Структура и технология изготовления транзистора кремний на изоляторе
Конструктивное исполнение транзистора кремний на изоляторе. Ионное внедрение, сращивание пластин, управляемый скол и эпитаксия. Преимущества и недостатки КНИ транзисторов. Виды структур кремний на изоляторе. Сравнение с другими топологическими вариантами.
Подобные документы
Зависимости выходного сопротивления кремниевого ДМОП-транзистора от ширины вертикальной высокоомной части стока. Увеличение выходного сопротивления транзистора, ограничение размера транзисторной ячейки при проектировании прибора повышенной мощности.
статья, добавлен 20.07.2018Полупроводниковые приборы с большим числом слоёв разного типа электропроводности, расположенных в разном сочетании. Особенности принципа действия биполярного транзистора. Приложение внешнего приложения к слоям. Схема транзистора с общим эмиттером.
лекция, добавлен 30.07.2013- 53. Солнечные фасады
Солнечная архитектура и ее влияние на энергоэффективность и экологичность. Кремний как материал для солнечных элементов. Принцип работы фотоэлектрической солнечной батареи. Солнечные коллекторы на фасадах зданий, принципы их работы и области применения.
научная работа, добавлен 19.06.2014 Проблема недостатка запасов кремния с требуемыми параметрами и их получение с минимальными затратами. Результаты анализа и обсуждение данных, посвященных последним тенденциям в области использования компенсированного кремниевого сырья при росте слитков.
статья, добавлен 27.11.2018- 55. Эффект Миллера
Изучение проблемы ослабления вредного воздействия эффекта Миллера в целью уменьшения входной емкости транзистора. Рассмотрение каскада усиления, где выходной сигнал будет сниматься с резистора в цепи стока. Анализ эквивалентной схемы полевого транзистора.
статья, добавлен 24.05.2017 Исследование неравновесных населенностей состояний мелких доноров и акцепторов в полупроводниках кремния, германия. Измерение малосигнального коэффициента терагерцового усиления. Отработка методики низкотемпературной внутрирезонаторной спектроскопии.
автореферат, добавлен 15.02.2018Кварц как распространённый минерал земной коры. Моделирование ударно-волновых процессов в диоксиде кремния. Использование модели вязкоупругого тела максвелловского типа. Предположение, что в процессе нагружения меняется нормальная плотность материала.
статья, добавлен 27.10.2018Виды режимов работ биполярных транзисторов и их отличия. Процесс протекания эмиттерного тока. Характеристика работы и свойства транзистора в прямом активном режиме. Обратная связь по напряжению в биполярном транзисторе, согласно с эффектом Эрли.
лабораторная работа, добавлен 21.06.2015Рассмотрение статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора. Определение главных параметров подключения рассматриваемого полупроводникового устройства с общим эмиттером, предназначенного для увеличения мощности электрического тока.
лабораторная работа, добавлен 29.06.2014Расчет параметров кремниевого интегрального биполярного транзистора. Распределение донорной и акцепторной примесей. Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального канального транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017- 61. Ресурсосберегающие технологии и их реализация на основе системы неполяризованных ионных радиусов
Исследование физических свойств атомов или ионов при описании характера межатомного взаимодействия различных по природе химической связи веществ. Влияние примесей разных элементов в монокристаллах кремния на термическую стабильность его качеств.
статья, добавлен 21.01.2018 Изучение основных характеристик и особенностей работы биполярного транзистора в режиме импульсного ключа. Построение схемы измерительной цепи. Определение предельно допустимых значений токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.
лабораторная работа, добавлен 21.06.2015Основные методы формирования и свойства слоев пористого кремния. Температурные зависимости удельного сопротивления бесцветного кристалла, испещренного порами с высокой пористостью. Главная характеристика отпора среды продуктов электрохимических реакций.
курсовая работа, добавлен 01.05.2015Приближенная фазовая диаграмма диоксида кремния. Традиционные уравнения Ми-Грюнайзена. Релаксация касательных напряжений в материале при его деформировании. Модель, описывающая ударно-волновое деформирование кварца с учетом полиморфных превращений.
статья, добавлен 02.11.2018Определение понятия полупроводников – кристаллов, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью диэлектриков и проводников. Ознакомление с принципом действия биполярных транзисторов. Анализ физических основ работы полевого транзистора.
шпаргалка, добавлен 10.02.2017Расчет выходной ВАХ с учетом эффекта модуляции длины канала. Определение сопротивления канала в начале координат и граничной частоты усиления. Эффект влияния напряжения смещения подложки на пороговое напряжение. Выходные характеристики МОП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 03.10.2017Влияние солнечной активности, кремния, температуры и минералов на электропроводность дистиллированной воды. Рассмотрение изменения электропроводности воды в крещенскую ночь. Проверка эффективности работы защитных экранов на телевизоре и компьютере.
реферат, добавлен 18.02.2020Создание и сбор регулируемого AC-DC преобразователя напряжения на основе биполярного транзистора. Регулирование выходного напряжения преобразователя. Поступление напряжения с R2 на вход базы транзистора VT1, включенного по схеме эмиттерного повторителя.
лабораторная работа, добавлен 06.06.2023Физические принципы колебательной спектроскопии. Вращательные и колебательные спектры. Влияние фазового состояния вещества на ИК-спектры. Колебательные свойства атомов примесей в аморфном кремнии. Области применения методов колебательной спектроскопии.
лабораторная работа, добавлен 21.01.2011Показаны тенденции развития фотоэлектрического преобразователя, который основан на повышении уровня КПД за счет оптимизации конструктивных и физических параметров. Описание фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационных эффектов, методы повышения КПД.
статья, добавлен 19.06.2018Схемы включения транзистора и их обобщение. Первичные параметры транзистора и методы расчета технических показателей каскада для включения общей базы, эмиттера, коллектора. Практическое определение основных технических показателей транзисторного каскада.
курсовая работа, добавлен 27.06.2015Основные разновидности современных транзисторов, критерии и показатели их классификации. Внутреннее устройство и главные компоненты биполярного транзистора, режимы работы и схемы включения. Факторы, влияющие на усиление сигнала, его основные классы.
реферат, добавлен 09.04.2015Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.
реферат, добавлен 30.05.2017Механические свойства нитевидных кристаллов кремния и германия при внешних воздействиях и методы их изучения. Создание миниатюрных и высокопрочных тензорезисторов. Определение возможностей их применения. Пластическая деформация нитевидных кристаллов.
статья, добавлен 04.12.2018- 75. Моделирование наноразмерных областей разупорядочения, созданных ионизирующими частицами в кремнии
Разработка модели и анализ результатов моделирования образования наноразмерных областей разупорядочения в кремнии при облучении потоком ионизирующих частиц с учётом параметров материала и условий облучения. Образование первичных радиационных дефектов.
автореферат, добавлен 27.07.2018