Полевые транзисторы с изолированным затвором

Устройство и принцип действия, статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом. Основные параметры МДП – транзисторов и область их применения. Главные преимущества и недостатки полевых транзисторов. Усилители с общим истоком.

Подобные документы

  • История изобретения транзисторов, их назначение, область применения и недостатки первых моделей. Структура и типовые характеристики биполярных транзисторов с изолированным затвором. Сравнительная характеристика различных семейств биполярных транзисторов.

    реферат, добавлен 02.12.2015

  • Полевые транзисторы, их отличия от биполярных по величине входного сопротивления. Типовые передаточные характеристики основных видов полевых транзисторов. Преимущества усилительных каскадов. Крутизна проходной характеристики, напряжение отсечки.

    реферат, добавлен 28.12.2014

  • Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.

    лабораторная работа, добавлен 27.06.2015

  • Внутреннее устройство и принцип действия биполярного транзистора, его функциональные особенности и сферы практического использования. Схемы включения и перспективы дальнейшего развития. Статические характеристики транзисторов с индуцированным каналом.

    контрольная работа, добавлен 21.03.2016

  • Ознакомление с конструкцией полевого транзистора, который управляется напряжением, или полем. Исследование биполярных транзисторов, где носители заряда диффундируют к коллектору. Расчет коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора.

    лекция, добавлен 23.09.2017

  • Виды транзисторных усилителей, основные задачи при их проектировании. Применяемые при анализе схем обозначения и соглашения. Статистические характеристики транзисторов. Статические и дифференциальные параметры транзисторов. Обратные связи в усилителях.

    лекция, добавлен 09.04.2015

  • Изменение напряжения на стоке для обеспечения управления сопротивлением канала в тех же пределах, что и в случае подачи управляющего напряжения на затвор. Статические характеристики полевого транзистора. Характеристика и работа пентодного режима.

    реферат, добавлен 19.02.2011

  • Принципы работы транзисторов с изолированным затвором, их сечение, условные обозначения, преимущества, вольт-амперные характеристики. Простейшая модель n-МОП-транзистора и КМОП инвертора, их топология и базовые операции технологического маршрута создания.

    презентация, добавлен 07.07.2015

  • Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.

    статья, добавлен 26.10.2016

  • Устройство и принцип действия транзисторов, сферы использования, физический смысл, принципы действия и внутренняя структура. Классификация и маркировка транзисторов, схема и правила их включения. Общая характеристика, типы, отличительные особенности.

    реферат, добавлен 08.03.2014

  • Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.

    курс лекций, добавлен 21.02.2014

  • Структура и режимы работы биполярных транзисторов. Распределение стационарных потоков носителей заряда. Значения постоянных токов при активном режиме. Работа транзистора на малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры и частотные характеристики.

    презентация, добавлен 29.08.2015

  • Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.

    реферат, добавлен 21.07.2013

  • Изучение особенностей семейства вольтамперных характеристик транзистора, включенного по схеме с общей базой. Определение недостатков биполярных транзисторов. Рассмотрение устройства и принципа работы полевых транзисторов с индуцированным каналом.

    лекция, добавлен 21.10.2014

  • Области применения датчиков магнитного поля, приёмники излучения на основе эффекта Зеебека. Ионоселективные полевые транзисторы, их достоинства и недостатки. Магниторезистивные датчики магнитного поля. Конструкция ионоселективного полевого транзистора.

    реферат, добавлен 15.12.2015

  • Графические зависимости напряжения и тока входной цепи (входные вольт-амперные характеристики) и выходной цепи (выходные или коллекторные вольт-амперные характеристики). Эмиттерный переход транзистора. Эквивалентная схема биполярного транзистора.

    контрольная работа, добавлен 30.11.2016

  • Суть параметров включения полевого транзистора. Применение полупроводниковых приборов в импульсных источниках питания и стабилизаторах. Анализ использования униполярных элементов в выходных каскадах вычислительных устройств и усилителях звуковой частоты.

    курсовая работа, добавлен 29.08.2015

  • Основные разновидности современных транзисторов, критерии и показатели их классификации. Внутреннее устройство и главные компоненты биполярного транзистора, режимы работы и схемы включения. Факторы, влияющие на усиление сигнала, его основные классы.

    реферат, добавлен 09.04.2015

  • Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.

    дипломная работа, добавлен 01.08.2017

  • Определение понятия полупроводников – кристаллов, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью диэлектриков и проводников. Ознакомление с принципом действия биполярных транзисторов. Анализ физических основ работы полевого транзистора.

    шпаргалка, добавлен 10.02.2017

  • Вычисление синфазной и дифференциальной составляющих. Изучение метода дифференциального каскада. Использование супер-вета транзисторов. Разработка операционного усилителя с хорошим коэффициентом усиления. Рассмотрение применения схемы с общим эмиттером.

    лекция, добавлен 26.10.2013

  • Частота как важнейшая характеристика периодических процессов. Знакомство с основными этапами проектирования частотомера, особенности разработки структурной и принципиальной схемы. Общая характеристика полевого транзистора VT1 с изолированным затвором.

    дипломная работа, добавлен 27.11.2014

  • Электроника как область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных приборов. Рассмотрение особенностей р-канального МДП транзистора, основное назначение. Характеристика преимуществ мощных полевых транзисторов.

    контрольная работа, добавлен 28.02.2013

  • Конструктивное исполнение транзистора кремний на изоляторе. Ионное внедрение, сращивание пластин, управляемый скол и эпитаксия. Преимущества и недостатки КНИ транзисторов. Виды структур кремний на изоляторе. Сравнение с другими топологическими вариантами.

    курсовая работа, добавлен 21.10.2012

  • Принцип действия биполярного транзистора. Процесс рассмотрения составляющих тока п-р-п типа. Необходимость использования усилителей по напряжению. Выходные характеристики ВАХ на коллекторе. Сущность режима насыщения, его основные задачи, принцип расчета.

    лекция, добавлен 29.10.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.