Збудження електронних станів Si, Ge і Mg повільними електронами

Закономірності пружного і непружного розсіювання повільних моноенергетичних електронів різномодифікованими поверхнями монокристалічного p-Si(100), полірованими гранями (111), (110), (100) монокристалічного Ge, атомно-чистими й окисленими шарами магнію.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.