Модовый состав планарных структур органических светоизлучающих диодов

Расчет констант распространения волноводных мод и полей мод в органических светоизлучающих диодах. Вычисление трех типичных структур диодов. Влияние введения рассеивающего слоя между прозрачным электродом и подложкой на эффективное рассеивание мод.

Подобные документы

  • Исследование спектрально-селективных характеристик прозрачных металлодиэлектрических структур с энергосберегающими свойствами на основе наноразмерных слоев алюминия. Рекомендации по практической реализации структур с энергосберегающими свойствами.

    статья, добавлен 30.10.2016

  • Приборы, работающие в микроволновом диапазоне волн. Специфические параметры смесительных диодов. Рассмотрение параметров и технических характеристик генератора дифракционного излучения. Движение электронов в пространстве взаимодействия магнетрона.

    презентация, добавлен 10.08.2015

  • Исследование инфракрасного, видимого и ультрафиолетового излучений. Изучение видов электромагнитных волн. Естественные и искусственные источники света. Применение инфракрасных диодов и в быту. Лечение эмоциональных расстройств человека излучением.

    презентация, добавлен 05.03.2015

  • Теоретические принципы контактных явлений в полупроводниках. Строение полупроводниковых диодов, вольт-амперная характеристика. Туннельный, лавинный пробой. Биполярные, полевые транзисторы. Переключение тиристоров. Принцип действия фоторезисторов, лазеров.

    курс лекций, добавлен 20.08.2017

  • Характеристика операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов переходами. Анализ этапов проектирования полузаказных БИС и СБИС. Классификация видов и маркировки полупроводниковых диодов.

    контрольная работа, добавлен 29.10.2010

  • Исследование конструкции и принципов работы полупроводниковых диодов, их классификация и разновидности, а также структура и компоненты. Изучение их основных параметров. Наблюдение изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).

    лабораторная работа, добавлен 25.06.2015

  • Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.

    методичка, добавлен 08.09.2015

  • Практическое развитие нанооптики. Использование наноматериалов для изготовления защитных и светопоглощающих покрытий, спортивного оборудования, транзисторов, светоиспускающих диодов, топливных элементов, лекарств и медицинской аппаратуры, лазеров.

    статья, добавлен 01.03.2019

  • Изучение межмолекулярных взаимодействий в растворах органических красителей. Методики расчета их спектрально-люминесцентных характеристик. Основные теории молекулярной ассоциации. Влияние концентрации растворителя на спектральные свойства соединений.

    диссертация, добавлен 24.06.2015

  • Учет изменения высоты слоя при грохочении. Анализ влияния введения зависимости интенсивности извлечения от высоты слоя, меняющейся с уходом мелкой фракции, на распределение содержания мелкой фракции по высоте слоя и ее извлечение в мелкий продукт.

    статья, добавлен 02.12.2018

  • Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.

    презентация, добавлен 09.07.2015

  • Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.

    курс лекций, добавлен 15.09.2017

  • Обоснование физической общности электростатического и гравитационного полей, приведшего к объединению известных универсальных и атомных констант. Происхождение силового поля внутри атома. Особенность сокращения периода орбитального обращения Луны.

    статья, добавлен 15.11.2018

  • Исследование особенностей распределений нестационарных трехмерных физических полей в канале электродинамического ускорителя типа рельсотрон. Ускоритель с цилиндрической геометрией. Особенности полей для трех вариантов геометрии ускоряемого якоря.

    статья, добавлен 28.10.2018

  • Математическая модель расчета характеристик электрической дуги в канале плазмотрона со ступенчатым выходным электродом с учетом турбулентности и неравновесности плазмы. Численный анализ течения и нагрева закрученного потока газа в канале плазмотрона.

    статья, добавлен 08.12.2018

  • Рассмотрение истории появления светодиодных ламп. Изучение устройства их элементов, принципа работы полупроводниковых диодов, сроков службы, положительных и отрицательных характеристик. Описание правил выбора светодиодной энергосберегающей лампы для дома.

    презентация, добавлен 22.12.2015

  • Исследование влияния мощных постоянных и переменных электрических полей техногенного происхождения на живые организмы. Особенности влияние электрических и магнитных полей на живой организм, растения и животных. Метод электронного парамагнитного резонанса.

    реферат, добавлен 10.05.2020

  • Изучение функции диодов на выходе схемы. Исследование асинхронного счётчика 133ИЕ5. Характеристика особенностей работы двоично-десятичного синхронного счётчика с переменным коэффициентом деления. Рассмотрение аспектов функционирования делителя частоты.

    лабораторная работа, добавлен 08.11.2013

  • Исследование характеристик полупроводниковых диодов, устройств на их основе. Определение параметров биполярного транзистора. Изучение схем на основе операционного усилителя. Характеристики аналоговых компараторов напряжения. Исследование цифровых систем.

    методичка, добавлен 25.12.2012

  • Утворення структурних та електрофізичних досліджень пористого кремнію. Методи дослідження мікроструктури, хімічного складу багатошарових структур при адсорбції газів. Електрофізичні властивості багатошарових структур з шаром термічно окисненого кремнію.

    автореферат, добавлен 14.07.2015

  • Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.

    презентация, добавлен 23.06.2013

  • Сущность управления процессом следования импульсов от источника к нагрузке при передаче электронных сигналов. Осуществление коммутации за счет изменения внутреннего сопротивления. Использование диодов для повышения быстродействия и точности коммутации.

    лекция, добавлен 23.07.2013

  • Наблюдение преобразований и искажений сигналов нелинейными элементами. Ознакомление с методами расчёта в режимах большого и малого сигналов. Активные элементы электрических цепей. Комплексное изучение вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.

    методичка, добавлен 25.02.2014

  • Модифікація фізичної моделі, створення програмного забезпечення для математичного моделювання констант розповсюдження хвильоводних мод в шаруватих діелектричних структурах та біметалічних структурах. Створення планарного поляризаційного інтерферометру.

    автореферат, добавлен 25.06.2014

  • Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины плёнки на её электрофизические свойства. Создание структур "кремний на изоляторе", измерение методом эллипсометрии. Исследование электрофизических свойств структур в условиях анодного окисления.

    дипломная работа, добавлен 15.10.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.