Электропроводность полупроводников
Характеристика электропроводности полупроводников как их способности проводить электрический ток при наличии подвижных заряженных частиц. Взаимодействие электрического поля и полупроводника при направленном движении носителей и протекание электротока.
Подобные документы
Сущность электролитической диссоциации, растворимости веществ. Изготовление удобного в обращении, компактного прибора для исследования электропроводности веществ. Алгоритм исследования электропроводности веществ с использованием созданного прибора.
научная работа, добавлен 18.10.2022Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
курсовая работа, добавлен 13.11.2013Создание безвредных для организма диагностических приборов. Получение пространственного распределения электропроводности биологических тканей по результатам измерения потенциалов на поверхности тела, возбуждаемых внешним источником электрического тока.
статья, добавлен 30.05.2017Анализ технологических операций при изготовлении тонкопленочных солнечных элементов. Изменение удельной электропроводности кремниевой пленки. Применение лазерного отжига. Выбор оптимальной мощности для получения наилучших электрофизических параметров.
статья, добавлен 29.07.2017Зависимость теплового тока от процессов термогенерации носителей заряда и ширины запрещенной зоны полупроводника, из которого выполнен p-n-переход. Причины возникновения и меры предотвращения электрических и тепловых разновидностей пробоя p-n-перехода.
реферат, добавлен 15.05.2012- 31. Модель трехкоординатного электроиндукционного сферического датчика напряженности электрического поля
Функциональное назначение и область применения трехкоординатного электроиндукционного сферического датчика напряженности электрического поля. Разработка и обоснование математической модели трехкоординатного электроиндукционного сферического датчика.
практическая работа, добавлен 11.01.2020 Эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Особенности транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом. Канал проводимости тока в пластине.
доклад, добавлен 24.06.2013Выяснение зависимости сопротивления проводника от температуры. Изучение явления сверхпроводимости. Анализ теории электропроводности металлов. Расчет работы и мощности тока по закону Джоуля-Ленца. Исследование правил Кирхгофа для разветвленных цепей.
контрольная работа, добавлен 01.10.2015Анализ общих тенденций, связанных с характером изменения амплитуды поля при перемещении точки наблюдения из дальней зоны в зону Френеля. Определение углового распределения электрического и магнитного полей на различных расстояниях от источника.
статья, добавлен 04.11.2018Особенности разработки информационной технологии мониторинга температурного поля в процессе выращивания монокристаллов полупроводников. Знакомство с основными методами получения монокристаллов. Способы настройки подсистемы виртуального мониторинга.
статья, добавлен 19.06.2018Анализ схематического изображения электрического вибратора в плоском волноводе. Специфические особенности применения преобразования Фурье для определения выражения продольной по отношению к оси антенны компоненты напряженности электрического поля.
статья, добавлен 04.11.2018На основе численного решения гиперсингулярных интегральных уравнений определение распределения электрического поля в двух главных плоскостях однозеркальной антенны в ближней зоне смоделированого с помощью датчика в виде электрического вибратора.
статья, добавлен 04.11.2018Общие сведения о полупроводниках. Приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Характеристика и параметры выпрямительных диодов. Параметры и предназначение стабилитронов. Вольтамперная характеристика туннельного диода.
реферат, добавлен 24.04.2017Токи, протекающие по экрану, под влиянием магнитного поля значительно превосходят токи, наблюдаемые при экранировании электрического поля. Экранирование проводов и кабелей. Фильтрующие цепи. Экранирование высокочастотного магнитного поля. Вихревые токи.
реферат, добавлен 16.12.2008- 40. Полупроводники
Сущность понятий "проводник", "диэлектрик" и "полупроводник". Собственная и примесная электрическая проводимость. Контакт двух полупроводников. Вольтамперная характеристика диода. Однополупериодное, двухпериодное выпрямление переменного тока, светодиоды.
презентация, добавлен 24.12.2012 - 41. Использование фильтра Калмана в обработке данных хода напряженности электрического поля атмосферы
Применение цифровой обработки для улучшения качества данных, полученных с помощью сети датчиков измерения напряженности поля EFM550. Возможности калмановской фильтрации для уточнения данных приборных измерений напряженности электрического поля атмосферы.
статья, добавлен 30.07.2017 Необходимость создания в монотроне с однозазорным резонатором заданного распределения высокочастотного электрического поля в пространстве взаимодействия. Применение оптимального распределения поля в четырехзазорном резонаторе многолучевого монотрона.
статья, добавлен 03.11.2018Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022- 45. Инженерный подход к определению пропускной способности телекоммуникационных систем при наличии помех
Практические аспекты определения пропускной способности телекоммуникационных систем при наличии помех. Модель нестационарного коммутированного канала, которая описывает вероятностные характеристики помех для двух состояний. Частотная манипуляция сигнала.
статья, добавлен 30.07.2016 Разработка топологии логической схемы ИМС, предназначенной для эксплуатации в современной электронной аппаратуре. Расчет электрических параметров биполярного транзистора и габаритов интегральных резисторов. Выбор конденсаторов для полупроводников.
курсовая работа, добавлен 06.12.2013Рассмотрение основ физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Обзор физических процессов, протекающих в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике.
учебное пособие, добавлен 14.09.2015Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Принцип действия полупроводников, биполярных транзисторов, диодов. Цифровая микросхемотехника. Логические функции и их реализация. Характеристики усилителей. Устройства отображения информации.
книга, добавлен 07.02.2014Определение значение барьерной емкости Cj (-2B). Расчет электрического поля вдали от перехода в Р области при прямом смещение 0,5В. Построение YD(VG) для двух значений VD. Модель идеального диода. Определение дрейфового тока и подвижности электронов.
контрольная работа, добавлен 14.10.2017Общие сведения о микросхемах и технологии и укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Изготовление монокристалла из полупроводников. Схема установки для выращивания кристаллов по методу Чохральского.
реферат, добавлен 12.01.2013