Полупроводниковая электроника
Физические основы полупроводниковой электроники. Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды и резисторы, фотоэлектрические полупроводниковые приборы. Биполярные и полевые транзисторы. Аналоговые интегральные микросхемы.
Подобные документы
Требования к эксплуатационным параметрам и технологиям производства микроэлектронных компонентов – структурных единиц конечных устройств. Увеличение массовости производства при снижении издержек. Потребительские свойства органической электроники.
статья, добавлен 12.06.2018Свойства логических функций, логические законы. Типы логических микросхем, синтез комбинационных логических схем. Методы минимизации логических функций. Интегральные триггеры, мультиплексоры, демультиплексоры, дешифраторы. Двоичные счетчики-делители.
контрольная работа, добавлен 27.10.2014Особенность разработки эффективных технологий и систем управления. Исследование развития электроники после изобретения радио. Характеристика построения первой двухэлектродной лампы. Формирование способов передачи изображений и измерительной техники.
реферат, добавлен 22.01.2017Анализ состояния производства электроники в России. Современный мир и различные электронные средства: персональный компьютер, телефон, телевизор, радио. Необходимость разработки новых технологий и важные условия существования и развития отрасли.
доклад, добавлен 20.04.2011Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Изучение основных терминов цифровой электроники. Понятия о полевых и биполярных транзисторах. Электрические и временные параметры цифровых устройств. Схемы включения биполярного транзистора. Шинная организация связей в резисторах и конденсаторах.
лекция, добавлен 12.01.2015Аналоговые устройства регистрации. Модули записи временных графиков на визуальные носители. Цифровые электронные приборы. Принцип работы тепловизора, направления его использования. Устройство осциллографа и его применение в исследовательских целях.
доклад, добавлен 28.11.2013Обзор функциональных возможностей носимой электроники - встроенных микродисплеев, видеокамер, персональной связи, интегрированных устройств ввода данных и управления. Smart fabrics - "умная" ткань или одежда. Формирование проводных соединений в одежде.
реферат, добавлен 23.01.2011Оптоэлектронные приборы, их определение, устройство и принцип работы. Выпрямительные диоды, их определение и устройство. Работа транзистора в режиме насыщения. Принципиальные особенности оптоэлектронных устройств. Распространение световых лучей.
контрольная работа, добавлен 09.01.2011Изучение устройства и назначения пассивных элементов электрических цепей: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности. Техническая характеристика полупроводниковых приборов с p–n переходом: диоды, стабилизаторы, варикап. Операционные схемы усилителей.
курс лекций, добавлен 05.07.2013Приборы непосредственной оценки и приборы сравнения. Принцип действия электронно-счетных частотомеров. Подсчет количества импульсов, сформированных входными цепями из периодического сигнала произвольной формы. Аналоговые стрелочные частотомеры.
курсовая работа, добавлен 02.12.2010Виды микроволновых полупроводниковых приборов и направления их развития. Технологии флэш-памяти - вида энергонезависимой перезаписываемой полупроводниковой памяти. Технология формирования флэш-памяти компаний Intel, StrataFlash, Wireless Memory System.
реферат, добавлен 22.08.2015Устройство, назначение, принцип и режимы действия биполярных транзисторов, как трехэлектродного полупроводникового прибора. Основные носители биполярного транзистора: электроны и дырки, схемы включения. Слои полупроводника и тип приметной проводимости.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Рассмотрение алгебры логики как математической основы цифровой электроники и вычислительной техники. Изучение основных логических функций, законов и правил булевой алгебры. Обозначение логических элементов на электрических схемах и описание устройства.
реферат, добавлен 23.12.2013Устройство и характеристики транзистора. Его типы, функции и технология изготовления. Назначение областей и электродов полупроводника. Выбор режима трёхполюсника. Схемы включения и принцип работы усилительного каскада. Уменьшение пробивного напряжения.
контрольная работа, добавлен 04.06.2014Микроволновые электронные приборы. Принцип действия приборов с динамическим управлением электронным потоком. Принцип работы двухрезонаторного пролетного клистрона. Пространственно-временная диаграмма группирования электронов в отражательном клистроне.
учебное пособие, добавлен 22.08.2015Понятие биполярного транзистора, его структура и общие принципы работы. Характеристика главных параметров, их расчеты и изменения. Особенности схем включения с общим эмиттером, коллектором, базой, их ключевых режимов и соотношения данных в них.
реферат, добавлен 01.05.2009Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
курсовая работа, добавлен 19.04.2014Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024- 96. Диоды Шоттки
Выпрямительные диоды Шоттки. Время перезарядки барьерной ёмкости перехода и сопротивление базы диода. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах. Импульсные диоды. Номенклатура составных частей дискретных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 20.06.2011 Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
курсовая работа, добавлен 19.11.2014Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.
лекция, добавлен 23.09.2017Теоретические основы цифровой и аналоговой электроники. Сравнительный анализ лабораторных стендов по цифровой электронике. Обоснование выбора аппаратно-инструментальных средств разработки. Обоснование выбора системы автоматического проектирования.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019