевого транзистора. Влияние температуры на токи в цепях. Функции обратной связи.

    лабораторная работа, добавлен 08.04.2018

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.