Исследование процессов получения пленок на сапфире для газочувствительных датчиков
Маршруты формирования пленок на поверхности сапфира для газочувствительных датчиков с использованием лазерного излучения длиной волны 1064 нм. Экспериментальная оценка применения лазерного излучения для получения тонких пленок на поверхности подложки.
Подобные документы
Развитие технологии "Пассивный инфракрасный" (ПИК) детекторов движения. Физическая сущность пироэлектрического эффекта. Эквивалентная схема пироэлектрического датчика инфракрасного излучения. Сферы практического применения пироэлектрических датчиков.
реферат, добавлен 27.09.2014Датчики счетного типа. Энергетическое разрешение детекторов. Основные составляющие радиационного фона. Использование радиационно-чистых материалов в конструкции датчиков. Радиометры и дозиметры широкого пользования. Принципы классификации датчиков.
статья, добавлен 15.11.2018Датчик как понятие: виды и назначение. Классификация датчиков температуры. Манометры - датчики измерения давления. Сфера применения датчиков уровня. Принцип работы механических контактных датчиков. Бесконтактные датчики перемещения и их неисправности.
реферат, добавлен 06.02.2023Области применения датчиков механических параметров с применением методов нанотехнологий. Технология формирования нанопленочных тензорезисторов, используемая в ОАО "НИИФИ" в чувствительных элементах тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления.
статья, добавлен 13.11.2018Модуляторы лазерного излучения, их классификация. Физические эффекты, положенные в основу принципа действия. Устройство электрооптического модулятора, недостатки. Магнитооптические модуляторы. Пути совершенствования модуляторов, магнитные нанокомпозиты.
лекция, добавлен 17.08.2014Отражение электромагнитной волны от металлической поверхности рефлектора. Принцип действия зеркальной антенны. Апертурный метод расчет поля излучения. Геометрические характеристики параболоидного зеркала. Расчет полной мощности излучения облучателя.
реферат, добавлен 02.05.2020Блок-схема регистратора лазерного пятна дальномера-целеуказателя. Характеристики многоэлементной фотоприемной матрицы и импульсного иттербиевого лазера. Примеры изображений пятна подсвета лазера, полученные при различном времени экспонирования матрицы.
доклад, добавлен 07.12.2018Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных микросхем. Методы формирования тонких пленок: термического испарения в вакууме, ионного распыления, ионно-термического испарения. Характеристика и свойства тонкопленочных пассивных элементов.
курсовая работа, добавлен 17.01.2011Исследование методики и основные этапы определения геометрии двухдиапазонной квазифрактальной антенны. Порядок и анализ эффективности разработки алгоритма определения токов на ее поверхности. Оценка практической возможности расчета поля излучения.
статья, добавлен 11.07.2013Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Обзор различных типов датчиков, их классификация, описание принципов работы и области их применения. Фундаментальные явления, лежащие в основе работы оптических химических сенсоров. Применение интегральных оптических датчиков в микроэлектронике.
статья, добавлен 07.11.2018Ознакомление с результатами математического моделирования выбора источника излучения для дифракционного контроля регулярных рельефных структур. Разработка помехоустойчивой оптоэлектронной системы дифракционного контроля с модуляцией лазерного излучения.
статья, добавлен 29.01.2019Влияние обратного рассеяния излучения кольцевого лазера от внешних конструктивных элементов "в моду" резонатора, появление колебаний в показаниях лазерных датчиков угловых перемещений (лазерных гироскопов) с амплитудой до нескольких десятых градуса в час.
статья, добавлен 28.10.2018Основные области применения и характеристики датчиков температуры. Изучение основных типов полупроводниковых датчиков температуры. Применение датчиков температуры на основе диодов и транзисторов. Пленочные полупроводниковые датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 16.05.2016Рассмотрение преобразования когерентного ИК-излучения СО2-лазера в излучение с длиной волны около 100 мкм в нелинейном планарном диэлектрическом волноводе, выполненным из монокристалла. Решение уравнения связанных волн и расчет преобразователя.
статья, добавлен 07.11.2018Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Фактор, влияющий на свойства тонких пленок. Процесс изготовления двухуровневой металлизации в системе А1-А1гОз-А1.
контрольная работа, добавлен 21.01.2017Исследование процесса получения гибких экранов электромагнитного излучения методом инкорпорирования частиц технического углерода. Анализ частотных характеристик коэффициента отражения, передачи углеродосодержащих материалов. Состав панорамного измерителя.
статья, добавлен 03.05.2019Определение и характеристики датчиков, их физические свойства. Классификация, устройство и основополагающие принципы работы датчиков. Применение различных датчиков в промышленной технике измерений, в робототехнике и в автомобильной электронике.
курсовая работа, добавлен 02.09.2009Определение понятия фотоэлектрических датчиков. Описание основ применения фотоэлектрических датчиков для бесконтактного измерения размеров или контроля положения тел в потоке. Оценка необходимости точности раскроя для металлургического производства.
статья, добавлен 04.06.2014Рассмотрение задачи о томографии пространственно распределенного некогерентного источника излучения. Обращение интегрального уравнения, сформулированного для углового распределения интенсивности, измеряемого на поверхности определенного радиуса.
статья, добавлен 04.11.2018- 46. Виды датчиков
Классификация датчиков по виду выходной величины и принципу действия. Требования, предъявляемые к ним. Принцип действия датчиков-генераторов и термопреобразователей сопротивления (терморезисторов). Отличительные особенности микроволновых устройств.
реферат, добавлен 16.05.2011 - 47. Способ пеленгации источников когерентного излучения с использованием модифицированного метода Прони
Исследование результатов имитационного моделирования процесса пеленгации системы, состоящей из двух источников когерентных излучения дополненной источником-эквивалентом фонового излучения. Характеристика математической модели лоцируемого объекта.
статья, добавлен 27.02.2019 Программные регуляторы температуры в камере ускоренного твердения железобетонных изделий. Принцип работы и конструкции основных типов датчиков, применяемых для контроля технологических процессов с использованием нагрева. Работа автоматического регулятора.
лабораторная работа, добавлен 05.05.2014Разработка модифицированных материалов и многослойных структур тонких пленок с целью улучшения эксплуатационных характеристик магнитных головок дисковых накопителей. Уменьшение коэрцитивной силы и увеличение поверхностной магнитной анизотропии подслоев.
статья, добавлен 27.12.2016Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012