Дослідження структурно-функціональних елементів біполярних інтегральних схем
Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.
Подобные документы
Дослідження конструкції гібридно-плівкових інтегральних схем і мікрозбірок, взаємозв'язку характеристик матеріалів та геометрії тонкоплівкових елементів зі значенням їх експлуатаційних параметрів. Здійснення розрахунків поверхневого опору резисторів.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Теоретичні методи дослідження структури матеріалів та електрофізичних характеристик елементів інтегральних схем при дії рентгенівського, гама та нейтронного випромінювання. Засоби підвищення радіаційної стійкості елементів твердотільної електроніки.
автореферат, добавлен 29.07.2014Визначення класу задач обробки зображень, які ефективно реалізуються на секціонованих оптоелектронних інтегральних схемах. Формування вимоги до топологічних розмірів елементів оптоелектронних інтегральних схем оброблення та передавання зображень.
автореферат, добавлен 24.02.2014Аналіз моделювання електричних схем оптоелектронних логічних вентилів і пристроїв на їх основі. Особливість вибору програмного середовища для розрахунку елементів оптопари ДВЧ діапазону. Фізикотопологічне проектування напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Фiзичнi механізми функціонування інтегральних транзисторних i дiодних структур. Розрахунок i оптимiзацiя топології біполярних транзисторів з бар'єром Шотткi. Схема формувача потужних наносекундних iмпульсiв. Застосування товстоплiвкових резисторів.
автореферат, добавлен 05.01.2014Розрахунок і розробка топології та конструкції функціональних вузлів радіоелектронної апаратури у виді гібридних інтегральних схем, а також технологічного маршруту їхнього виробництва відповідно до заданої в завданні принципової електричної схеми.
курсовая работа, добавлен 25.04.2012Технології побудови формалізованої, математичної та комп'ютерної моделі технологічного процесу виготовлення біполярних інтегральних мікросхем. Аналіз результатів оптимізації цього процесу за критерієм мінімуму сумарних виробничих й експлуатаційних витрат.
статья, добавлен 29.09.2016Розробка фізико-технологічних основ, аналітично-обчислювальних методик і експериментально-виробничих нанотехнологій для виготовлення напівпровідникових НВІС на нових багатокомпонентних матеріалах та створення нових інтегральних схем для їх експлуатації.
автореферат, добавлен 06.07.2014Схема базового елемента діодно-транзисторної логіки. Вихідні дані для розробки та розрахунків топології інтегральної мікросхеми. Топологія активних елементів. Технологічні процеси виготовлення інтегральних схем. Метод повної діелектричної ізоляції.
контрольная работа, добавлен 14.05.2014Методика моделювання, шумові і нелінійні моделі субмікронних польових транзисторів з бар’єром Шотткі. Рівняння нестаціонарних ефектів дрейфу носіїв заряду. Моделювання гетеробіполярних транзисторів. Розрахунок відрізків мікрохвильових ліній передачі.
автореферат, добавлен 28.07.2014Пристрої, які формують на виході або напругу протилежної полярності при практично рівних абсолютних значеннях, або напругу однієї полярності. Схема порівняння операційного підсилювача. Використання інтегральних схем. Еквівалентні моделі компараторів.
статья, добавлен 29.06.2016Обробка сигналів цифровими методами. Використання цифрових інтегральних схем при розробці будильника на мікроконтролері. Структурна схема пристрою, алгоритми роботи його прикладної програми. Компоновка елементів на друкованій платі, розробка її топології.
курсовая работа, добавлен 06.12.2017Аналіз сучасних конструктивних методів підвищення граничної напруги та області безпечної роботи потужних кремнієвих приладів. Дослідження статичних та динамічних параметрів і області безпечної роботи конструкцій потужних біполярних транзисторів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Дослідження структури моделі МОН-транзистора яка впливає на точність розрахунку параметрів моделі субмікронних розмірів, послідовності її вбудовування в САПР схемотехнічного проектування, перевірка на вірність за допомогою порівняльного моделювання.
автореферат, добавлен 28.07.2014Аналіз методики верифікації інтегральних мікросхем на прикладі елементів пам’яті з використанням тестів. Залежність часу надійної експлуатації інтегральних мікросхем радіотехнічних пристроїв від умов їх експлуатації, стану поверхні кремнієвого чипу.
статья, добавлен 26.01.2017Розробка математичних моделей і оцінка ефективності імпедансних елементів керування на базі узагальнених перетворювачів імітансу. Дослідження активних фільтрів на базі двозатворних польових структур Шоттки, придатних для інтегральних технологій.
автореферат, добавлен 29.09.2015Аналіз схем генераторів прямокутних імпульсів на біполярних транзисторах, логічних елементах та операційних підсилювачах. Описання роботи генератора на логічних елементах. Моделювання роботи схем генераторів за допомогою програми Electronics Work Bench.
курсовая работа, добавлен 15.01.2015Розробка теоретичних положень синтезу схем напівпровідникових вентильних перетворювачів із заданими властивостями на основі головної топологічної матриці. Основні топологічні закономірності структурного синтезу поліпшених схем перетворювальних пристроїв.
автореферат, добавлен 29.08.2013Аналіз стану розвитку аналогових твердотільних інтегральних схем для сенсорної техніки. Алгоритм дослідження впливу механічних компонентів конструкції сенсорних пристроїв на їх параметри. Розподіл світлового потоку між фотоелементами акселерометра.
автореферат, добавлен 22.06.2014Розробка основних схем і дослідження твердотілих інтегральних сенсорних пристроїв на двохколекторних латеральних магнітотранзисторах на основі біполярної технології. Комплексна оцінка впливу технологічних чинників на параметри магнітосенсорних пристроїв.
автореферат, добавлен 21.11.2013Аналіз властивостей межі розділу шаруватої структури. Визначення впливу межі розділу на вибір технології формування швидкодіючих структур ВІС на основі арсеніду галію та високоефективних приладних структур. Технологія формування структур приладів.
статья, добавлен 22.03.2016Загальна характеристика методів запобігання вмикання паразитних p-n-p-n структур в інтегральних транзисторних мікросхемах. Основний аналіз процесів переключення напівпровідникових будов та впливу на них електричних і магнітних полів, світла та радіації.
автореферат, добавлен 28.08.2014Історія розвитку технології і схемотехніки цифрових інтегральних схем. Призначення цифрового вимірювача температури, структурна схеми пристрою. Обґрунтування елементної бази, що використається. Блок-схема алгоритму підпрограми обробки переривання.
курсовая работа, добавлен 14.02.2013Класичні вимірювальні засоби температури. Принципи побудови приборів термометрії на основі оптичного сигналу. Розробка рідкокристалічних аналогових пристроїв відображення вимірюваної інформації. Характеристики сучасних термосенсорних інтегральних схем.
автореферат, добавлен 22.06.2014Особливості та переваги програмованих логічних інтегральних схем в цифрових пристроях. Основні підходи до розробки систем на кристалі та реалізація RISC-ядра з набором інструкцій ARMv2 на базі програмованої логічної схеми Cyclone III фірми Altera.
статья, добавлен 13.10.2016