Изучение принципов работы биполярного транзистора
Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
Подобные документы
Понятие полевого транзистора, его типы и способы управления. Особенности работы системы и зависимости основных показателей. Входные и выходные характеристики и схема ключа на приборе с p-n переходом и каналом n-типа. Сущность изолированного затвора.
реферат, добавлен 01.05.2009Экспериментальное построение характеристик транзистора, определение коэффициента усиления по току, проверка формулы Эберса-Молла. Определение зависимости напряжения базы от логарифма тока коллектора, а также коэффициента усиления от тока коллектора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012- 53. Математическое моделирование СВЧ-генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе
Усовершенствование модели биполярного транзистора, работающего в недонапряженном режиме. Алгоритм моделирования сверхвысокочастосного генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе, работающем в недонапряженном режиме с отсечкой тока.
автореферат, добавлен 13.04.2018 Изучение принципа действия, основных характеристик и параметров электронных ключей на биполярных транзисторах. Выполнение инженерного расчета транзисторного ключа на БТ. Определение силы тока коллектора. Напряжение насыщения биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.08.2023Рассмотрение структурных особенностей полупроводникового диода. Проведение расчетов параметров и характеристик выпрямительного диода (напряжение прокола, лавинного пробоя, генерационный ток, диффузная длина неравновесных носителей) и МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 16.12.2009Расчет параметров полупроводникового усилителя с общим эмиттером. Снижение выходного сопротивления источника питания. Определение максимального тока коллектора биполярного транзистора и мощности драйвера. Применение метода эквивалентного четырехполюсника.
курсовая работа, добавлен 17.01.2016Ознакомление с параметрами нелинейной модели биполярного транзистора Эберса-Молла. Расчет среднегеометрического значения статического коэффициента передачи тока. Вычисление омического сопротивления и емкости коллектора транзисторов с малой мощностью.
задача, добавлен 27.12.2013Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с управляющим p–n-переходом. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения, значения крутизны и проводимости канала.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Расчет усилителя в схеме включения с общим эмиттером. Определение требований к транзистору по предельным параметрам. Проверка амплитуды тока коллектора. Схема замещения биполярного транзистора с эмиттером. Расчет емкости разделительных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 23.07.2014Принцип действия биполярного транзистора. Возникновение коэффициента усиления по напряжению с учётом конкретных схем включения транзистора: с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК) и с общей базой (ОБ). Таблица сравнительных данных по этим схемам.
лекция, добавлен 01.09.2013Принципиальная схема оптореле и структура ячейки транзистора с двойной диффузией. Экспериментальные выходные характеристики кремниевого МОП-транзистора. Тепловое сопротивление ячейки. Электрическая и тепловая схемы транзистора в редакторе Symica.
статья, добавлен 17.07.2018Условия согласования интегрального малошумящего усилителя с источником сигнала, результаты моделирования зависимостей коэффициента передачи по напряжению и коэффициента шума от длины эмиттера биполярного транзистора и ширины затвора МОП транзистора.
статья, добавлен 15.08.2013Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.
презентация, добавлен 23.09.2016Входное и выходное напряжение. Определение типа транзистора. Мощность, рассеиваемая коллектором транзистора. Расчет коэффициента обратной связи по напряжению. Вольтамперные характеристики транзистора. Расчет статического коэффициента передачи по току.
контрольная работа, добавлен 13.05.2015Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
курсовая работа, добавлен 19.04.2014Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода. Отрицательные обратные связи в уравнении вольт-амперной характеристики вакуумного диода.
контрольная работа, добавлен 10.05.2015Факторы, ограничивающие возможность использования низкочастотных транзисторов в сверхвысокочастотном диапазоне. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Уменьшение толщины и легирование базы. Представление СВЧ БТ эквивалентными схемами.
реферат, добавлен 20.01.2016Определение, функции, свойства, основные принципы построения, работы и обозначения диодного моста, транзистора, тиристора. Особенности функционирования D-триггера, Т-триггера и RS-триггера. Условия протекания рабочего тока в полевом транзисторе.
доклад, добавлен 17.09.2012История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления. Устройство и конструкция диффузиозно-сплавного транзистора структуры p–n–p. Включение p–n–p транзистора по схемах общего эмиттера, общей базы и общего коллектора.
реферат, добавлен 29.01.2014Выбор режима работы транзистора. Определение сопротивления делителя в цепи базы, параметров транзистора по статическим характеристикам и элементов схемы по напряжению, коэффициентов усиления и нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов, конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 20.01.2014Исследование отличительных особенностей выходных каскадов транзисторов. Анализ работы предварительного каскада в области средних частот. Расчет коэффициентов усиления базового тока композитного транзистора. Изучение схемы двухтактного выходного каскада.
лекция, добавлен 04.10.2013Входные и выходные характеристики биполярных транзисторов. Расчет делителя в цепи базы. Особенность приращения тока коллектора и базы. Определение параметров элементов схемы замещения полупроводникового прибора. Оценка нелинейных искажений каскада.
курсовая работа, добавлен 27.09.2017Рабочий участок выходной характеристики транзистора. Неудобство полевых транзисторов. Питание цепи затвора и стока. Определение коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 30.07.2013