Виды пробоев P-N-перехода
Вольт-амперная характеристика p-n-перехода реального полупроводникового прибора и ее кусочно-линейная аппроксимация. Характерные признаки теплового пробоя. Возникновение лавинного пробоя р-н-перехода при меньших напряженностях электрического поля.
Подобные документы
- 1. p-n переходы
Принцип работы p-n перехода - структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Понятие области объёмного заряда. Механизм лавинного пробоя. Паразитная ёмкость p-n перехода. Важная особенность тунельного диода, его использование.
лекция, добавлен 25.09.2017 Сущность электронно-дырочного перехода, динамическое равновесие процессов диффузии. Понятие теплового и электрического пробоя. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов, их применение в технике. Характеристика варикапов, их применение.
контрольная работа, добавлен 15.10.2014Свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. Механизм пробоя жидких диэлектриков. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры магнитных материалов. Конструкционные материалы для разрывных контактов.
контрольная работа, добавлен 22.02.2010Аспекты оценки неопределенности результатов экспериментальных исследований процесса электрического пробоя длинного воздушного промежутка. Три варианта формы стержневого молниеприемника. Определяющее влияние времени запаздывания на результаты аттестации.
статья, добавлен 14.07.2016Основные виды пробоев: электрический (туннельный и лавинный) и тепловой, вольтамперная характеристика p-n перехода. Определение барьерной и диффузной емкостей. Классификация диодов по типу материала, физической природе процессов, назначению и др.
презентация, добавлен 29.08.2015Физические основы электронных приборов и понятие полупроводников, применение акцепторной примеси. Электрическое поле, создаваемое пространственными зарядами и возникновение прямого тока. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода.
контрольная работа, добавлен 23.01.2015Нелинейные цепи в установившемся режиме: резистивный, индуктивный и емкостной элемент. Однополупериодный выпрямитель и кусочно-линейная аппроксимация. Кривая намагничивания и вебер-амперная характеристика. Спектр тока в нелинейной индуктивности.
презентация, добавлен 20.02.2014Суть преобразования солнечной радиации в электрическую энергию. Анализ станций, использующих фотоэлектрические модули. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Основные параметры фотоэлемента. Схемы работы и недостатки данного инженерного сооружения.
презентация, добавлен 08.11.2016Понятие и сущность диэлектриков, их характерные отличительные свойства от других веществ. Этапы исследования механизма ионизации, электрической проводимости и пробоя жидких диэлектриков. Особенности пробоя жидких диэлектриков, теория А. Геманта.
реферат, добавлен 22.01.2011Анализ основных способов определения максимальной мощности рассеяния транзистора. Общая характеристика видов пробоя коллекторного перехода: тепловой, электрический. Знакомство с предельными режимами биполярного транзистора, рассмотрение особенностей.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.
лекция, добавлен 30.07.2013Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
реферат, добавлен 27.01.2011Сущность пробоя диэлектрика как потери своих изоляционных свойств, если напряжённость поля превысит некоторое критическое значение. Явление ударной ионизации и ее действие на твердые диэлектрики. Квантовые уровни энергии внешних электронов в атоме.
реферат, добавлен 22.05.2014Изучение понятия диффузионной емкости p-n-перехода. Барьерная емкость. Р-n-переход как система из двух проводящих плоскостей, разделенных диэлектриком, то есть как плоский конденсатор. Особенности определения инерционности p-n-перехода барьерной емкостью.
презентация, добавлен 20.07.2013- 15. Тиристор
Определение тиристора. Виды тиристоров, их классификация по способу управления и проводимости. Характеристика тиристора и его схема. Вольт-амперная характеристика. Отличия тиристора от диода. Достоинства и недостатки. Углы управления тиристорами.
презентация, добавлен 30.11.2023 Описание способа изготовления перехода Джозефсона и исследование по возможности улучшения его воспроизводимости и качества. Возможность управления параметрами процесса изготовления перехода с учетом характеристик высокотемпературного сверхпроводника.
статья, добавлен 01.02.2019- 17. Динистор
Вольтамперная характеристика динистора, который применяется в быстродействующих системах защиты схем, нагрузки от перенапряжения. Определение обратного тока коллектора. Процесс лавинного пробоя и умножения носителей р-типа вследствие ударной ионизации.
презентация, добавлен 20.07.2013 Простейшая теория ударной ионизации Таунсенда. Учет влияния объемного заряда по Роговскому. Распределение электрического поля в диэлектрическом шаре (капле). Плотность тока насыщения при поверхностной ионизации до возникновения ударной ионизации.
курсовая работа, добавлен 18.05.2018Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Изучение устройства полупроводникового диода, а также физических процессов, происходящих в нем. Исследование параметров полупроводниковых диодов. Приведение вольтамперной характеристики идеализированного р-п перехода и стабилитрона общего назначения.
лабораторная работа, добавлен 07.02.2016Возникновение мощных диффузионных потоков носителей заряда в момент образования контакта. Контактная разность потенциалов р-n-перехода. Оценка плотности тока неосновных носителей заряда. Дифференциальное сопротивление обратно смещенного р-n-перехода.
статья, добавлен 04.12.2018Сущность закона Ома и "сверхпроводимости". Характеристика теории фазового перехода веществ, при закритически низких температурах, в состоянии сверхдиамагниченности под влиянием внешнего магнитного поля к абсолютно электроизоляционной способности.
статья, добавлен 02.10.2015Классификация нелинейных элементов в зависимости от вида их характеристик. Свойства нелинейных и параметрических цепей, основные требования к аппроксимирующей функции. Кусочно-линейная аппроксимация. Составление уравнений состояния по законам Кирхгофа.
лекция, добавлен 09.09.2017Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Особенности однофазных схем выпрямления. Изучение параметрического стабилизатора напряжения. Основные отношения между токами в транзисторе. Рассмотрение параметров дифференциального каскада.
курс лекций, добавлен 25.02.2014Зависимость тока через p-n-переход от приложенного к нему напряжения, ее выражение в графическом виде и ее описание экспоненциальной зависимостью. Вольтамперная характеристика, в которой отражено свойство односторонней электропроводности p-n-перехода.
презентация, добавлен 20.07.2013