Полевые транзисторы с изолированным затвором
Устройство и принцип действия, статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом. Основные параметры МДП – транзисторов и область их применения. Главные преимущества и недостатки полевых транзисторов. Усилители с общим истоком.
Подобные документы
История изобретения транзисторов, их назначение, область применения и недостатки первых моделей. Структура и типовые характеристики биполярных транзисторов с изолированным затвором. Сравнительная характеристика различных семейств биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 02.12.2015Полевые транзисторы, их отличия от биполярных по величине входного сопротивления. Типовые передаточные характеристики основных видов полевых транзисторов. Преимущества усилительных каскадов. Крутизна проходной характеристики, напряжение отсечки.
реферат, добавлен 28.12.2014Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.
лабораторная работа, добавлен 27.06.2015Внутреннее устройство и принцип действия биполярного транзистора, его функциональные особенности и сферы практического использования. Схемы включения и перспективы дальнейшего развития. Статические характеристики транзисторов с индуцированным каналом.
контрольная работа, добавлен 21.03.2016Ознакомление с конструкцией полевого транзистора, который управляется напряжением, или полем. Исследование биполярных транзисторов, где носители заряда диффундируют к коллектору. Расчет коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора.
лекция, добавлен 23.09.2017Виды транзисторных усилителей, основные задачи при их проектировании. Применяемые при анализе схем обозначения и соглашения. Статистические характеристики транзисторов. Статические и дифференциальные параметры транзисторов. Обратные связи в усилителях.
лекция, добавлен 09.04.2015Изменение напряжения на стоке для обеспечения управления сопротивлением канала в тех же пределах, что и в случае подачи управляющего напряжения на затвор. Статические характеристики полевого транзистора. Характеристика и работа пентодного режима.
реферат, добавлен 19.02.2011Принципы работы транзисторов с изолированным затвором, их сечение, условные обозначения, преимущества, вольт-амперные характеристики. Простейшая модель n-МОП-транзистора и КМОП инвертора, их топология и базовые операции технологического маршрута создания.
презентация, добавлен 07.07.2015Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.
статья, добавлен 26.10.2016Устройство и принцип действия транзисторов, сферы использования, физический смысл, принципы действия и внутренняя структура. Классификация и маркировка транзисторов, схема и правила их включения. Общая характеристика, типы, отличительные особенности.
реферат, добавлен 08.03.2014Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.
курс лекций, добавлен 21.02.2014Структура и режимы работы биполярных транзисторов. Распределение стационарных потоков носителей заряда. Значения постоянных токов при активном режиме. Работа транзистора на малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры и частотные характеристики.
презентация, добавлен 29.08.2015Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.
реферат, добавлен 21.07.2013Изучение особенностей семейства вольтамперных характеристик транзистора, включенного по схеме с общей базой. Определение недостатков биполярных транзисторов. Рассмотрение устройства и принципа работы полевых транзисторов с индуцированным каналом.
лекция, добавлен 21.10.2014Области применения датчиков магнитного поля, приёмники излучения на основе эффекта Зеебека. Ионоселективные полевые транзисторы, их достоинства и недостатки. Магниторезистивные датчики магнитного поля. Конструкция ионоселективного полевого транзистора.
реферат, добавлен 15.12.2015Графические зависимости напряжения и тока входной цепи (входные вольт-амперные характеристики) и выходной цепи (выходные или коллекторные вольт-амперные характеристики). Эмиттерный переход транзистора. Эквивалентная схема биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016Суть параметров включения полевого транзистора. Применение полупроводниковых приборов в импульсных источниках питания и стабилизаторах. Анализ использования униполярных элементов в выходных каскадах вычислительных устройств и усилителях звуковой частоты.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Основные разновидности современных транзисторов, критерии и показатели их классификации. Внутреннее устройство и главные компоненты биполярного транзистора, режимы работы и схемы включения. Факторы, влияющие на усиление сигнала, его основные классы.
реферат, добавлен 09.04.2015Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.08.2017Определение понятия полупроводников – кристаллов, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью диэлектриков и проводников. Ознакомление с принципом действия биполярных транзисторов. Анализ физических основ работы полевого транзистора.
шпаргалка, добавлен 10.02.2017Вычисление синфазной и дифференциальной составляющих. Изучение метода дифференциального каскада. Использование супер-вета транзисторов. Разработка операционного усилителя с хорошим коэффициентом усиления. Рассмотрение применения схемы с общим эмиттером.
лекция, добавлен 26.10.2013Частота как важнейшая характеристика периодических процессов. Знакомство с основными этапами проектирования частотомера, особенности разработки структурной и принципиальной схемы. Общая характеристика полевого транзистора VT1 с изолированным затвором.
дипломная работа, добавлен 27.11.2014Электроника как область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных приборов. Рассмотрение особенностей р-канального МДП транзистора, основное назначение. Характеристика преимуществ мощных полевых транзисторов.
контрольная работа, добавлен 28.02.2013Конструктивное исполнение транзистора кремний на изоляторе. Ионное внедрение, сращивание пластин, управляемый скол и эпитаксия. Преимущества и недостатки КНИ транзисторов. Виды структур кремний на изоляторе. Сравнение с другими топологическими вариантами.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Принцип действия биполярного транзистора. Процесс рассмотрения составляющих тока п-р-п типа. Необходимость использования усилителей по напряжению. Выходные характеристики ВАХ на коллекторе. Сущность режима насыщения, его основные задачи, принцип расчета.
лекция, добавлен 29.10.2013