Акустична емісія в світловипромінюючих структурах на основі сполук GaP, GaAs та GaN
Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
Подобные документы
Технології виготовлення металевих мікростріпових детекторів з нікелю на кремнієвій підкладці. Використання джерела альфа-випромінювання Pu-239 і системи зчитування даних Sens Tech XDAS. Моніторинг пучка іонів і виникнення вторинної електронної емісії.
статья, добавлен 24.03.2024Дослідження електро- та фотофізичних властивостей плівок напівпровідникових молекулярних композитів на основі полімерів і полікомплексів азобензолу і гетерополіядерних комплексів з координованими іонами металів. Здійснення голографічного запису.
автореферат, добавлен 30.07.2015Вивчення закономірностей електрофізичних та адсорбційних явищ, в кристалічних діелектриках і шаруватих структурах, виникаючих в них при поширенні поверхневих акустичних хвиль. Розробка фізичних методів керування характеристиками електричних пристроїв.
автореферат, добавлен 07.03.2014Дослідження впливу зміни довжини хвилі лазерного випромінювання на характер розсіювання в шарі індукованого холестерика. Розробка нових багатошарових висококонтрастних рідкокристалічних модуляторів видимого і ближнього інфрачервоного випромінювання.
автореферат, добавлен 28.07.2014Іонолюмінесценція широкозонних твердих тіл і іонно-фотонна емісія в області низьких значень енергії іонів коливального збудження частинок на поверхні і в об'ємі іонного удару та релаксації високозбуджених коливальних станів по електронному каналу.
автореферат, добавлен 26.08.2014Встановлення взаємодії лазерного випромінювання та оптимізації режимів і умов лазерного опромінення для ціленапрямленої модифікації. Дослідження впливу променів на поверхневі функціональні групи та зміна електронної підсистеми різної модифікації.
автореферат, добавлен 28.08.2015- 57. Динамічна модель фізичних процесів у польових транзисторах із затвором Шоттки субмікронних розмірів
Дослідження фізичних процесів, що відбуваються в напівпровідникових структурах субмікронних розмірів, розроблення математичної моделі, що включає чисельний розв'язок частинок рівняння Больцмана, Пуассона та теплопровідності з граничними умовами.
автореферат, добавлен 06.07.2014 Структура рідин та взаємодія лазерного випромінювання з атомами. Пробій рідин під дією лазерного випромінювання. Тунельний ефект в лазерному полі. Застосування моделі Келдиша-Файсала-Ріса в якості теоретичного методу опису тунельного механізму пробою.
реферат, добавлен 04.06.2015Елементний склад і розподіл елементів по глибині для плівок SiOX у залежності від методу їх формування та механізми впливу технологічних параметрів отримання на їх властивості. Вплив домішки азоту на формування структур із кремнієвими нанокластерами.
автореферат, добавлен 26.09.2015Дослідження процесу відтворення ефекту емісії світла при агломерації та конденсації малих кластерів атомів Аg в матриці інертного газу, а також відображення послаблення ефекту впливу сусідніх атомів аргону на енергетичний стан збуджених кластерів срібла.
автореферат, добавлен 04.03.2014Модифікація фізичної моделі, створення програмного забезпечення для математичного моделювання констант розповсюдження хвильоводних мод в шаруватих діелектричних структурах та біметалічних структурах. Створення планарного поляризаційного інтерферометру.
автореферат, добавлен 25.06.2014- 62. Фотоелектричні властивості багатошарових напівпровідникових SiGe гетероструктур з наноострівцями
Розрахунок зонної діаграми гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, використовуючи данні про компонентний склад та деформації SiGe наноострівців, отримані з аналізу спектрів. Взаємодія оптичного випромінювання з багатошаровими гетероструктурами з SiGe.
автореферат, добавлен 29.08.2015 - 63. Елекрооптичні ефекти в структурах МДН - рідкий кристал, зумовлені перенесенням і накопиченням заряду
Взаємозв’язок процесів переносу і накопичення зарядів в структурах МДН-рідкий кристал з характеристиками електрооптичних ефектів, а також умови виникнення і релаксації нестійкостей орієнтованих нематиків в області пор діелектрика структур М-РК-Д-Н.
автореферат, добавлен 12.02.2014 Метод получения термостабильной компоненты инжекционно стимулированного отрицательного заряда в МДП-структурах. Особенности влияния электронного облучения заряда, локальных неоднородностей МДП-структур на процессы. Способ изготовления МДП-приборов.
автореферат, добавлен 31.03.2018- 65. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Формулювання та апробація можливих способів діагностування та класифікації станів перетворювачів за вейвлет-спектрами струмів та напруг. Розробка та впровадження в промислову сферу мікропроцесорних систем діагностики напівпровідникових перетворювачів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Встановлення закономірностей впливу розмірних ефектів на магнітні та термоелектричні властивості надграток EuS-PbS. Можливість існування в напівпровідникових НГ EuS-PbS міжшарової обмінної взаємодії феромагнітних шарів через немагнітні прошарки.
автореферат, добавлен 28.07.2014Аналіз основних структурних змін, що відбуваються у напівпровідникових кристалах при легуванні шляхом імплантації та при наступних технологічних обробках. Встановлення ролі легуючої домішки бору в утворенні електрично-активних кисневмісних комплексів.
автореферат, добавлен 07.08.2014- 68. Комп’ютеризований комплекс дослідження фільтруючих ланок для споживачів з нелінійним навантаженням
Впровадження напівпровідникових пристроїв управління, які покращують роботу технологічних об’єктів, викликаючи при цьому негативні електромагнітні явища. Підключення силових напівпровідникових пристроїв за допомогою комутаційних фільтруючих елементів.
статья, добавлен 21.06.2016 Распределение диэлектрической и магнитной проницаемостей в направляющих структурах. Анализ распространения поверхностных волн в нелинейных анизотропно-градиентных четырёхслойных планарных структурах. Решение волновых уравнений с учетом их взаимодействия.
статья, добавлен 28.07.2017Застосування напівпровідникових приладів. Фізичні основи обчислювальної техніки, інтегральні мікросхеми. Дослідження роботи базових логічних елементів: RS-тригера, генератора прямокутних імпульсів (мультивібратора). Ефективність використання обладнання.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2019Теорія фононного та поляронного станів в анізотропних напівпровідникових квантових ямах. Залежність середньої кількості віртуальних фононів полярона від хвильового вектора. Аналіз енергетичного спектра в гетероструктурах із плоскою квантовою ямою.
автореферат, добавлен 25.08.2015Аналіз електромагнітних процесів у напівпровідникових перетворювачах з трансформаторним зв’язком між фазами. Електромагнітна сумісність цих перетворювачів з мережею живлення. Огляд алгоритму керування цим зв’язком і математичних моделей перетворювачів.
автореферат, добавлен 29.08.2014Експериментальне дослідження та обґрунтування електричних та фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі на монокристалах та епітаксійних шарах SiC з використанням різних металів. Перенос заряду в CdTе поверхнево-бар’єрних структурах різного типу.
автореферат, добавлен 10.08.2014Дослідження електродинамічних властивостей хвилеведучих структур з періодичними послідовностями неоднорідностей аксіально-симетричного типу. Розрахунок характеристик електромагнітних полів розсіяння у періодичних структурах з аксіальною симетрією.
автореферат, добавлен 29.07.2014Виявлення наявності істотного струмового перегріву активної області інфрачервоних випромінювачів відносно корпуса приладу. Встановлення взаємозв'язку інжекційно-термічних і рекомбінаційних процесів у напівпровідникових випромінювачах ІЧ – діапазону.
автореферат, добавлен 29.07.2014